FM73E885CQPB(2R) FM73E885CQP1B (2R) FM73E3285CRTP1B(2R EPOP
FM73E885CQPB integrierter Schaltkreis
,FM73E3285CRTP1B EPOP IC
,2 Jahre Garantie IC-Chips
FM73E885CQP1B HS400 800/933MHz 136BGA 8GB eMMC+8Gb LPDDR3 oder 32GB eMMC+8Gb LPDDR3 EPOP FM73E3285CRTP1B(2R
Beschreibung:Die Kommission kann die Mitgliedstaaten auffordern, die erforderlichen Maßnahmen zu ergreifen.
| 8 GB + 8 GB | ||||
| Teilnummer | Organisation | Beschreibung | Geschwindigkeit (mHz) | Paket |
| Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt. | 8 GB eMMC + 8 GB LPDDR3 | - | HS400;800/933MHz | 136BGA |
| Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten, sofern sie nicht in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 enthalten sind. | 8 GB eMMC + 8 GB LPDDR3 | - | HS400;800/933MHz | 136BGA |
| 32 GB + 8 GB | ||||
| Teilnummer | Organisation | Beschreibung | Geschwindigkeit (mHz) | Paket |
| Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. | 32 GB eMMC + 8 GB LPDDR3 | - | HS400;800/933MHz | 136BGA |
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Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc. (ESMT) ist ein professionelles IC-Design-Unternehmen, das im Juni 1998 im Hsinchu Science Industrial Park in Taiwan gegründet wurde.Das Hauptgeschäft des Unternehmens umfasst das eigene Marken-IC-Produktdesign, Produktion, Vertrieb und technische Dienstleistungen. ESMT wurde im März 2002 erfolgreich an der Taiwan Stock Exchange mit Code 3006 börsennotiert.
ESMT SPI NAND Flash Produkte mehr auf Lager:
| SPI NAND | |||
| 1 GB | |||
| Teilnummer | Beschreibung | Geschwindigkeit (mHz) | Paket |
| Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. | SPI NAND Flash, 3,3 V | 104 MHz | WSON mit 8 Kontakten |
| F50D1G41LB ((2M) | SPI-NAND-Flash, 1,8 V | 50 MHz | WSON mit 8 Kontakten |
| Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. | SPI NAND Flash, 3,3 V | 104 MHz | 8 Kontakte WSON/ 24 Kugel BGA |
| 2 GB | |||
| Teilnummer | Beschreibung | Geschwindigkeit (mHz) | Paket |
| Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. | SPI NAND Flash, 3,3 V | 104 MHz | WSON mit 8 Kontakten |
| Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. | SPI NAND Flash, 3,3 V | 104 MHz | LGA mit 8 Kontakten |
| Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten, sofern sie in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 216/2008 enthalten sind. | SPI-NAND-Flash, 1,8 V | 83 MHz | LGA mit 8 Kontakten |
| Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. | SPI-NAND-Flash, 1,8 V | 83/ 104 MHz | WSON mit 8 Kontakten |
| 4 GB | |||
| Teilnummer | Beschreibung | Geschwindigkeit (mHz) | Paket |
| F50D4G41XB(2X) | SPI NAND Flash 1,8 V | 83 MHz | LGA mit 8 Kontakten |
| F50L4G41XB(2X) | SPI NAND Flash, 3,3 V | 104 MHz | WSON mit 8 Kontakten |
| F50D4G41XB(2XE) | SPI NAND Flash 1,8 V | 83 MHz | LGA mit 8 Kontakten |
