SDSDQAD-032G Карты памяти 32 ГБ UHS Класс 10 Карта MicroSD WD/SD

iNAND® 7350
iNAND® 7232
iNAND® 7250
Спецификация продукта
Мощность
32GB-256GB1
16GB-128GB1
8GB-64GB1
Интерфейс
e.MMC 5.1 HS400
e.MMC 5.1 HS400
e.MMC 5.1 HS400
Пакет (мм)
8 Гб

11.5х13х0,8 мм
16 ГБ

11.5х13х0,9 мм
11.5х13х0,8 мм
32 ГБ
11.5х13х0,8 мм
11.5х13х0,9 мм
11.5x13x1.0 мм
64 ГБ
11.5x13x1.0 мм
11.5x13x1.0 мм
11.5x13x1.2 мм
128 ГБ
11.5x13x1.0 мм
11.5x13x1.2 мм

256 ГБ
11.5x13x1.2 мм

Информация о заказе
8 Гб

SDINBDG4-8G
16 ГБ

SDINADF4-16G-L/H
SDINBDG4-16G
32 ГБ
SDINBDD4-32G
SDINADF4-32G-L/H
SDINBDG4-32G
64 ГБ
SDINBDD4-64G
SDINADF4-64G-L/H
SDINBDG4-64G
128 ГБ
SDINBDD4-128G
SDINADF4-128G-L/H

256 ГБ
SDINBDD4-256G

Карты microSD

Класс скорости U3/V30
Класс скорости 10
Класс скорости 4
Номер части
Мощность
Интерфейс
Технология NAND Flash
Производительность (MB/s) 2
Рабочее напряжение
Рабочая температура
SDSDQAE-xxxG
От 32 до 128 ГБ
UHS-1 104
1Znm
До 80/50
-25°C - 85°C
SDSDQAD-256G
256 ГБ
UHS-I 104
3D NAND
До 95/10
-25°C - 85°C
SDSDQAD-200G
200 ГБ
UHS-I 104
1Znm
До 80/10
2.7В - 3.6В
-25°C - 85°C
SDSDQAD-xxxG
От 8 до 128 ГБ
UHS-I 104
1Znm
До 40/10
-25°C - 85°C
SDSDQAB-xxxG
От 8 до 64 ГБ
UHS-I 50
1Znm
До 20/5
-25°C - 85°C
. 11 гигабайт (GB) = 1 миллиард байтов.
. 2 Основан на внутреннем тестировании SanDisk. Производительность основана на высокоскоростном интерфейсе e.MMC с использованием 8-битной шины. Скорость чтения и записи может варьироваться в зависимости от условий чтения / записи.1 мегабайт (МБ) = 1 миллион байтов.