BSC070N10NS3GATMA1 Infineon OptiMOS Power MOSFET IC
BSC070N10NS3GATMA1
,Infineon OptiMOS Power MOSFET
,BSC070N10NS3GATMA1 Infineon OptiMOS
07N10NS BSC070N10NS3GATMA1 MOSFET di potenza OptiMOS™ a canale N Infineon 100 V 90A 114W PG-TDSON-8 IC
Descrizione:
I MOSFET di potenza OptiMOS™ a 100V di Infineon offrono soluzioni superiori per SMPS ad alta efficienza e alta densità di potenza.
Rispetto alla migliore tecnologia successiva, questa famiglia ottiene una riduzione del 30% sia in R DS(on) che in FOM (figura di merito).
Potenziali Applicazioni:
Rettifica sincrona per SMPS AC-DC
Controllo motore per sistemi da 48V–80V (ad es. veicoli domestici, utensili elettrici, camion)
Convertitori DC-DC isolati (sistemi telecom e datacom)
Switch Or-ing e interruttori automatici in sistemi da 48V
Amplificatori audio Classe D
Gruppi di continuità (UPS)
Riepilogo delle Funzionalità:
Eccellenti prestazioni di commutazione
Il più basso R DS(on) al mondo
Q g e Q gd molto bassi
Eccellente prodotto carica di gate x R DS(on) (FOM)
Conforme a RoHS - privo di alogeni
Valutato MSL1 2
Vantaggi
Ecologico
Aumento dell'efficienza
Massima densità di potenza
Minore necessità di parallelo
Minimo ingombro sulla scheda
Prodotti facili da progettare
Specifiche:
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Categoria
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Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Produttore
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Infineon Technologies
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Serie
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OptiMOS™
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Package
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Nastro e Bobina (TR)
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Stato del componente
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Attivo
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Tipo FET
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Canale N
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Tecnologia
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MOSFET (Metallo Ossido)
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Tensione Drain-Source (Vdss)
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100 V
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Corrente - Drain Continuo (Id) @ 25°C
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90A (Tc)
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Tensione di pilotaggio (Rds On Max, Rds On Min)
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6V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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7mOhm @ 50A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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3.5V @ 75µA
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Carica di Gate (Qg) (Max) @ Vgs
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55 nC @ 10 V
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Vgs (Max)
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±20V
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Capacità di Ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
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4000 pF @ 50 V
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Caratteristica FET
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-
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Dissipazione di Potenza (Max)
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114W (Tc)
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Temperatura Operativa
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo di Montaggio
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Montaggio superficiale
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Package del Dispositivo Fornitore
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PG-TDSON-8-1
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Package / Case
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8-PowerTDFN
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Numero Prodotto Base
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BSC070
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| Parametrici | BSC070N10NS3G |
| Ciss | 3000 pF |
| Coss | 520 pF |
| ID (@25°C) max | 90 A |
| IDpuls max | 360 A |
| Temperatura Operativa min max | -55 °C 150 °C |
| Ptot max | 114 W |
| Package | SuperSO8 5x6 |
| Polarità | N |
| QG (tip @10V) | 42 nC |
| RDS (on) (@10V) max | 7 mΩ |
| Rth | 1.1 K/W |
| VDS max | 100 V |
| VGS(th) min max | 2.7 V 2 V 3.5 V |
