Scheda di memoria SDSDQAD-032G da 32 GB UHS Classe 10 MicroSD WD/SD
iNAND® 7350
iNAND® 7232
iNAND® 7250
Specificità del prodotto
Capacità
32GB-256GB1
16GB-128GB1
8GB-64GB1
Interfaccia
e.MMC 5.1 HS400
e.MMC 5.1 HS400
e.MMC 5.1 HS400
Imballaggio (mm)
8 GB
11.5x13x0.8 mm
16 GB
11.5x13x0.9 mm
11.5x13x0.8 mm
32 GB
11.5x13x0.8 mm
11.5x13x0.9 mm
11.5x13x1.0 mm
64 GB
11.5x13x1.0 mm
11.5x13x1.0 mm
11.5x13x1.2 mm
128 GB
11.5x13x1.0 mm
11.5x13x1.2 mm
256 GB
11.5x13x1.2 mm
Informazioni sull'ordine
8 GB
SdINBDG4-8G
16 GB
SDINADF4-16G-L/H
SDINBDG4-16G
32 GB
SDINBDD4-32G
SDINADF4-32G-L/H
SdINBDG4-32G
64 GB
L'indice di concentrazione è il seguente:
SDINADF4-64G-L/H
SdINBDG4-64G
128 GB
SDINBDD4-128G
SDINADF4-128G-L/H
256 GB
SdINBDD4-256G
Carte microSD
Classe di velocità U3/V30
Classe di velocità 10
Classe di velocità 4
Numero della parte
Capacità
Interfaccia
Tecnologia NAND Flash
Performance (MB/s) 2
Tensione di funzionamento
Temperature di funzionamento
SDSDQAE-xxxG
Da 32GB a 128GB
UHS-1 104
1Znm
Fino a 80/50
-25°C - 85°C
SDSDQAD-256G
256 GB
UHS-I 104
3D NAND
Fino a 95/10
-25°C - 85°C
SDSDQAD-200G
200 GB
UHS-I 104
1Znm
Fino a 80/10
2.7V - 3.6V
-25°C - 85°C
SDSDQAD-xxxG
Da 8GB a 128GB
UHS-I 104
1Znm
Fino a 40/10
-25°C - 85°C
SDSDQAB-xxxG
Da 8GB a 64GB
UHS-I 50
1Znm
Fino a 20/5
-25°C - 85°C
. 11 gigabyte (GB) = 1 miliardo di byte.
. 2 Basato su test interni di SanDisk. Performance basata su interfaccia ad alta velocità e.MMC, utilizzando un bus a 8 bit. La velocità di lettura e scrittura può variare a seconda delle condizioni di lettura / scrittura.1 megabyte (MB) = 1 milione di byte.
