G30H603 IGBT IGW30N60H3 em tecnologia Trench e Fieldstop
IGBT IGW30N60H3 tecnologia de trincheira
,Tecnologia IGBT G30H603 de parada de campo
,Circuito integrado IGBT com garantia
Componentes eletrónicos Circuitos integrados-IGBT
IGBT de alta velocidade na tecnologia Trench e Fieldstop
IGW30N60H3 600V série de comutação de alta velocidade terceira geração IGBT G30H603 TO247-3 30A
Aplicação:
fontes de alimentação ininterruptas
Conversores de soldadura
Conversores de alta frequência de comutação
Especificações:
Oferta de tecnologia TRENCHSTOPTM
VCEsat muito baixo
Índice de EMI baixo
Diodo antiparallel de recuperação muito suave e rápido
Temperatura máxima de junção 175°C
Qualificado de acordo com o JEDEC para aplicações específicas
| Categoria | Circuitos integrados |
| Nome do produto | Componentes eletrónicos |
| Número do modelo | IGW30N60H3 600V série de comutação de alta velocidade terceira geração IGBT G30H603 TO247-3 30A |
| Série | Componentes de circuito integrado |
| Pacote | TO-247 |
| Condição | Pacote novo e original |
| Tempo de execução | Em estoque pode ser enviado o mais rápido possível |
| Características | IGW30N60H3 IGBT de alta velocidade na tecnologia Trench e Fieldstop |
| Embalagem / Caixa | TO247-3 |
| Tipo de montagem | THT |
| Número do produto de base | G30H603 |
G30H603 pode ser substituído o IRG4PC50WPBF foi descontinuado. Substituição :600V série de comutação de alta velocidade terceira geração IGBT G30H603 TO247-3 30A
O IRG4PC50W usa uma tecnologia mais antiga de plano/não-punch-through.
A sua alta queda de tensão de saturação leva a elevadas perdas de condução e aumento da geração de calor durante a operação.
O IGW30N60H3 utiliza tecnologia avançada de trincheira / campo-stop.
Esta tecnologia reduz significativamente a queda da tensão de saturação e as perdas de comutação através de uma estrutura de célula única e distribuição do campo elétrico.
IRG4PC50W
