english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
Дом
продукты
производителей
О нас
Resources
Send RFQ
загрузка
Дом > продукты > Magnachip Semiconductor
Filters
Filters

аналоговые интегральные схемы

(90)

STMикроэлектронный чип

(12)

Альтера IC

(7)

Интегральная схемаа микросхемы

(17)

TE Connectivity Parts

(6)

Круговой разъем Molex

(6)

XILINX FPGA

(6)

Интегральная схемаа TI

(9)

Magnachip Semiconductor

(6)

Winbond Flash

(8)

Интегрированная схема NXP

(8)

RENESAS IC

(6)

Toshiba Electronics

(6)

НА полупроводнике Фэйрчайлде

(9)

Пекартная плата

(8)

Интегрированные цепи

(7372)

Magnachip Semiconductor

качество MBQ40T120FESTH TO-247 40T120FES TO-247 Pb Распределение свободного коллектора излучателя завод

MBQ40T120FESTH TO-247 40T120FES TO-247 Pb Распределение свободного коллектора излучателя
качество MDD1951RH Magnachip Semiconductor 2 Вт 20 В 3 В 4.8 нКл при 4.5 В 60 В 45 мОм при 10 В завод

MDD1951RH Magnachip Semiconductor 2 Вт 20 В 3 В 4.8 нКл при 4.5 В 60 В 45 мОм при 10 В
качество MDP1933TH магнитный микросхема полупроводник 157W 20V 4V 59.4nC@ 10V 80V завод

MDP1933TH магнитный микросхема полупроводник 157W 20V 4V 59.4nC@ 10V 80V
качество MDS3603URH Магнитный микросхема полупроводник 2.5W 25V 3V 0V 8.5mΩ@ 20V 1.788nF@ 15V завод

MDS3603URH Магнитный микросхема полупроводник 2.5W 25V 3V 0V 8.5mΩ@ 20V 1.788nF@ 15V
качество MDD7N25RH Magnachip Semiconductor 56W 30V 5V 10V 250V 550mΩ@ 10V 370pF@ 25V DPAK завод

MDD7N25RH Magnachip Semiconductor 56W 30V 5V 10V 250V 550mΩ@ 10V 370pF@ 25V DPAK
качество MDP1932 Пороговое напряжение BVDSS MagnaChip Gate Leakage Current завод

MDP1932 Пороговое напряжение BVDSS MagnaChip Gate Leakage Current
ImagePart #DescriptionпроизводительStockRFQ
качество MBQ40T120FESTH TO-247 40T120FES TO-247 Pb Распределение свободного коллектора излучателя завод

MBQ40T120FESTH TO-247 40T120FES TO-247 Pb Распределение свободного коллектора излучателя
качество MDD1951RH Magnachip Semiconductor 2 Вт 20 В 3 В 4.8 нКл при 4.5 В 60 В 45 мОм при 10 В завод

MDD1951RH Magnachip Semiconductor 2 Вт 20 В 3 В 4.8 нКл при 4.5 В 60 В 45 мОм при 10 В
качество MDP1933TH магнитный микросхема полупроводник 157W 20V 4V 59.4nC@ 10V 80V завод

MDP1933TH магнитный микросхема полупроводник 157W 20V 4V 59.4nC@ 10V 80V
качество MDS3603URH Магнитный микросхема полупроводник 2.5W 25V 3V 0V 8.5mΩ@ 20V 1.788nF@ 15V завод

MDS3603URH Магнитный микросхема полупроводник 2.5W 25V 3V 0V 8.5mΩ@ 20V 1.788nF@ 15V
качество MDD7N25RH Magnachip Semiconductor 56W 30V 5V 10V 250V 550mΩ@ 10V 370pF@ 25V DPAK завод

MDD7N25RH Magnachip Semiconductor 56W 30V 5V 10V 250V 550mΩ@ 10V 370pF@ 25V DPAK
качество MDP1932 Пороговое напряжение BVDSS MagnaChip Gate Leakage Current завод

MDP1932 Пороговое напряжение BVDSS MagnaChip Gate Leakage Current
1
wechat
Свяжитесь с нами
Адрес: Район Футянь, микрорайон Хуацян, Сад Хуацян, корпус A, комната 31C
E-mail: linwei@neochiphk.com
Телефон: 86--13048812093
продукты

аналоговые интегральные схемы

STMикроэлектронный чип

Альтера IC

Интегральная схемаа микросхемы

TE Connectivity Parts

Круговой разъем Molex

XILINX FPGA

Интегральная схемаа TI

Magnachip Semiconductor

Winbond Flash
О нас
О нас ISO Certificate Контроль качества Политика уединения Help Center
Политика уединения | Качество Китая хорошее аналоговые интегральные схемы Supplier. Copyright © 2025-2026 HK NeoChip Technology Limited . Все права защищены.