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MDP1932 BVDSS 게이트 임계 전압 MagnaChip 게이트 누설 전류

MDP1932 BVDSS 게이트 임계 전압 MagnaChip 게이트 누설 전류

제품 상세정보:
브랜드 이름: MDP1932
모델 번호: 매그나칩
상세 정보
브랜드 이름:
MDP1932
모델 번호:
매그나칩
입력 전압 범위:
0V ~ 5.5V
공급 전압 범위:
3.0V 내지 5.5V
전환 주파수:
최고 1MHz
ROHS 준수:
출력 전류:
최대 1.5a
제품 유형:
반도체
출력 전압 범위:
0V ~ 5.5V
패키지 유형:
QFN
능률:
최고 95%
작동 온도 범위:
-40 ° C ~ +85 ° C
패키지 크기:
3 밀리미터 X 3 밀리미터
보호 기능:
과전압, 과전류, 과열
제품 가족:
전력 관리
제어 기능:
소프트 스타트, 활성화, 파워 양호
강조하다:

High Light

강조하다:

MagnaChip MDP1932 TO-220 MOSFET

,

보증이 있는 TO-220 MOSFET 트랜지스터

,

MDP1932 전력 트랜지스터 TO-220 패키지

Trading Information
가격:
0.69u
지불 조건:
t/t
제품 설명

배수 소스 분해 전압 BVDSS  D= 250μA, VGS= 0V D= 250μA, VGS= 0V
게이트 임계 전압 VGS (th)  VDS= VGS, 난D= 250μA
배수 차단 전류 VGS (th)  VDS= 72V, VGS= 0V
게이트 누출 전류 GSS  VGS= ±20V, VDS= 0V
저항에 대한 소스 배출 RDS ((ON)  VGS= 10V, ID= 50A
전방전도성 gfs  DS= 10V, ID= 50A