Интегрированные цепи

ИзображениеЧасть #ОписаниепроизводительЗапасRFQ
качество CL05B103KB5VPNC - это многослойный керамический конденсатор (MLCC) Samsung емкостью 10 нФ, допуском ±10%, диэлектриком X7R, номинальным напряжением 50 В, корпусом 0402, для развязки и фильтрации. завод

CL05B103KB5VPNC - это многослойный керамический конденсатор (MLCC) Samsung емкостью 10 нФ, допуском ±10%, диэлектриком X7R, номинальным напряжением 50 В, корпусом 0402, для развязки и фильтрации.

качество CL10B221KB8WPNC,Samsung MLCC автомобильного класса, 220pF, ±10% допуска, диэлектрик X7R, 50V, 0603 (1608) SMD, AEC-Q200, мягкое окончание, устойчивость к гибкости платы завод

CL10B221KB8WPNC,Samsung MLCC автомобильного класса, 220pF, ±10% допуска, диэлектрик X7R, 50V, 0603 (1608) SMD, AEC-Q200, мягкое окончание, устойчивость к гибкости платы

качество CL10C330JB81PNC — это многослойный керамический конденсатор (MLCC) Samsung емкостью 33 пФ, допуском ±5%, диэлектриком C0G, номинальным напряжением 50 В, корпусом 0603, для высокостабильных цепей. завод

CL10C330JB81PNC — это многослойный керамический конденсатор (MLCC) Samsung емкостью 33 пФ, допуском ±5%, диэлектриком C0G, номинальным напряжением 50 В, корпусом 0603, для высокостабильных цепей.

качество CL10C100JB81PNC - Samsung MLCC с 10pF, ±5% толерантностью, диэлектрикой C0G, номиналом 50 В, пакетом 0603, для высокостабильных схем. завод

CL10C100JB81PNC - Samsung MLCC с 10pF, ±5% толерантностью, диэлектрикой C0G, номиналом 50 В, пакетом 0603, для высокостабильных схем.

качество CL10C121JB81PNC, Samsung MLCC, 120 пФ, допуск ±5%, диэлектрик C0G (NP0), 50 В, SMD 0603 (1608), AEC-Q200, автомобильный класс. завод

CL10C121JB81PNC, Samsung MLCC, 120 пФ, допуск ±5%, диэлектрик C0G (NP0), 50 В, SMD 0603 (1608), AEC-Q200, автомобильный класс.

качество CL21B105KLFVPNE,Samsung MLCC, 1μF, ±10% толерантность, диэлектрик X7R, 35V, 0805 (2012) SMD пакет. завод

CL21B105KLFVPNE,Samsung MLCC, 1μF, ±10% толерантность, диэлектрик X7R, 35V, 0805 (2012) SMD пакет.

качество TDK MLG1005S1N5BTD25 — это высокочастотный керамический индуктор типоразмера 0402, 1,5 нГн ±0,1 нГн, номинальный ток 1 А, соответствует стандарту AEC-Q200, для ВЧ/автомобильных цепей. завод

TDK MLG1005S1N5BTD25 — это высокочастотный керамический индуктор типоразмера 0402, 1,5 нГн ±0,1 нГн, номинальный ток 1 А, соответствует стандарту AEC-Q200, для ВЧ/автомобильных цепей.

качество CL31B225KBHVPNE - Samsung MLCC, емкость 2,2μF, толерантность ±10%, диэлектрик X7R, 50V, пакет 0805, для разъединения и фильтрации. завод

CL31B225KBHVPNE - Samsung MLCC, емкость 2,2μF, толерантность ±10%, диэлектрик X7R, 50V, пакет 0805, для разъединения и фильтрации.

качество ACP3225-102-2P-T000 - это чип-фильтр общего режима с импеданцией 1000Ω, пакетом 3225, номинальным током 1,5 А, используемый для подавления EMI в электрических устройствах. завод

ACP3225-102-2P-T000 - это чип-фильтр общего режима с импеданцией 1000Ω, пакетом 3225, номинальным током 1,5 А, используемый для подавления EMI в электрических устройствах.

качество HHS-TAD2141BIDB-0010 представляет собой технологический датчик TMR 360°, TSSOP-16, цифровой выход, точность ±0,2°, 3.3V/5V, SPI/PWM/ENC/SENT, -40~+150°C. завод

HHS-TAD2141BIDB-0010 представляет собой технологический датчик TMR 360°, TSSOP-16, цифровой выход, точность ±0,2°, 3.3V/5V, SPI/PWM/ENC/SENT, -40~+150°C.

качество CL05C390JB51PNC — это MLCC от Samsung с ёмкостью 39 пФ, допуском ±5%, диэлектриком C0G, напряжением 50 В, корпусом 0402, для высокостабильных фильтрующих и резонансных цепей. завод

CL05C390JB51PNC — это MLCC от Samsung с ёмкостью 39 пФ, допуском ±5%, диэлектриком C0G, напряжением 50 В, корпусом 0402, для высокостабильных фильтрующих и резонансных цепей.

качество CL10B103KB85PNC - это чип-конденсатор Samsung MLCC с емкостью 10nF, толерантностью ±10%, диэлектрикой X7R, номиналом 50 В, пакетом 0603, подходящий для разъединения и фильтрации в электронных схемах. завод

CL10B103KB85PNC - это чип-конденсатор Samsung MLCC с емкостью 10nF, толерантностью ±10%, диэлектрикой X7R, номиналом 50 В, пакетом 0603, подходящий для разъединения и фильтрации в электронных схемах.

качество 20525-050E-02 представляет собой микрокоаксиальный разъем I-PEX с 50 булавами, диаметром 0,4 мм, прямоугольной конструкцией SMT, широко используемый для подключения сигналов дисплея в портативной электронике. завод

20525-050E-02 представляет собой микрокоаксиальный разъем I-PEX с 50 булавами, диаметром 0,4 мм, прямоугольной конструкцией SMT, широко используемый для подключения сигналов дисплея в портативной электронике.

качество 20729-030E-02 — это соединитель типа «плата-плата» I-PEX с 30 контактами, шагом 0,5 мм, угловой тип SMT, используемый для высокоскоростной передачи сигналов в дисплеях и портативных электронных устройствах. завод

20729-030E-02 — это соединитель типа «плата-плата» I-PEX с 30 контактами, шагом 0,5 мм, угловой тип SMT, используемый для высокоскоростной передачи сигналов в дисплеях и портативных электронных устройствах.

качество CL21Y475KABVPNE — это чип-конденсатор Samsung MLCC с емкостью 4,7 мкФ, допуском ±10%, диэлектриком X5R, номинальным напряжением 16 В, корпусом 0805, используемый для развязки и фильтрации в схемах. завод

CL21Y475KABVPNE — это чип-конденсатор Samsung MLCC с емкостью 4,7 мкФ, допуском ±10%, диэлектриком X5R, номинальным напряжением 16 В, корпусом 0805, используемый для развязки и фильтрации в схемах.

качество CL32Y106KBJ4PNE - это чип-конденсатор Samsung MLCC с емкостью 10μF, толерантностью ±10%, диэлектрикой X5R, номиналом 25 В, пакетом 1210, широко используемый для разъединения мощности и фильтрации. завод

CL32Y106KBJ4PNE - это чип-конденсатор Samsung MLCC с емкостью 10μF, толерантностью ±10%, диэлектрикой X5R, номиналом 25 В, пакетом 1210, широко используемый для разъединения мощности и фильтрации.

качество CL32Y226KAVVPNE - это чип-конденсатор Samsung MLCC с емкостью 22μF, толерантностью ±10%, диэлектрикой X5R, номиналом 25 В, пакет 1210, предназначенный для разъединения и фильтрации питания. завод

CL32Y226KAVVPNE - это чип-конденсатор Samsung MLCC с емкостью 22μF, толерантностью ±10%, диэлектрикой X5R, номиналом 25 В, пакет 1210, предназначенный для разъединения и фильтрации питания.

качество L10B104KC8VPNC — это чип-конденсатор Samsung MLCC с емкостью 100 нФ, допуском ±10%, диэлектриком X7R, номинальным напряжением 50 В, корпусом 0603, используемый для развязки и фильтрации в электронных схемах. завод

L10B104KC8VPNC — это чип-конденсатор Samsung MLCC с емкостью 100 нФ, допуском ±10%, диэлектриком X7R, номинальным напряжением 50 В, корпусом 0603, используемый для развязки и фильтрации в электронных схемах.

качество CL10B473KB8WPNC - это чип-конденсатор Samsung MLCC с емкостью 47nF, толерантностью ±10%, диэлектрикой X7R, номиналом 50 В, пакетом 0603, подходящий для разъединения и фильтрации сигнала. завод

CL10B473KB8WPNC - это чип-конденсатор Samsung MLCC с емкостью 47nF, толерантностью ±10%, диэлектрикой X7R, номиналом 50 В, пакетом 0603, подходящий для разъединения и фильтрации сигнала.

качество CL10B224KB8VPJC — это керамический конденсатор Samsung MLCC с емкостью 220 нФ, допуском ±10%, диэлектриком X7R, номинальным напряжением 50 В, корпусом 0603, широко применяемый для развязки и фильтрации цепей. завод

CL10B224KB8VPJC — это керамический конденсатор Samsung MLCC с емкостью 220 нФ, допуском ±10%, диэлектриком X7R, номинальным напряжением 50 В, корпусом 0603, широко применяемый для развязки и фильтрации цепей.

качество CL21B105KAFVPNE - это керамический конденсатор Samsung MLCC с емкостью 1 мкФ, допуском ±10%, диэлектриком X7R, номинальным напряжением 50 В, корпусом 0805, идеально подходящий для развязки и фильтрации завод

CL21B105KAFVPNE - это керамический конденсатор Samsung MLCC с емкостью 1 мкФ, допуском ±10%, диэлектриком X7R, номинальным напряжением 50 В, корпусом 0805, идеально подходящий для развязки и фильтрации

качество CL21B475KPQVPNE - это чип-конденсатор Samsung MLCC с 4,7μF, толерантностью ±10%, диэлектрикой X7R, номиналом 50 В, пакетом 0805, широко используемый для разъединения и фильтрации в схемах. завод

CL21B475KPQVPNE - это чип-конденсатор Samsung MLCC с 4,7μF, толерантностью ±10%, диэлектрикой X7R, номиналом 50 В, пакетом 0805, широко используемый для разъединения и фильтрации в схемах.

качество CL21Y105KCYVPNE,MLCC, 1μF, ±10%, X5R, 50V, 0805, промышленный класс Samsung завод

CL21Y105KCYVPNE,MLCC, 1μF, ±10%, X5R, 50V, 0805, промышленный класс Samsung

качество Samsung automotive MLCC, 10nF (0,01μF) ±10%, 100V, X7R, 0805, AEC‐Q200, мягкое окончание, для автомобильной фильтрации питания, разъединения, сцепления сигнала завод

Samsung automotive MLCC, 10nF (0,01μF) ±10%, 100V, X7R, 0805, AEC‐Q200, мягкое окончание, для автомобильной фильтрации питания, разъединения, сцепления сигнала

качество TDK-Lambda single-phase EMI filter, 250VAC/3A, low leakage, two-stage, screw terminals, UL/CSA/EN certified, for industrial/medical/industrial control noise suppression (промышленное/медицинское/промышленное управление шумами) завод

TDK-Lambda single-phase EMI filter, 250VAC/3A, low leakage, two-stage, screw terminals, UL/CSA/EN certified, for industrial/medical/industrial control noise suppression (промышленное/медицинское/промышленное управление шумами)

качество TDK автомобильный защищенный индуктор питания, 10μH ± 20%, пакет 6045, AEC-Q200, 3.4A Irms, 3.9A Isat, для автомобильной ECM/ABS/мощности завод

TDK автомобильный защищенный индуктор питания, 10μH ± 20%, пакет 6045, AEC-Q200, 3.4A Irms, 3.9A Isat, для автомобильной ECM/ABS/мощности

качество SPM5030VT-2R2M-D — это экранированный силовой индуктор автомобильного класса с индуктивностью 2,2 мкГн, допуском ±20%, сертифицированный по AEC-Q200 для автомобильных силовых цепей завод

SPM5030VT-2R2M-D — это экранированный силовой индуктор автомобильного класса с индуктивностью 2,2 мкГн, допуском ±20%, сертифицированный по AEC-Q200 для автомобильных силовых цепей

качество Индуктор мощности SMD для автомобилей серии TDK ADL-V AEC-Q200, 47μH, ±20%, 1210 (3225) пакет, феррит, для автомобильной фильтрации PoC/сигнала/мощности завод

Индуктор мощности SMD для автомобилей серии TDK ADL-V AEC-Q200, 47μH, ±20%, 1210 (3225) пакет, феррит, для автомобильной фильтрации PoC/сигнала/мощности

качество Керамический дисковый конденсатор серии TDK CS с сертификатом безопасности (Y1/X1), 68 пФ, ±5%, 400 В переменного тока (Y1)/440 В переменного тока (X1), диэлектрик SL, радиальные выводы, без галогенов, для фильтрации электромагнитных помех в импульсных источниках питания завод

Керамический дисковый конденсатор серии TDK CS с сертификатом безопасности (Y1/X1), 68 пФ, ±5%, 400 В переменного тока (Y1)/440 В переменного тока (X1), диэлектрик SL, радиальные выводы, без галогенов, для фильтрации электромагнитных помех в импульсных источниках питания

качество I-PEX MINIFLEX® 5-BFN II 8Pin FPC/FFC SMT разъем 0,5 мм, заднее блокирование, горизонтальное соединение, низкий профиль (1,0 мм), температура 125 °C, для 0,3 мм FPC/FFC. завод

I-PEX MINIFLEX® 5-BFN II 8Pin FPC/FFC SMT разъем 0,5 мм, заднее блокирование, горизонтальное соединение, низкий профиль (1,0 мм), температура 125 °C, для 0,3 мм FPC/FFC.

качество Разъем I-PEX FPC/FFC, 60 контактов, шаг 0,4 мм, ZIF с откидным замком, нижний контакт, позолоченный, для интерфейсов LVDS/дисплея. завод

Разъем I-PEX FPC/FFC, 60 контактов, шаг 0,4 мм, ZIF с откидным замком, нижний контакт, позолоченный, для интерфейсов LVDS/дисплея.

качество CL10C221JC81PNC — это чиповый MLCC-конденсатор емкостью 220 пФ, с допуском ±5%, на напряжение 50 В, с диэлектриком C0G, предназначенный для высокочастотной фильтрации и резонанса. завод

CL10C221JC81PNC — это чиповый MLCC-конденсатор емкостью 220 пФ, с допуском ±5%, на напряжение 50 В, с диэлектриком C0G, предназначенный для высокочастотной фильтрации и резонанса.

качество CL10B104KA8WPNC представляет собой чип MLCC с 0,1μF, ±10% толерантностью, номиналом 25В и диэлектрикой X7R, используемый для фильтрации в потребительской электронике. завод

CL10B104KA8WPNC представляет собой чип MLCC с 0,1μF, ±10% толерантностью, номиналом 25В и диэлектрикой X7R, используемый для фильтрации в потребительской электронике.

качество TDK-Lambda 3-фазный EMI-фильтр, 500VAC/DC, 6A, одноступенчатый, установка на шасси, конечный блок, -25~+85°C завод

TDK-Lambda 3-фазный EMI-фильтр, 500VAC/DC, 6A, одноступенчатый, установка на шасси, конечный блок, -25~+85°C

качество TDK-Lambda 100W AC-DC питание, 24V/4.5A, 85-265VAC вход, 89% эффективность, 160.5×33.5×83 мм. завод

TDK-Lambda 100W AC-DC питание, 24V/4.5A, 85-265VAC вход, 89% эффективность, 160.5×33.5×83 мм.

качество TDK автомобильный MLCC, 0805, 1000pF (1nF), X7R, ±10%, 250В, AEC-Q200. завод

TDK автомобильный MLCC, 0805, 1000pF (1nF), X7R, ±10%, 250В, AEC-Q200.

качество TDK автомобильный защищенный силовой индуктор, 22μH, ±20%, AEC-Q200, 10,7×10×5,4 мм, 57mΩ DCR, 5A Isat, -40~125°C. завод

TDK автомобильный защищенный силовой индуктор, 22μH, ±20%, AEC-Q200, 10,7×10×5,4 мм, 57mΩ DCR, 5A Isat, -40~125°C.

качество SPM10065VT-220M-D — это автомобильный экранированный силовой индуктор с индуктивностью 22 мкГн, допуском ±20%, сертификацией AEC-Q200, идеально подходящий для автомобильных силовых цепей. завод

SPM10065VT-220M-D — это автомобильный экранированный силовой индуктор с индуктивностью 22 мкГн, допуском ±20%, сертификацией AEC-Q200, идеально подходящий для автомобильных силовых цепей.

качество CL10C6R8DB81PNC — это чип MLCC емкостью 6,8 пФ с допуском ±0,25 пФ, номинальным напряжением 50 В и диэлектриком C0G, идеально подходящий для высокочастотных и резонансных цепей. завод

CL10C6R8DB81PNC — это чип MLCC емкостью 6,8 пФ с допуском ±0,25 пФ, номинальным напряжением 50 В и диэлектриком C0G, идеально подходящий для высокочастотных и резонансных цепей.

качество CL21B225KAFVPNE — многослойный керамический конденсатор емкостью 2,2 мкФ, допуском ±10%, номинальным напряжением 50 В и диэлектриком X7R, широко используемый в потребительских электронных схемах. завод

CL21B225KAFVPNE — многослойный керамический конденсатор емкостью 2,2 мкФ, допуском ±10%, номинальным напряжением 50 В и диэлектриком X7R, широко используемый в потребительских электронных схемах.

качество CL31B475KBHVPNE — это чип MLCC емкостью 4,7 мкФ, с допуском ±10%, напряжением 50 В и диэлектриком X7R. Он широко используется в потребительской электронике для фильтрации и связи. завод

CL31B475KBHVPNE — это чип MLCC емкостью 4,7 мкФ, с допуском ±10%, напряжением 50 В и диэлектриком X7R. Он широко используется в потребительской электронике для фильтрации и связи.

качество CL31B475KOHVPNE - чип MLCC с емкостью 4,7μF, толерантностью ±10%, номиналом 16V и диэлектрикой X5R, подходящий для потребительской электроники и фильтрации мощности завод

CL31B475KOHVPNE - чип MLCC с емкостью 4,7μF, толерантностью ±10%, номиналом 16V и диэлектрикой X5R, подходящий для потребительской электроники и фильтрации мощности

качество CL32B106KAJ4PNE представляет собой MLCC автомобильного класса с 10μF, ±10% толерантностью, номиналом 25В и диэлектриком X7R, идеально подходящий для автомобильных электронных схем. завод

CL32B106KAJ4PNE представляет собой MLCC автомобильного класса с 10μF, ±10% толерантностью, номиналом 25В и диэлектриком X7R, идеально подходящий для автомобильных электронных схем.

качество CL32B475KBJVPNE - это MLCC автомобильного класса с емкостью 4,7μF, толерантностью ±10%, номиналом 50 В и диэлектриком X7R, широко используемый для фильтрации и сцепления в автомобильных и промышленных схемах. завод

CL32B475KBJVPNE - это MLCC автомобильного класса с емкостью 4,7μF, толерантностью ±10%, номиналом 50 В и диэлектриком X7R, широко используемый для фильтрации и сцепления в автомобильных и промышленных схемах.

качество NET2272REV1A-LF NET2272REV1A-BC F NET2272PCI-RDK NET2272 NET2280 Микросхемы USB завод

NET2272REV1A-LF NET2272REV1A-BC F NET2272PCI-RDK NET2272 NET2280 Микросхемы USB

NET2272. Локальная шина — USB 2.0. Микросхемы контроллера высокоскоростных периферийных устройств дл
в наличии
качество TLE4966L Датчик Холла, 10 мА, биполярный автомобильный, 4966B TLE4966LHALA1 завод

TLE4966L Датчик Холла, 10 мА, биполярный автомобильный, 4966B TLE4966LHALA1

4966B 3,3 В/5 В/9 В/12 В/15 В AEC-Q100 SSO4 автомобильный датчик обнаружения скорости Датчик магнитн
в наличии
качество K4A8G085WG-BCWE K4A8G085WG-BCWE000 K4A4G085WE-BCRC K4A4G085WE-BCPB K4A4G085WE-BCTD K4A4G085WE-BITD K4A4G085WF-BCTD K4A4G085WF-BITD завод

K4A8G085WG-BCWE K4A8G085WG-BCWE000 K4A4G085WE-BCRC K4A4G085WE-BCPB K4A4G085WE-BCTD K4A4G085WE-BITD K4A4G085WF-BCTD K4A4G085WF-BITD

K4A8G085WG ИС флэш-памяти Samsung K4A8G085WG-BCWE
в наличии
качество FC51L04SMSA FC51L04SFSA(2A) FC51L04SFSSA (2AF) FC51L08SFY3A FC51L08SFSA (2A) FC51J32SJTS2A (2D) FC51E64SBTS2A (2A) завод

FC51L04SMSA FC51L04SFSA(2A) FC51L04SFSSA (2AF) FC51L08SFY3A FC51L08SFSA (2A) FC51J32SJTS2A (2D) FC51E64SBTS2A (2A)

FC51L04SFSA 2D MLC eMMC5.1 200 МГц 153BGA ИС памяти eMCC FC51L04SFSAXSA1-2.58WE
в наличии
качество FM73E885CQPB(2R) FM73E885CQP1B (2R) FM73E3285CRTP1B(2R EPOP завод

FM73E885CQPB(2R) FM73E885CQP1B (2R) FM73E3285CRTP1B(2R EPOP

FM73E885CQP1B HS400 800/933 МГц 136BGA 8 ГБ eMMC+8 ГБ LPDDR3 или 32 ГБ eMMC+8 ГБ LPDDR3 EPOP FM73E32
в наличии
качество RPC8211FS RPC8211FSI RTL8211FS RTL8211F RTL8211FP RTL8211FD YT8531C YT8531DC YT8531P YT8531SC YT8521SC завод

RPC8211FS RPC8211FSI RTL8211FS RTL8211F RTL8211FP RTL8211FD YT8531C YT8531DC YT8531P YT8531SC YT8521SC

Высокоинтегрированная микросхема приемопередатчика Ethernet Gigabit PHY RPCOM
в наличии
1 2 3 4 5