Hogar > productos >
Magnachip Semiconductor
>
MDP1932 BVDSS Voltaje Umbral de Compuerta Corriente de Fuga de Compuerta MagnaChip

MDP1932 BVDSS Voltaje Umbral de Compuerta Corriente de Fuga de Compuerta MagnaChip

Detalles del producto:
Nombre de la marca: MDP1932
Número de modelo: El chip magnético
Información detallada
Nombre de la marca:
MDP1932
Número de modelo:
El chip magnético
Rango de voltaje de entrada:
0V a 5.5V
Rango de voltaje de suministro:
3.0V a 5.5V
Frecuencia de conmutación:
Hasta 1MHz
Cumplimiento de ROHS:
Corriente de salida:
Hasta 1.5a
Tipo de producto:
Semi-conductores
Rango de voltaje de salida:
0V a 5.5V
Tipo de paquete:
QFN
Eficiencia:
El hasta 95%
Rango de temperatura de funcionamiento:
-40 ° C a +85 ° C
Tamaño del paquete:
3m m x 3m m
Características de protección:
Supertensión, sobrecorriente, sobre temperatura
Familia de productos:
Gestión de energía
Características de control:
Inicio suave, habilitar, potencia buena
Resaltar:

High Light

Resaltar:

MOSFET TO-220 MDP1932 de MagnaChip

,

Transistor MOSFET TO-220 con garantía

,

Transistor de potencia MDP1932

Trading Information
Precio:
0.69u
Condiciones de pago:
T/T
Descripción de producto

Tensión de ruptura de la fuente de drenaje BVEl DSS  Yo...D= 250 μA, VGS= 0V Yo...D= 250 μA, VGS= 0V
Tensión de umbral de la puerta V.Se trata de la  V.D.S.= VGSYo...D= 250 μA
Corriente de corte de drenaje V.Se trata de la  V.D.S.= 72V, VGS= 0V
Corriente de fuga de la puerta Yo...El GSS  V.GSSe aplicará el método siguiente:D.S.= 0V
Fuente de drenaje de resistencia REn el caso de las empresas de servicios de telecomunicaciones  V.GS= 10V, ID= 50A
Transconductividad hacia adelante GFs  D.S.= 10V, ID= 50A