Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.
catégorie:
circuits intégrés analogiques
Prix:
Negotiated
Mode de paiement:
T/T
Caractéristiques
D / c:
NOUVEAU, le plus récent, 16+, 2018+, originaux
Taper:
CI logiques, CI de lecteur, Autres, Circuits intégrés, Interface - Commutateurs analogiques
Emballer:
BGA, DIP/SMD, SMD, norme, SOP-14
Condition:
Nouveau et original, le plus récent, original 100 %, sans plomb/conforme ROHS.
Statut sans plomb:
Sans plombPB, sans plomb/conforme RoHS, sans plomb/RoHS, conforme ROHS
Température de fonctionnement:
standard,-40°C ~ 105°C,nous contacter,-40°C ~ 85°C,0°C ~ 70°C
Expédition par:
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post, DHL
Skype est là.:
Zhao.zzk293,CandyZhao,wengo.electronic,mbingjie,sales06.sfwy
Délai de mise en œuvre:
en stock,2-3 jours,1-3 jours,nous contacter
Garantie:
365 jours, 90 jours
Application:
Autre, ordinateur, standard, produits électroniques
WhatsApp:
86-13417070178,+86 13699821400,86-15007558828
E-mail:
nicole @ecmart.net,cliffe @jeking.cc,wengoic(at)hotmail.com
Expédition:
DHL\UPS\Fedex\TNT\EMS, 1-3 jours, LIVRAISON EXPRESS
Conditionnement:
Emballage, ruban et bobine d'exportation sûrs et standard (TR)
Numéro de pièce:
MAX542,UPC844G2-E1,MAX5353BCUA+
Tension d'alimentation:
Standard
Mettre en évidence:
Puce de mémoire DDR3-2133 de 4 Go
,Module K4B4G1646E-BCNB-ND DDR3
,DDR3-2133 Circuit intégré analogique
Introduction au projet
Attributs du produit
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Catégorie
Circuits intégrés (CI)
La mémoire
La mémoire
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Organisation de la mémoire
256 M x 16
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Mfr
Il s'agit de Samsung Semiconductor, Inc.
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Interface de mémoire
Parallèlement
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Emballage
Plateau
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Fréquence d'horloge
2133 Mbps
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Statut de la partie
Actif
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Voltage - alimentation
1.5V
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Type de mémoire
Les produits de base
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Température de fonctionnement
0°C à 95°C
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Format de mémoire
DRAM
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Type de montage
Monture de surface
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Technologie
SDRAM - DDR3
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Emballage / boîtier
96-FBGA
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Taille de mémoire
4Gbit
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Envoyez le RFQ
Action:
MOQ:
