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F59L4G81KSA-25BCIG2N BGA67 F59L4G81KSA-25TIG2N 48TSOPI F59L4G81KSA-25BIG2N BGA63

설명:
ESMT DRAM DDR SDRAM 메모리 IC M13S64164A(2C) 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz
Category:
PCB 보드
In-stock:
재고 있음
Price:
US$0.80
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표현하다
Specifications
특징:
F59L4G81KSA(2N) 4Gbit(512M x 8) 3.3V NAND 플래시 메모리 IC
제품명:
F59L4G81KSA-25BCIG2N BGA67 F59L4G81KSA-25TIG2N 48TSOPI F59L4G81KSA-25BIG2N BGA63
범주:
집적회로(IC)-F59L4G81KSA
패키지/케이스:
TSOP /BGA
작동 온도:
-40°C ~ 85°C(타)
장착 유형:
표면 실장
제조업체:
ESMT
기본 제품 번호:
F59L4G81KSA
강조하다:

PCB 보드 BGA67 메모리 칩

,

PCB 보드 48TSOPI 플래시 메모리

,

PCB 보드 BGA63 IC 부품

소개

F59L4G81KSA (2N) 4 Gbit (512M x 8) 3.3V NAND 플래시 메모리 IC

-F59L4G81KSA-25BCIG2N BGA67 F59L4G81KSA-25TIG2N 48TSOPI F59L4G81KSA-25BIG2N BGA63

작동 온도 조건 -40°C~85°C

 

일반 설명

이 장치는 4Gb SLC NAND 플래시 메모리로, 일부 특수 작동 및 애플리케이션을 위해 두 개의 2Gb 칩으로 스택됩니다. 이 장치에는 2176바이트의 정적 레지스터 두 개가 있어 레지스터와 메모리 셀 배열 간에 2176바이트 단위로 프로그램 및 읽기 데이터를 전송할 수 있습니다. 지우기 작업은 단일 블록 단위(128Kbytes + 8Kbytes)로 구현됩니다. 이 장치는 주소 및 데이터 입출력과 명령 입력을 모두 I/O 핀을 사용하는 메모리 장치입니다. 지우기 및 프로그램 작업은 자동으로 실행되어 이 장치는 솔리드 스테이트 파일 스토리지, 음성 녹음, 정지 카메라용 이미지 파일 메모리 및 고밀도 비휘발성 메모리 데이터 스토리지가 필요한 기타 시스템과 같은 애플리케이션에 가장 적합합니다.

F59L4G81KSA-25BCIG2N BGA67 F59L4G81KSA-25TIG2N 48TSOPI F59L4G81KSA-25BIG2N BGA63 0F59L4G81KSA-25BCIG2N BGA67 F59L4G81KSA-25TIG2N 48TSOPI F59L4G81KSA-25BIG2N BGA63 1F59L4G81KSA-25BCIG2N BGA67 F59L4G81KSA-25TIG2N 48TSOPI F59L4G81KSA-25BIG2N BGA63 2

 

F59L4G81KSA-25BCIG2N BGA67 F59L4G81KSA-25TIG2N 48TSOPI F59L4G81KSA-25BIG2N BGA63 3

 

Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc. (ESMT)는 1998년 6월 대만 신주 과학 산업 단지에 설립된 전문 IC 설계 회사입니다. 회사의 주요 사업에는 자체 브랜드 IC 제품 설계, 제조, 판매 및 기술 서비스가 포함됩니다. ESMT는 2002년 3월 대만 증권 거래소(코드 3006)에 성공적으로 상장되었습니다.

 

주문 정보:

DRAM DDR SDRAM          
64Mb          
부품 번호 구성 설명 새로 고침 속도(MHz) 패키지
M13S64164A(2C) 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz 66 TSOPII
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T        
128Mb          
부품 번호 구성 설명 새로 고침 속도(MHz) 패키지
M13S128168A (2S) 8Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 160/200/250MHz 66TSOPII/ 60BGA
           
256Mb          
부품 번호 구성 설명 새로 고침 속도(MHz) 패키지
M13S2561616A(2T) 16Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 7.8us 166/200/250MHz 66TSOPII/ 60BGA
           
512Mb          
부품 번호 구성 설명 새로 고침 속도(MHz) 패키지
M13S5121632A(2T) 32Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 7.8us 166/200MHz 66핀 TSOPII
           
DDR2 SDRAM          
128Mb          
부품 번호 구성 설명 새로 고침 속도(MHz) 패키지
M14D128168A (2Y) 8Mbx16 DDRII SDRAM, 1.8V 4K 400/533/600/667MHz 84 볼 FBGA
           
256Mb          
부품 번호 구성 설명 새로 고침 속도(MHz) 패키지
M14D2561616A(2S) 16Mbx16 DDRII SDRAM, 1.8V 8K 400/533/667MHz 84 볼 BGA
M14D2561616A(2C) 16Mbx16 DDRII SDRAM, 1.8V 8K 400/533/667MHz 84 볼 BGA
           
512Mb          
부품 번호 구성 설명 새로 고침 속도(MHz) 패키지
M14D5121632A(2S) 32Mbx16 DDRII SDRAM, 1.8V - 400/533/600/667MHz 84 볼 BGA
M14D5121632A (2M) 32Mbx16 DDRII SDRAM, 1.8V 8K 400/533/667MHz 84 볼 BGA
           
1Gb          
부품 번호 구성 설명 새로 고침 속도(MHz) 패키지
M14D1G1664A (2P) 64Mbx16 DDRII SDRAM 1.8V 8K 400/533/600/667MHz 84 볼 BGA
M14D1G8128A (2P) 128Mbx8 DDRII SDRAM 1.8V 8K 400/533/600/667MHz 60 볼 BGA
           
DDR3(L) SDRAM          
512Mb          
부품 번호 구성 설명 새로 고침 속도(MHz) 패키지
M15T5121632A 32Mbx16 DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V - 800/933MHz 96 볼 BGA
           
1Gb          
부품 번호 구성 설명 새로 고침 속도(MHz) 패키지
M15T1G1664A (2S) 64Mbx16 DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V - 933/1066MHz 96 볼 BGA
M15T1G8128A(2S) 128Mbx8 DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V - 933/1066MHz 78 볼 BGA
M15T1G1664A (2T) 64Mbx16 DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V - 933/1066MHz 96 볼 BGA
M15T1G1664A (2Z) 64Mbx16 DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V - 933/1066MHz 96 볼 BGA
M15F1G1664A (2S) 64Mbx16 DDRIII SDRAM 1.5V - 933/1066/1200MHz 96 볼 BGA
           
2Gb          
부품 번호 구성 설명 새로 고침 속도(MHz) 패키지
M15T2G8256A(2R) 256Mbx8 DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V - 800/933/1066MHz 78 볼 BGA
M15T2G16128A(2R) 128Mbx16 DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V - 800/933MHz 96 볼 BGA
M15T2G16128A(2P) 128Mbx16 DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V - 800/933/1066MHz 96 볼 BGA
M15T2G16128A (2D) 128Mbx16 DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V - 933/1066MHz 96 볼 BGA
M15T2G8256A (2D) 256Mbx8 DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V - 933/1066MHz 78 볼 BGA
           
4Gb          
부품 번호 구성 설명 새로 고침 속도(MHz) 패키지
M15T4G16256A (2S) 256Mbx16 DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V - 800/933/1066MHz 96 볼 BGA
M15T4G16256A(2C) 256Mbx16 DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V - 800/933/1066MHz 96 볼 BGA
M15T4G16256A (2P) 256Mbx16 DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V - 933/1066MHz 96 볼 BGA
M15T4G8512A(2S) 512Mbx8 DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V - 800/933/1066MHz 78 볼 BGA
M15T4G8512A(2C) 512Mbx8 DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V - 800/933/1066MHz 78 볼 BGA
           
8Gb          
부품 번호 구성 설명 새로 고침 속도(MHz) 패키지
M15T8G16512A(2S) 512Mbx16 DDRIII SDRAM 1.35V/1.5V - 800/933/1066MHz 96 볼 BGA
           
DDR4 SDRAM          
4Gb          
부품 번호 구성 설명 새로 고침 속도(MHz) 패키지
M16U4G16256A(2Z) 256Mbx16 DDR4 1.2V - 1333/ 1600MHz 96 볼 BGA
M16U4G8512A(2Z) 512Mbx8 DDR4 1.2V - 1333/ 1600MHz 78 볼 BGA
           
LPSDR SDRAM          
           
64Mb          
           
부품 번호 구성 설명 새로 고침 속도(MHz) 패키지
M52D64322A (2S) 2Mbx32 LPSDR SDRAM 1.8V 4K 166MHz 54 볼 FBGA
           
256Mb          
부품 번호 구성 설명 새로 고침 속도(MHz) 패키지
M52D2561616A(2F) 16Mbx16 LPSDR SDRAM 1.8V 8K 143/166/200MHz 54 볼 FBGA
M52D256328A(2F) 8Mbx32 LPSDR SDRAM 1.8V 4K 143/166MHz 90 볼 FBGA
           
512Mb          
부품 번호 구성 설명 새로 고침 속도(MHz) 패키지
M52D5123216A 16Mbx32 LPSDR SDRAM 1.8V 8K 143/166MHz 90 볼 BGA
M52D5121632A 32Mbx16 LPSDR SDRAM 1.8V 8K 143/166/200MHz 54 볼 FBGA
           
LPDDR SDRAM          
64Mb          
부품 번호 구성 설명 새로 고침 속도(MHz) 패키지
M53D64164A (2C) 4Mbx16 LPDDR SDRAM 1.8V 4K 200/220MHz 60 볼 BGA
M13D64322A (2S) 2Mbx32 LPDDR SDRAM 1.8V 4K 200/222/250MHz 144 볼 BGA
           
256Mb          
부품 번호 구성 설명 새로 고침 속도(MHz) 패키지
M53D2561616A (2F) 16Mbx16 LPDDR SDRAM 1.8V 8K 133/166/200MHz 60 볼 BGA
M53D256328A (2F) 8Mbx32 LPDDR SDRAM 1.8V 8K 133/166/200MHz 144 볼 BGA
           
512Mb          
부품 번호 구성 설명 새로 고침 속도(MHz) 패키지
M53D5121632A 32Mbx16 LPDDR SDRAM 1.8V 8K 200MHz 60 볼 BGA
M53D5123216A 16Mbx32 LPDDR SDRAM 1.8V 8K 200MHz 144 볼 BGA
           
1Gb          
부품 번호 구성 설명 새로 고침 속도(MHz) 패키지
M53D1G1664A 64Mbx16 LPDDR SDRAM 1.8V 8K 133/166/200MHz 60 볼 BGA
M53D1G3232A 32Mbx32 LPDDR SDRAM 1.8V 8K 133/166/200MHz 144 볼 BGA
           
LPDDR2 SDRAM          
           
512Mb          
부품 번호 구성 설명 새로 고침 속도(MHz) 패키지
M54D5121632A 32Mbx16 LPDDR2 SDRAM 1.8V/ 1.2V - 400/ 533MHz 134 볼 BGA
M54D5123216A 16Mbx32 LPDDR2 SDRAM 1.8V/ 1.2V - 400/ 533MHz 134 볼 BGA
           
1Gb          
부품 번호 구성 설명 새로 고침 속도(MHz) 패키지
M54D1G1664A 64Mbx16 LPDDR2 SDRAM 1.8V/ 1.2V - 333/400/533MHz 134 BGA
M54D1G1664A (2G) 64Mbx16 LPDDR2 SDRAM 1.8V/ 1.2V - 400/533MHz 134 BGA
M54D1G3232A (2G) 32Mbx32 LPDDR2 SDRAM 1.8V/ 1.2V - 400/533MHz 134 BGA
M54D1G3232A 32Mbx32 LPDDR2 SDRAM 1.8V/ 1.2V - 333/400/533MHz 134 BGA
           
2Gb          
부품 번호 구성 설명 새로 고침 속도(MHz) 패키지
M54D2G3264A 64Mbx32 LPDDR2 SDRAM 1.8V/ 1.2V - 333/400/533MHz 134 볼 BGA
M54D2G16128A 128Mbx16 LPDDR2 SDRAM 1.8V/ 1.2V - 333/400/533MHz 134 볼 BGA
           
LPDDR3 SDRAM          
1Gb          
부품 번호 구성 설명 새로 고침 속도(MHz) 패키지
M55D1G3232A(2Y) 32Mbx32 LPDDR3 SDRAM 1.8V/ 1.2V - 800/ 933/ 1066MHz 178 볼 BGA
M55D1G1664A (2Y) 64Mbx16 LPDDR3 SDRAM 1.8V/ 1.2V - 800/ 933/ 1066MHz 178 볼 BGA
           
4Gb          
부품 번호 구성 설명 새로 고침 속도(MHz) 패키지
M55D4G16256A(2R) 256Mbx16 LPDDR3 SDRAM 1.8V/ 1.2V - 800/933/1066MHz 178 볼 BGA
M55D4G32128A(2R) 128Mbx32 LPDDR3 SDRAM 1.8V/ 1.2V - 800/933/1066MHz 178 볼 BGA
           
LPDDR4x SDRAM          
           
2Gb          
부품 번호 구성 설명 새로 고침 속도(MHz) 패키지
M56Z2G16128A (2R) 128Mbx16 LPDDR4x SDRAM, - 1866/2133MHz 200 볼 BGA
           
4Gb          
부품 번호 구성 설명 새로 고침 속도(MHz) 패키지
M56Z4G16256A(2H) 256Mbx16 LPDDR4x SDRAM, - 1866/2133MHz 200 볼 BGA
M56Z4G32128A (2R) 128Mbx32 LPDDR4x SDRAM, - 1866/2133MHz 200 볼 BGA
           
8Gb          
부품 번호 구성 설명 새로 고침 속도(MHz) 패키지
M56Z8G32256A 256Mbx32 LPDDR4x SDRAM, - 1866MHz 200 볼 BGA
M56Z8G32256A (2H) 256Mbx32 LPDDR4x SDRAM, - 2133MHz 200 볼 BGA

 


 

 

F59L4G81KSA-25BCIG2N BGA67 F59L4G81KSA-25TIG2N 48TSOPI F59L4G81KSA-25BIG2N BGA63 4

F59L4G81KSA-25BCIG2N BGA67 F59L4G81KSA-25TIG2N 48TSOPI F59L4G81KSA-25BIG2N BGA63 5

F59L4G81KSA-25BCIG2N BGA67 F59L4G81KSA-25TIG2N 48TSOPI F59L4G81KSA-25BIG2N BGA63 6

F59L4G81KSA-25BCIG2N BGA67 F59L4G81KSA-25TIG2N 48TSOPI F59L4G81KSA-25BIG2N BGA63 7

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