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K4B4G1646E-BCNB-ND DDR3-2133 4Gb

categoria:
circuitos integrados analógicos
Preço:
Negotiated
Método de pagamento:
T/T
Especificações
D/c:
NOVO, mais recente, 16+, 2018+, originais
Tipo:
CIs lógicos,IC de unidade,Outros,Circuitos integrados,Interface - Chaves analógicas
Pacote:
BGA,DIP/SMD,SMD,Padrão,SOP-14
Doença:
Novo e original, mais recente, original 100%, sem chumbo/compatível com ROHS
Status livre de chumbo:
Chumbo FreePB, sem chumbo / compatível com RoHS, sem chumbo / RoHS, compatível com ROHS
Temperatura operacional:
padrão,-40°C ~ 105°C,entre em contato conosco,-40°C ~ 85°C,0°C ~ 70°C
Envio por:
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post,DHL
Skype:
Zhao.zzk293, CandyZhao, wengo.electronic, mbingjie, sales06.sfwy
Tempo de espera:
em estoque, 2-3 dias, 1-3 dias, entre em contato conosco
Garantia:
365 dias, 90 dias
Aplicativo:
Outros,Computador,Stanard,Produtos Eletrônicos
WhatsAPP:
86-13417070178,+86 13699821400,86-15007558828
E-mail:
nicole @ecmart.net,cliffe @jeking.cc,wengoic(at)hotmail.com
Envio:
DHL\UPS\Fedex\TNT\EMS,1-3Dias, ENTREGA Expressa
Embalagem:
Embalagem de exportação segura e padrão, fita e carretel (TR)
Número da peça:
MAX542,UPC844G2-E1,MAX5353BCUA+
Tensão de alimentação:
Padrão
Destacar:

Chip de memória DDR3-2133 4Gb

,

Módulo DDR3-2133 K4B4G1646E-BCNB-ND

,

Circuito Integrado Analógico DDR3-2133

Introdução
Atributos do Produto
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Categoria
Circuitos Integrados (CIs)
Memória
Memória
Organização da Memória
256M x 16
Fabricante
Samsung Semiconductor, Inc.
Interface de Memória
Paralela
Embalagem
Bandeja
Frequência de Clock
2133 Mbps
Status da Peça
Ativo
Tensão - Alimentação
1.5V
Tipo de Memória
Volátil
Temperatura de Operação
0°C ~ 95°C
Formato da Memória
DRAM
Tipo de Montagem
Montagem em Superfície
Tecnologia
SDRAM - DDR3
Pacote / Caixa
96-FBGA
Tamanho da Memória
4Gbit
Envie o RFQ
Estoque:
Quantidade mínima: