english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
Дом
Продукты
Производители
О нас
Ресурсы
Отправьте RFQ
загрузка
Дом > Продукты > Интегрированные цепи
Фильтры
Фильтры

аналоговые интегральные схемы

(140)

STMикроэлектронный чип

(12)

Альтера IC

(7)

Интегральная схемаа микросхемы

(17)

TE Connectivity Parts

(6)

Круговой разъем Molex

(6)

XILINX FPGA

(6)

Интегральная схемаа TI

(9)

Magnachip Semiconductor

(6)

Winbond Flash

(8)

Интегрированная схема NXP

(8)

RENESAS IC

(6)

Toshiba Electronics

(6)

НА полупроводнике Фэйрчайлде

(9)

Пекартная плата

(8)

Интегрированные цепи

(7417)

Интегрированные цепи

Качество SM-KST-X06-V6.0 KST Аналоговый сервопривод с высоким напряжением (3.8V-8.4V), отвержденным стальным редуктором и корпусом из 7075 алюминиевого сплава Фабрика

SM-KST-X06-V6.0 KST Аналоговый сервопривод с высоким напряжением (3.8V-8.4V), отвержденным стальным редуктором и корпусом из 7075 алюминиевого сплава
Качество CL05B103KB5VPNC - это многослойный керамический конденсатор (MLCC) Samsung емкостью 10 нФ, допуском ±10%, диэлектриком X7R, номинальным напряжением 50 В, корпусом 0402, для развязки и фильтрации. Фабрика

CL05B103KB5VPNC - это многослойный керамический конденсатор (MLCC) Samsung емкостью 10 нФ, допуском ±10%, диэлектриком X7R, номинальным напряжением 50 В, корпусом 0402, для развязки и фильтрации.
Качество CL10B221KB8WPNC,Samsung MLCC автомобильного класса, 220pF, ±10% допуска, диэлектрик X7R, 50V, 0603 (1608) SMD, AEC-Q200, мягкое окончание, устойчивость к гибкости платы Фабрика

CL10B221KB8WPNC,Samsung MLCC автомобильного класса, 220pF, ±10% допуска, диэлектрик X7R, 50V, 0603 (1608) SMD, AEC-Q200, мягкое окончание, устойчивость к гибкости платы
Качество CL10C330JB81PNC — это многослойный керамический конденсатор (MLCC) Samsung емкостью 33 пФ, допуском ±5%, диэлектриком C0G, номинальным напряжением 50 В, корпусом 0603, для высокостабильных цепей. Фабрика

CL10C330JB81PNC — это многослойный керамический конденсатор (MLCC) Samsung емкостью 33 пФ, допуском ±5%, диэлектриком C0G, номинальным напряжением 50 В, корпусом 0603, для высокостабильных цепей.
Качество CL10C100JB81PNC - Samsung MLCC с 10pF, ±5% толерантностью, диэлектрикой C0G, номиналом 50 В, пакетом 0603, для высокостабильных схем. Фабрика

CL10C100JB81PNC - Samsung MLCC с 10pF, ±5% толерантностью, диэлектрикой C0G, номиналом 50 В, пакетом 0603, для высокостабильных схем.
Качество CL10C121JB81PNC, Samsung MLCC, 120 пФ, допуск ±5%, диэлектрик C0G (NP0), 50 В, SMD 0603 (1608), AEC-Q200, автомобильный класс. Фабрика

CL10C121JB81PNC, Samsung MLCC, 120 пФ, допуск ±5%, диэлектрик C0G (NP0), 50 В, SMD 0603 (1608), AEC-Q200, автомобильный класс.
Качество CL21B105KLFVPNE,Samsung MLCC, 1μF, ±10% толерантность, диэлектрик X7R, 35V, 0805 (2012) SMD пакет. Фабрика

CL21B105KLFVPNE,Samsung MLCC, 1μF, ±10% толерантность, диэлектрик X7R, 35V, 0805 (2012) SMD пакет.
Качество TDK MLG1005S1N5BTD25 — это высокочастотный керамический индуктор типоразмера 0402, 1,5 нГн ±0,1 нГн, номинальный ток 1 А, соответствует стандарту AEC-Q200, для ВЧ/автомобильных цепей. Фабрика

TDK MLG1005S1N5BTD25 — это высокочастотный керамический индуктор типоразмера 0402, 1,5 нГн ±0,1 нГн, номинальный ток 1 А, соответствует стандарту AEC-Q200, для ВЧ/автомобильных цепей.
Качество CL31B225KBHVPNE - Samsung MLCC, емкость 2,2μF, толерантность ±10%, диэлектрик X7R, 50V, пакет 0805, для разъединения и фильтрации. Фабрика

CL31B225KBHVPNE - Samsung MLCC, емкость 2,2μF, толерантность ±10%, диэлектрик X7R, 50V, пакет 0805, для разъединения и фильтрации.
Качество ACP3225-102-2P-T000 - это чип-фильтр общего режима с импеданцией 1000Ω, пакетом 3225, номинальным током 1,5 А, используемый для подавления EMI в электрических устройствах. Фабрика

ACP3225-102-2P-T000 - это чип-фильтр общего режима с импеданцией 1000Ω, пакетом 3225, номинальным током 1,5 А, используемый для подавления EMI в электрических устройствах.
ИзображениеЧасть #ОписаниеПроизводительЗапасRFQ
Качество SM-KST-X06-V6.0 KST Аналоговый сервопривод с высоким напряжением (3.8V-8.4V), отвержденным стальным редуктором и корпусом из 7075 алюминиевого сплава Фабрика

SM-KST-X06-V6.0 KST Аналоговый сервопривод с высоким напряжением (3.8V-8.4V), отвержденным стальным редуктором и корпусом из 7075 алюминиевого сплава
Качество CL05B103KB5VPNC - это многослойный керамический конденсатор (MLCC) Samsung емкостью 10 нФ, допуском ±10%, диэлектриком X7R, номинальным напряжением 50 В, корпусом 0402, для развязки и фильтрации. Фабрика

CL05B103KB5VPNC - это многослойный керамический конденсатор (MLCC) Samsung емкостью 10 нФ, допуском ±10%, диэлектриком X7R, номинальным напряжением 50 В, корпусом 0402, для развязки и фильтрации.
Качество CL10B221KB8WPNC,Samsung MLCC автомобильного класса, 220pF, ±10% допуска, диэлектрик X7R, 50V, 0603 (1608) SMD, AEC-Q200, мягкое окончание, устойчивость к гибкости платы Фабрика

CL10B221KB8WPNC,Samsung MLCC автомобильного класса, 220pF, ±10% допуска, диэлектрик X7R, 50V, 0603 (1608) SMD, AEC-Q200, мягкое окончание, устойчивость к гибкости платы
Качество CL10C330JB81PNC — это многослойный керамический конденсатор (MLCC) Samsung емкостью 33 пФ, допуском ±5%, диэлектриком C0G, номинальным напряжением 50 В, корпусом 0603, для высокостабильных цепей. Фабрика

CL10C330JB81PNC — это многослойный керамический конденсатор (MLCC) Samsung емкостью 33 пФ, допуском ±5%, диэлектриком C0G, номинальным напряжением 50 В, корпусом 0603, для высокостабильных цепей.
Качество CL10C100JB81PNC - Samsung MLCC с 10pF, ±5% толерантностью, диэлектрикой C0G, номиналом 50 В, пакетом 0603, для высокостабильных схем. Фабрика

CL10C100JB81PNC - Samsung MLCC с 10pF, ±5% толерантностью, диэлектрикой C0G, номиналом 50 В, пакетом 0603, для высокостабильных схем.
Качество CL10C121JB81PNC, Samsung MLCC, 120 пФ, допуск ±5%, диэлектрик C0G (NP0), 50 В, SMD 0603 (1608), AEC-Q200, автомобильный класс. Фабрика

CL10C121JB81PNC, Samsung MLCC, 120 пФ, допуск ±5%, диэлектрик C0G (NP0), 50 В, SMD 0603 (1608), AEC-Q200, автомобильный класс.
Качество CL21B105KLFVPNE,Samsung MLCC, 1μF, ±10% толерантность, диэлектрик X7R, 35V, 0805 (2012) SMD пакет. Фабрика

CL21B105KLFVPNE,Samsung MLCC, 1μF, ±10% толерантность, диэлектрик X7R, 35V, 0805 (2012) SMD пакет.
Качество TDK MLG1005S1N5BTD25 — это высокочастотный керамический индуктор типоразмера 0402, 1,5 нГн ±0,1 нГн, номинальный ток 1 А, соответствует стандарту AEC-Q200, для ВЧ/автомобильных цепей. Фабрика

TDK MLG1005S1N5BTD25 — это высокочастотный керамический индуктор типоразмера 0402, 1,5 нГн ±0,1 нГн, номинальный ток 1 А, соответствует стандарту AEC-Q200, для ВЧ/автомобильных цепей.
Качество CL31B225KBHVPNE - Samsung MLCC, емкость 2,2μF, толерантность ±10%, диэлектрик X7R, 50V, пакет 0805, для разъединения и фильтрации. Фабрика

CL31B225KBHVPNE - Samsung MLCC, емкость 2,2μF, толерантность ±10%, диэлектрик X7R, 50V, пакет 0805, для разъединения и фильтрации.
Качество ACP3225-102-2P-T000 - это чип-фильтр общего режима с импеданцией 1000Ω, пакетом 3225, номинальным током 1,5 А, используемый для подавления EMI в электрических устройствах. Фабрика

ACP3225-102-2P-T000 - это чип-фильтр общего режима с импеданцией 1000Ω, пакетом 3225, номинальным током 1,5 А, используемый для подавления EMI в электрических устройствах.
Качество HHS-TAD2141BIDB-0010 представляет собой технологический датчик TMR 360°, TSSOP-16, цифровой выход, точность ±0,2°, 3.3V/5V, SPI/PWM/ENC/SENT, -40~+150°C. Фабрика

HHS-TAD2141BIDB-0010 представляет собой технологический датчик TMR 360°, TSSOP-16, цифровой выход, точность ±0,2°, 3.3V/5V, SPI/PWM/ENC/SENT, -40~+150°C.
Качество CL05C390JB51PNC — это MLCC от Samsung с ёмкостью 39 пФ, допуском ±5%, диэлектриком C0G, напряжением 50 В, корпусом 0402, для высокостабильных фильтрующих и резонансных цепей. Фабрика

CL05C390JB51PNC — это MLCC от Samsung с ёмкостью 39 пФ, допуском ±5%, диэлектриком C0G, напряжением 50 В, корпусом 0402, для высокостабильных фильтрующих и резонансных цепей.
Качество CL10B103KB85PNC - это чип-конденсатор Samsung MLCC с емкостью 10nF, толерантностью ±10%, диэлектрикой X7R, номиналом 50 В, пакетом 0603, подходящий для разъединения и фильтрации в электронных схемах. Фабрика

CL10B103KB85PNC - это чип-конденсатор Samsung MLCC с емкостью 10nF, толерантностью ±10%, диэлектрикой X7R, номиналом 50 В, пакетом 0603, подходящий для разъединения и фильтрации в электронных схемах.
Качество 20525-050E-02 представляет собой микрокоаксиальный разъем I-PEX с 50 булавами, диаметром 0,4 мм, прямоугольной конструкцией SMT, широко используемый для подключения сигналов дисплея в портативной электронике. Фабрика

20525-050E-02 представляет собой микрокоаксиальный разъем I-PEX с 50 булавами, диаметром 0,4 мм, прямоугольной конструкцией SMT, широко используемый для подключения сигналов дисплея в портативной электронике.
Качество 20729-030E-02 — это соединитель типа «плата-плата» I-PEX с 30 контактами, шагом 0,5 мм, угловой тип SMT, используемый для высокоскоростной передачи сигналов в дисплеях и портативных электронных устройствах. Фабрика

20729-030E-02 — это соединитель типа «плата-плата» I-PEX с 30 контактами, шагом 0,5 мм, угловой тип SMT, используемый для высокоскоростной передачи сигналов в дисплеях и портативных электронных устройствах.
Качество CL21Y475KABVPNE — это чип-конденсатор Samsung MLCC с емкостью 4,7 мкФ, допуском ±10%, диэлектриком X5R, номинальным напряжением 16 В, корпусом 0805, используемый для развязки и фильтрации в схемах. Фабрика

CL21Y475KABVPNE — это чип-конденсатор Samsung MLCC с емкостью 4,7 мкФ, допуском ±10%, диэлектриком X5R, номинальным напряжением 16 В, корпусом 0805, используемый для развязки и фильтрации в схемах.
Качество CL32Y106KBJ4PNE - это чип-конденсатор Samsung MLCC с емкостью 10μF, толерантностью ±10%, диэлектрикой X5R, номиналом 25 В, пакетом 1210, широко используемый для разъединения мощности и фильтрации. Фабрика

CL32Y106KBJ4PNE - это чип-конденсатор Samsung MLCC с емкостью 10μF, толерантностью ±10%, диэлектрикой X5R, номиналом 25 В, пакетом 1210, широко используемый для разъединения мощности и фильтрации.
Качество CL32Y226KAVVPNE - это чип-конденсатор Samsung MLCC с емкостью 22μF, толерантностью ±10%, диэлектрикой X5R, номиналом 25 В, пакет 1210, предназначенный для разъединения и фильтрации питания. Фабрика

CL32Y226KAVVPNE - это чип-конденсатор Samsung MLCC с емкостью 22μF, толерантностью ±10%, диэлектрикой X5R, номиналом 25 В, пакет 1210, предназначенный для разъединения и фильтрации питания.
Качество L10B104KC8VPNC — это чип-конденсатор Samsung MLCC с емкостью 100 нФ, допуском ±10%, диэлектриком X7R, номинальным напряжением 50 В, корпусом 0603, используемый для развязки и фильтрации в электронных схемах. Фабрика

L10B104KC8VPNC — это чип-конденсатор Samsung MLCC с емкостью 100 нФ, допуском ±10%, диэлектриком X7R, номинальным напряжением 50 В, корпусом 0603, используемый для развязки и фильтрации в электронных схемах.
Качество CL10B473KB8WPNC - это чип-конденсатор Samsung MLCC с емкостью 47nF, толерантностью ±10%, диэлектрикой X7R, номиналом 50 В, пакетом 0603, подходящий для разъединения и фильтрации сигнала. Фабрика

CL10B473KB8WPNC - это чип-конденсатор Samsung MLCC с емкостью 47nF, толерантностью ±10%, диэлектрикой X7R, номиналом 50 В, пакетом 0603, подходящий для разъединения и фильтрации сигнала.
Качество CL10B224KB8VPJC — это керамический конденсатор Samsung MLCC с емкостью 220 нФ, допуском ±10%, диэлектриком X7R, номинальным напряжением 50 В, корпусом 0603, широко применяемый для развязки и фильтрации цепей. Фабрика

CL10B224KB8VPJC — это керамический конденсатор Samsung MLCC с емкостью 220 нФ, допуском ±10%, диэлектриком X7R, номинальным напряжением 50 В, корпусом 0603, широко применяемый для развязки и фильтрации цепей.
Качество CL21B105KAFVPNE - это керамический конденсатор Samsung MLCC с емкостью 1 мкФ, допуском ±10%, диэлектриком X7R, номинальным напряжением 50 В, корпусом 0805, идеально подходящий для развязки и фильтрации Фабрика

CL21B105KAFVPNE - это керамический конденсатор Samsung MLCC с емкостью 1 мкФ, допуском ±10%, диэлектриком X7R, номинальным напряжением 50 В, корпусом 0805, идеально подходящий для развязки и фильтрации
Качество CL21B475KPQVPNE - это чип-конденсатор Samsung MLCC с 4,7μF, толерантностью ±10%, диэлектрикой X7R, номиналом 50 В, пакетом 0805, широко используемый для разъединения и фильтрации в схемах. Фабрика

CL21B475KPQVPNE - это чип-конденсатор Samsung MLCC с 4,7μF, толерантностью ±10%, диэлектрикой X7R, номиналом 50 В, пакетом 0805, широко используемый для разъединения и фильтрации в схемах.
Качество CL21Y105KCYVPNE,MLCC, 1μF, ±10%, X5R, 50V, 0805, промышленный класс Samsung Фабрика

CL21Y105KCYVPNE,MLCC, 1μF, ±10%, X5R, 50V, 0805, промышленный класс Samsung
Качество Samsung automotive MLCC, 10nF (0,01μF) ±10%, 100V, X7R, 0805, AEC‐Q200, мягкое окончание, для автомобильной фильтрации питания, разъединения, сцепления сигнала Фабрика

Samsung automotive MLCC, 10nF (0,01μF) ±10%, 100V, X7R, 0805, AEC‐Q200, мягкое окончание, для автомобильной фильтрации питания, разъединения, сцепления сигнала
Качество TDK-Lambda single-phase EMI filter, 250VAC/3A, low leakage, two-stage, screw terminals, UL/CSA/EN certified, for industrial/medical/industrial control noise suppression (промышленное/медицинское/промышленное управление шумами) Фабрика

TDK-Lambda single-phase EMI filter, 250VAC/3A, low leakage, two-stage, screw terminals, UL/CSA/EN certified, for industrial/medical/industrial control noise suppression (промышленное/медицинское/промышленное управление шумами)
Качество TDK автомобильный защищенный индуктор питания, 10μH ± 20%, пакет 6045, AEC-Q200, 3.4A Irms, 3.9A Isat, для автомобильной ECM/ABS/мощности Фабрика

TDK автомобильный защищенный индуктор питания, 10μH ± 20%, пакет 6045, AEC-Q200, 3.4A Irms, 3.9A Isat, для автомобильной ECM/ABS/мощности
Качество SPM5030VT-2R2M-D — это экранированный силовой индуктор автомобильного класса с индуктивностью 2,2 мкГн, допуском ±20%, сертифицированный по AEC-Q200 для автомобильных силовых цепей Фабрика

SPM5030VT-2R2M-D — это экранированный силовой индуктор автомобильного класса с индуктивностью 2,2 мкГн, допуском ±20%, сертифицированный по AEC-Q200 для автомобильных силовых цепей
Качество Индуктор мощности SMD для автомобилей серии TDK ADL-V AEC-Q200, 47μH, ±20%, 1210 (3225) пакет, феррит, для автомобильной фильтрации PoC/сигнала/мощности Фабрика

Индуктор мощности SMD для автомобилей серии TDK ADL-V AEC-Q200, 47μH, ±20%, 1210 (3225) пакет, феррит, для автомобильной фильтрации PoC/сигнала/мощности
Качество Керамический дисковый конденсатор серии TDK CS с сертификатом безопасности (Y1/X1), 68 пФ, ±5%, 400 В переменного тока (Y1)/440 В переменного тока (X1), диэлектрик SL, радиальные выводы, без галогенов, для фильтрации электромагнитных помех в импульсных источниках питания Фабрика

Керамический дисковый конденсатор серии TDK CS с сертификатом безопасности (Y1/X1), 68 пФ, ±5%, 400 В переменного тока (Y1)/440 В переменного тока (X1), диэлектрик SL, радиальные выводы, без галогенов, для фильтрации электромагнитных помех в импульсных источниках питания
Качество I-PEX MINIFLEX® 5-BFN II 8Pin FPC/FFC SMT разъем 0,5 мм, заднее блокирование, горизонтальное соединение, низкий профиль (1,0 мм), температура 125 °C, для 0,3 мм FPC/FFC. Фабрика

I-PEX MINIFLEX® 5-BFN II 8Pin FPC/FFC SMT разъем 0,5 мм, заднее блокирование, горизонтальное соединение, низкий профиль (1,0 мм), температура 125 °C, для 0,3 мм FPC/FFC.
Качество Разъем I-PEX FPC/FFC, 60 контактов, шаг 0,4 мм, ZIF с откидным замком, нижний контакт, позолоченный, для интерфейсов LVDS/дисплея. Фабрика

Разъем I-PEX FPC/FFC, 60 контактов, шаг 0,4 мм, ZIF с откидным замком, нижний контакт, позолоченный, для интерфейсов LVDS/дисплея.
Качество CL10C221JC81PNC — это чиповый MLCC-конденсатор емкостью 220 пФ, с допуском ±5%, на напряжение 50 В, с диэлектриком C0G, предназначенный для высокочастотной фильтрации и резонанса. Фабрика

CL10C221JC81PNC — это чиповый MLCC-конденсатор емкостью 220 пФ, с допуском ±5%, на напряжение 50 В, с диэлектриком C0G, предназначенный для высокочастотной фильтрации и резонанса.
Качество CL10B104KA8WPNC представляет собой чип MLCC с 0,1μF, ±10% толерантностью, номиналом 25В и диэлектрикой X7R, используемый для фильтрации в потребительской электронике. Фабрика

CL10B104KA8WPNC представляет собой чип MLCC с 0,1μF, ±10% толерантностью, номиналом 25В и диэлектрикой X7R, используемый для фильтрации в потребительской электронике.
Качество TDK-Lambda 3-фазный EMI-фильтр, 500VAC/DC, 6A, одноступенчатый, установка на шасси, конечный блок, -25~+85°C Фабрика

TDK-Lambda 3-фазный EMI-фильтр, 500VAC/DC, 6A, одноступенчатый, установка на шасси, конечный блок, -25~+85°C
Качество TDK-Lambda 100W AC-DC питание, 24V/4.5A, 85-265VAC вход, 89% эффективность, 160.5×33.5×83 мм. Фабрика

TDK-Lambda 100W AC-DC питание, 24V/4.5A, 85-265VAC вход, 89% эффективность, 160.5×33.5×83 мм.
Качество TDK автомобильный MLCC, 0805, 1000pF (1nF), X7R, ±10%, 250В, AEC-Q200. Фабрика

TDK автомобильный MLCC, 0805, 1000pF (1nF), X7R, ±10%, 250В, AEC-Q200.
Качество TDK автомобильный защищенный силовой индуктор, 22μH, ±20%, AEC-Q200, 10,7×10×5,4 мм, 57mΩ DCR, 5A Isat, -40~125°C. Фабрика

TDK автомобильный защищенный силовой индуктор, 22μH, ±20%, AEC-Q200, 10,7×10×5,4 мм, 57mΩ DCR, 5A Isat, -40~125°C.
Качество SPM10065VT-220M-D — это автомобильный экранированный силовой индуктор с индуктивностью 22 мкГн, допуском ±20%, сертификацией AEC-Q200, идеально подходящий для автомобильных силовых цепей. Фабрика

SPM10065VT-220M-D — это автомобильный экранированный силовой индуктор с индуктивностью 22 мкГн, допуском ±20%, сертификацией AEC-Q200, идеально подходящий для автомобильных силовых цепей.
Качество CL10C6R8DB81PNC — это чип MLCC емкостью 6,8 пФ с допуском ±0,25 пФ, номинальным напряжением 50 В и диэлектриком C0G, идеально подходящий для высокочастотных и резонансных цепей. Фабрика

CL10C6R8DB81PNC — это чип MLCC емкостью 6,8 пФ с допуском ±0,25 пФ, номинальным напряжением 50 В и диэлектриком C0G, идеально подходящий для высокочастотных и резонансных цепей.
Качество CL21B225KAFVPNE — многослойный керамический конденсатор емкостью 2,2 мкФ, допуском ±10%, номинальным напряжением 50 В и диэлектриком X7R, широко используемый в потребительских электронных схемах. Фабрика

CL21B225KAFVPNE — многослойный керамический конденсатор емкостью 2,2 мкФ, допуском ±10%, номинальным напряжением 50 В и диэлектриком X7R, широко используемый в потребительских электронных схемах.
Качество CL31B475KBHVPNE — это чип MLCC емкостью 4,7 мкФ, с допуском ±10%, напряжением 50 В и диэлектриком X7R. Он широко используется в потребительской электронике для фильтрации и связи. Фабрика

CL31B475KBHVPNE — это чип MLCC емкостью 4,7 мкФ, с допуском ±10%, напряжением 50 В и диэлектриком X7R. Он широко используется в потребительской электронике для фильтрации и связи.
Качество CL31B475KOHVPNE - чип MLCC с емкостью 4,7μF, толерантностью ±10%, номиналом 16V и диэлектрикой X5R, подходящий для потребительской электроники и фильтрации мощности Фабрика

CL31B475KOHVPNE - чип MLCC с емкостью 4,7μF, толерантностью ±10%, номиналом 16V и диэлектрикой X5R, подходящий для потребительской электроники и фильтрации мощности
Качество CL32B106KAJ4PNE представляет собой MLCC автомобильного класса с 10μF, ±10% толерантностью, номиналом 25В и диэлектриком X7R, идеально подходящий для автомобильных электронных схем. Фабрика

CL32B106KAJ4PNE представляет собой MLCC автомобильного класса с 10μF, ±10% толерантностью, номиналом 25В и диэлектриком X7R, идеально подходящий для автомобильных электронных схем.
Качество CL32B475KBJVPNE - это MLCC автомобильного класса с емкостью 4,7μF, толерантностью ±10%, номиналом 50 В и диэлектриком X7R, широко используемый для фильтрации и сцепления в автомобильных и промышленных схемах. Фабрика

CL32B475KBJVPNE - это MLCC автомобильного класса с емкостью 4,7μF, толерантностью ±10%, номиналом 50 В и диэлектриком X7R, широко используемый для фильтрации и сцепления в автомобильных и промышленных схемах.
Качество NET2272REV1A-LF NET2272REV1A-BC F NET2272PCI-RDK NET2272 NET2280 Микросхемы USB Фабрика

NET2272REV1A-LF NET2272REV1A-BC F NET2272PCI-RDK NET2272 NET2280 Микросхемы USB
NET2272. Локальная шина — USB 2.0. Микросхемы контроллера высокоскоростных периферийных устройств дл
в наличии
Качество TLE4966L Датчик Холла, 10 мА, биполярный автомобильный, 4966B TLE4966LHALA1 Фабрика

TLE4966L Датчик Холла, 10 мА, биполярный автомобильный, 4966B TLE4966LHALA1
4966B 3,3 В/5 В/9 В/12 В/15 В AEC-Q100 SSO4 автомобильный датчик обнаружения скорости Датчик магнитн
в наличии
Качество K4A8G085WG-BCWE K4A8G085WG-BCWE000 K4A4G085WE-BCRC K4A4G085WE-BCPB K4A4G085WE-BCTD K4A4G085WE-BITD K4A4G085WF-BCTD K4A4G085WF-BITD Фабрика

K4A8G085WG-BCWE K4A8G085WG-BCWE000 K4A4G085WE-BCRC K4A4G085WE-BCPB K4A4G085WE-BCTD K4A4G085WE-BITD K4A4G085WF-BCTD K4A4G085WF-BITD
K4A8G085WG ИС флэш-памяти Samsung K4A8G085WG-BCWE
в наличии
Качество FC51L04SMSA FC51L04SFSA(2A) FC51L04SFSSA (2AF) FC51L08SFY3A FC51L08SFSA (2A) FC51J32SJTS2A (2D) FC51E64SBTS2A (2A) Фабрика

FC51L04SMSA FC51L04SFSA(2A) FC51L04SFSSA (2AF) FC51L08SFY3A FC51L08SFSA (2A) FC51J32SJTS2A (2D) FC51E64SBTS2A (2A)
FC51L04SFSA 2D MLC eMMC5.1 200 МГц 153BGA ИС памяти eMCC FC51L04SFSAXSA1-2.58WE
в наличии
Качество FM73E885CQPB(2R) FM73E885CQP1B (2R) FM73E3285CRTP1B(2R EPOP Фабрика

FM73E885CQPB(2R) FM73E885CQP1B (2R) FM73E3285CRTP1B(2R EPOP
FM73E885CQP1B HS400 800/933 МГц 136BGA 8 ГБ eMMC+8 ГБ LPDDR3 или 32 ГБ eMMC+8 ГБ LPDDR3 EPOP FM73E32
в наличии
1 2 3 4 5
wechat
Свяжитесь с нами
Адрес: Район Футянь, микрорайон Хуацян, Сад Хуацян, корпус A, комната 31C
Электронная почта: linwei@neochiphk.com
Телефон: 86--13048812093
Продукты

аналоговые интегральные схемы

STMикроэлектронный чип

Альтера IC

Интегральная схемаа микросхемы

TE Connectivity Parts

Круговой разъем Molex

XILINX FPGA

Интегральная схемаа TI

Magnachip Semiconductor

Winbond Flash
О нас
О нас Сертификат ISO Контроль качества Политика уединения Центр помощи
Политика уединения | Качество Китая хорошее аналоговые интегральные схемы Поставщик. Авторское право © 2025-2026 HK NeoChip Technology Limited . Все права защищены.