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Qualität MBQ40T120FESTH bis 247 40T120FES bis 247 Pb Freie Sammler Emitter Aufschlüsselung usine

MBQ40T120FESTH bis 247 40T120FES bis 247 Pb Freie Sammler Emitter Aufschlüsselung

Qualität MDD1951RH Magnachip Halbleiter 2W 20V 3V 4,8nC@ 4,5V 60V 45mΩ@ 10V usine

MDD1951RH Magnachip Halbleiter 2W 20V 3V 4,8nC@ 4,5V 60V 45mΩ@ 10V

Qualität MDP1933TH Magnachip Halbleiter 157W 20V 4V 59.4nC@ 10V 80V usine

MDP1933TH Magnachip Halbleiter 157W 20V 4V 59.4nC@ 10V 80V

Qualität MDS3603URH Magnachip Halbleiter 2,5 W 25V 3V 0V 8,5mΩ@ 20V 1,788nF@ 15V usine

MDS3603URH Magnachip Halbleiter 2,5 W 25V 3V 0V 8,5mΩ@ 20V 1,788nF@ 15V

Qualität MDD7N25RH Magnachip Semiconductor 56W 30V 5V 10V 250V 550mΩ@ 10V 370pF@ 25V DPAK usine

MDD7N25RH Magnachip Semiconductor 56W 30V 5V 10V 250V 550mΩ@ 10V 370pF@ 25V DPAK

Qualität MDP1932 BVDSS Gate-Schwellenspannung MagnaChip Gate-Leckstrom usine

MDP1932 BVDSS Gate-Schwellenspannung MagnaChip Gate-Leckstrom

	Bild	Teil #	Beschreibung	fabricant	Aktie	Zulassung
		MBQ40T120FESTH bis 247 40T120FES bis 247 Pb Freie Sammler Emitter Aufschlüsselung
		MDD1951RH Magnachip Halbleiter 2W 20V 3V 4,8nC@ 4,5V 60V 45mΩ@ 10V
		MDP1933TH Magnachip Halbleiter 157W 20V 4V 59.4nC@ 10V 80V
		MDS3603URH Magnachip Halbleiter 2,5 W 25V 3V 0V 8,5mΩ@ 20V 1,788nF@ 15V
		MDD7N25RH Magnachip Semiconductor 56W 30V 5V 10V 250V 550mΩ@ 10V 370pF@ 25V DPAK
		MDP1932 BVDSS Gate-Schwellenspannung MagnaChip Gate-Leckstrom

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