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qualità MBQ40T120FESTH TO-247 40T120FES TO-247 Pb Rottura dell'emittente del collettore libero fabbrica

MBQ40T120FESTH TO-247 40T120FES TO-247 Pb Rottura dell'emittente del collettore libero

qualità MDD1951RH Magnachip semiconduttore 2W 20V 3V 4.8nC@ 4.5V 60V 45mΩ@ 10V fabbrica

MDD1951RH Magnachip semiconduttore 2W 20V 3V 4.8nC@ 4.5V 60V 45mΩ@ 10V

qualità MDP1933TH Magnachip semiconduttore 157W 20V 4V 59.4nC@ 10V 80V fabbrica

MDP1933TH Magnachip semiconduttore 157W 20V 4V 59.4nC@ 10V 80V

qualità MDS3603URH Magnachip Semiconductor 2.5W 25V 3V 0V 8.5mΩ@ 20V 1.788nF@ 15V fabbrica

MDS3603URH Magnachip Semiconductor 2.5W 25V 3V 0V 8.5mΩ@ 20V 1.788nF@ 15V

qualità MDD7N25RH Magnachip Semiconductor 56W 30V 5V 10V 250V 550mΩ@ 10V 370pF@ 25V DPAK fabbrica

MDD7N25RH Magnachip Semiconductor 56W 30V 5V 10V 250V 550mΩ@ 10V 370pF@ 25V DPAK

qualità MDP1932 BVDSS Tensione di soglia del gate MagnaChip Corrente di dispersione del gate fabbrica

MDP1932 BVDSS Tensione di soglia del gate MagnaChip Corrente di dispersione del gate

	Immagine	parte #	Descrizione	fabbricante	Azione	RFQ
		MBQ40T120FESTH TO-247 40T120FES TO-247 Pb Rottura dell'emittente del collettore libero
		MDD1951RH Magnachip semiconduttore 2W 20V 3V 4.8nC@ 4.5V 60V 45mΩ@ 10V
		MDP1933TH Magnachip semiconduttore 157W 20V 4V 59.4nC@ 10V 80V
		MDS3603URH Magnachip Semiconductor 2.5W 25V 3V 0V 8.5mΩ@ 20V 1.788nF@ 15V
		MDD7N25RH Magnachip Semiconductor 56W 30V 5V 10V 250V 550mΩ@ 10V 370pF@ 25V DPAK
		MDP1932 BVDSS Tensione di soglia del gate MagnaChip Corrente di dispersione del gate

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