19N60E FMV19N60E Τρανζίστορες FUJI
19N60E Fuji transistor
,FMV19N60E power transistor
,Fuji 19N60E IC transistor
Ηλεκτρονικά εξαρτήματα Ενσωματωμένα κυκλώματα (IC)
19N60E FMV19N60E Τρανζίστορες N-Channel Power MOSFET
Προδιαγραφή: Power MOSFET N-Channel 1KV 8A 3-Pin ((3+Tab) TO-3P
| Κατηγορία | Συμπλέκτες (IC) |
| Ονομασία του προϊόντος | Ηλεκτρονικά εξαρτήματα |
| Αριθμός μοντέλου | 19N60E FMV19N60E Τρανζίστορες N-Channel TO-3P Power MOSFET |
| Δρ. | ΟΝΣΕΜΙ |
| Σειρά | 19N60E Δύναμη MOSFET N-Channel 3-Pin ((3+Tab) έως 3P |
| Πακέτο | Τυπικό πακέτο |
| Υπόθεση | Νέα και πρωτότυπη Συσκευή |
| Χρονοδιάγραμμα | Σε αποθέματα μπορεί να αποσταλεί ΑΣΠ |
| Χαρακτηριστικά | Δυναμικό MOSFET N-Channel 1KV 8A 3-Pin ((3+Tab) TO-3P |
| Πακέτο / Κουτί | ΤΟ3Π |
| Τύπος στερέωσης | Μέσα από την τρύπα |
| Αριθμός βασικού προϊόντος | 8N100 |
![]()
Οι πιο δημοφιλείς Τρανζιστόρες Ενέργειας:2N7002BKV,115
2N7002P,215
ΣΥ2308BDS-T1-E3
IRLML5203TRPBF
IRFD110PBF
2N7002NXAKR
C2M1000170D
IPB017N10N5LFATMA1
IRF9640PBF-BE3
IRF8714TRPBF
Κεφάλαια 1 και 2
IRF9640STRLPBF
IRF840PBF
| ΑΤΡΙΒΟΥΤ | Περιγραφή |
|---|---|
| Κατάσταση RoHS | Συμμόρφωση με την οδηγία ROHS3 |
| Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL) | 3 (168 ώρες) |
| Το καθεστώς REACH | REACH Μη επηρεασμένη |
| Εθνική Εθνική Εταιρεία | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
Η Angel Technology Electronics CO. είναι διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων από το 2006.Τα προϊόντα μας περιλαμβάνουνμε μικτό σήμα,
και ολοκληρωμένα κυκλώματα επεξεργασίας ψηφιακού σήματος (DSP) που χρησιμοποιούνται σε σχεδόν όλους τους τύπους ηλεκτρονικού εξοπλισμού.