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MDP1932 BVDSS Gate-Schwellenspannung MagnaChip Gate-Leckstrom
MDP1932 BVDSS Gate-Schwellenspannung MagnaChip Gate-Leckstrom
  • MDP1932 BVDSS Gate-Schwellenspannung MagnaChip Gate-Leckstrom

MDP1932 BVDSS Gate-Schwellenspannung MagnaChip Gate-Leckstrom

Produktdetails:
Markenname: MDP1932
Modellnummer: Magnatschip
Ausführliche Information
Markenname:
MDP1932
Modellnummer:
Magnatschip
Eingangsspannungsbereich:
0V bis 5,5 V
Versorgungsspannungsbereich:
3.0V zu 5.5V
Schaltfrequenz:
bis zu 1 MHz
ROHS -konform:
Ja
Ausgangsstrom:
Bis zu 1,5a
Produkttyp:
Halbleiter
Ausgangsspannungsbereich:
0V bis 5,5 V
Paketart:
QFN
Effizienz:
Bis 95%
Betriebstemperaturbereich:
-40 ° C bis +85 ° C.
Paketgröße:
3mm x 3mm
Schutzmerkmale:
Überspannung, Überstrom, Übertemperatur
Produktfamilie:
Leistungsmanagement
Steuerfunktionen:
Weicher Start, Aktivieren, Power Good
Hervorheben:

High Light

Hervorheben:

MagnaChip MDP1932 TO-220 MOSFET

,

TO-220 MOSFET Transistor mit Garantie

,

MDP1932 Leistungstransistor TO-220 Gehäuse

Trading Information
Preis:
0.69u
Zahlungsbedingungen:
T/t
Produkt-Beschreibung

Ausfallspannung der Abflussquelle BVDSS  Ich...D= 250 μA, VGS= 0V Ich...D= 250 μA, VGS= 0V
Schrankschwellenspannung VDie Kommission  VDS= VGSIch...D= 250 μA
Ableitungsstrom VDie Kommission  VDS= 72V, VGS= 0V
Leckage-Strom durch das Tor Ich...GSS  VGS= ±20V, VDS= 0V
Abbau der Resistenzquelle RDS ((ON)  VGS= 10V, ID= 50A
Vorwärtsüberleitung gfs  DS= 10V, ID= 50A


Umbauten:

Magnatschip,

Halbleiterchips,

Magnachip Semiconductor

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Futian-Bezirk Huaqiang-Unterbezirk, Huaqiang-Garten, Gebäude A, Raum 31C E-mail: linwei@neochiphk.com Tel: 13048812093 Tel: 13048812093
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