BSC070N10NS3GATMA1 Infineon OptiMOS Power MOSFET IC
BSC070N10NS3GATMA1
,Infineon OptiMOS Power MOSFET
,BSC070N10NS3GATMA1 Infineon OptiMOS
07N10NS BSC070N10NS3GATMA1 MOSFET de Potência de Canal N OptiMOS da Infineon 100 V 90A 114W PG-TDSON-8 IC
Descrição:
Os MOSFETs de potência OptiMOS de 100V da Infineon oferecem soluções superiores para SMPS de alta eficiência e alta densidade de potência.
Comparada à próxima melhor tecnologia, esta família alcança uma redução de 30% tanto em R DS(on) quanto em FOM (figura de mérito).
Aplicações Potenciais:
Retificação síncrona para SMPS AC-DC
Controle de motor para sistemas de 48V–80V (por exemplo, veículos domésticos, ferramentas elétricas, caminhões)
Conversores DC-DC isolados (sistemas de telecomunicações e datacom)
Chaves Or-ing e disjuntores em sistemas de 48V
Amplificadores de áudio Classe D
Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
Resumo dos Recursos:
Excelente desempenho de comutação
Menor R DS(on) do mundo
Q g e Q gd muito baixos
Excelente produto de carga de gate x R DS(on) (FOM)
Compatível com RoHS - livre de halogênio
Classificação MSL1 2
Benefícios
Ambientalmente amigável
Eficiência aumentada
Maior densidade de potência
Menos paralelismo necessário
Menor consumo de espaço na placa
Produtos fáceis de projetar
Especificações:
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Categoria
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Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
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Fabricante
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Infineon Technologies
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Série
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OptiMOS™
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Pacote
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Fita e Bobina (TR)
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Status da Peça
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Ativo
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Tipo de FET
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Canal N
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Tecnologia
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MOSFET (Óxido Metálico)
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Tensão Dreno-Fonte (Vdss)
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100 V
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Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
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90A (Tc)
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Tensão de Acionamento (Rds On Máx., Rds On Mín.)
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6V, 10V
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Rds On (Máx.) @ Id, Vgs
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7mOhm @ 50A, 10V
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Vgs(th) (Máx.) @ Id
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3.5V @ 75µA
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Carga de Gate (Qg) (Máx.) @ Vgs
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55 nC @ 10 V
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Vgs (Máx.)
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±20V
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Capacitância de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
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4000 pF @ 50 V
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Recurso do FET
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-
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Dissipação de Potência (Máx.)
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114W (Tc)
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Temperatura de Operação
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo de Montagem
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Montagem em Superfície
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Pacote do Dispositivo Fornecedor
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PG-TDSON-8-1
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Pacote / Caixa
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8-PowerTDFN
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Número do Produto Base
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BSC070
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| Paramétricas | BSC070N10NS3G |
| Ciss | 3000 pF |
| Coss | 520 pF |
| ID (@25°C) máx. | 90 A |
| IDpuls máx. | 360 A |
| Temperatura de Operação min máx. | -55 °C 150 °C |
| Ptot máx. | 114 W |
| Pacote | SuperSO8 5x6 |
| Polaridade | N |
| QG (typ @10V) | 42 nC |
| RDS (on) (@10V) máx. | 7 mΩ |
| Rth | 1.1 K/W |
| VDS máx. | 100 V |
| VGS(th) min máx. | 2.7 V 2 V 3.5 V |
