BSC070N10NS3GATMA1 Infineon OptiMOS MOSFET de puissance IC
BSC070N10NS3GATMA1
,Infineon OptiMOS MOSFET de puissance
,BSC070N10NS3GATMA1 Infineon OptiMOS
07N10NS BSC070N10NS3GATMA1 MOSFET de puissance OptiMOS N-Channel 100 V 90A 114W PG-TDSON-8 IC d'Infineon
Description :
Les MOSFET de puissance OptiMOS 100V d'Infineon offrent des solutions supérieures pour les SMPS à haute efficacité et haute densité de puissance.
Comparée à la meilleure technologie suivante, cette famille permet une réduction de 30 % du R DS(on) et du FOM (figure de mérite).
Applications potentielles :
Redressement synchrone pour SMPS AC-DC
Commande de moteur pour systèmes 48V–80V (véhicules domestiques, outils électriques, camions)
Convertisseurs DC-DC isolés (systèmes de télécommunication et de données
Commutateurs Or-ing et disjoncteurs dans les systèmes 48V
Amplificateurs audio de classe D
Alimentations sans interruption (ASI)
Résumé des caractéristiques :
Excellentes performances de commutation
Le plus faible R DS(on) au monde
Très faible Q g et Q gd
Excellent produit charge de grille x R DS(on) (FOM)
Conforme RoHS - sans halogène
Classé MSL1 2
Avantages
Respectueux de l'environnement
Efficacité accrue
Densité de puissance la plus élevée
Moins de parallélisme requis
Consommation d'espace de carte la plus petite
Produits faciles à concevoir
Spécifications :
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Catégorie
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Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Fabricant
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Infineon Technologies
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Série
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OptiMOS™
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Boîtier
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Bande et Bobine (TR)
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Statut de la pièce
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Actif
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Type de FET
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Canal N
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Technologie
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MOSFET (Oxyde métallique)
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Tension Drain-Source (Vdss)
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100 V
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Courant - Drain continu (Id) @ 25°C
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90A (Tc)
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Tension de commande (Rds On Max, Rds On Min)
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6V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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7mOhm @ 50A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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3.5V @ 75µA
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Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
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55 nC @ 10 V
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Vgs (Max)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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4000 pF @ 50 V
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Caractéristique du FET
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-
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Puissance dissipée (Max)
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114W (Tc)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Type de montage
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Montage en surface
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Boîtier du dispositif fournisseur
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PG-TDSON-8-1
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Boîtier / Étui
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8-PowerTDFN
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Numéro de produit de base
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BSC070
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| Paramétriques | BSC070N10NS3G |
| Ciss | 3000 pF |
| Coss | 520 pF |
| ID (@25°C) max | 90 A |
| IDpuls max | 360 A |
| Température de fonctionnement min max | -55 °C 150 °C |
| Ptot max | 114 W |
| Boîtier | SuperSO8 5x6 |
| Polarité | N |
| QG (typ @10V) | 42 nC |
| RDS (on) (@10V) max | 7 mΩ |
| Rth | 1.1 K/W |
| VDS max | 100 V |
| VGS(th) min max | 2.7 V 2 V 3.5 V |
