Tarjetas de memoria SDSDQAD-032G de 32 GB, tarjeta MicroSD UHS Clase 10 WD/SD
iNAND® 7350
iNAND® 7232
iNAND® 7250
Especificaciones del producto
Capacidad
32GB-256GB1
16GB-128GB1
8GB-64GB1
Interfaz
e.MMC 5.1 HS400
e.MMC 5.1 HS400
e.MMC 5.1 HS400
Paquete (mm)
8GB
11.5x13x0.8mm
16GB
11.5x13x0.9mm
11.5x13x0.8mm
32GB
11.5x13x0.8mm
11.5x13x0.9mm
11.5x13x1.0mm
64GB
11.5x13x1.0mm
11.5x13x1.0mm
11.5x13x1.2mm
128GB
11.5x13x1.0mm
11.5x13x1.2mm
256GB
11.5x13x1.2mm
Información de pedido
8GB
SDINBDG4-8G
16GB
SDINADF4-16G-L/H
SDINBDG4-16G
32GB
SDINBDD4-32G
SDINADF4-32G-L/H
SDINBDG4-32G
64GB
SDINBDD4-64G
SDINADF4-64G-L/H
SDINBDG4-64G
128GB
SDINBDD4-128G
SDINADF4-128G-L/H
256GB
SDINBDD4-256G
Tarjetas microSD
Clase de velocidad U3/V30
Clase de velocidad 10
Clase de velocidad 4
Número de pieza
Capacidad
Interfaz
Tecnología NAND Flash
Rendimiento (MB/s)2
Voltaje de operación
Temperaturas de operación
SDSDQAE-xxxG
32GB a 128GB
UHS-1 104
1Znm
Hasta 80/50
-25°C - 85°C
SDSDQAD-256G
256GB
UHS-I 104
3D NAND
Hasta 95/10
-25°C - 85°C
SDSDQAD-200G
200GB
UHS-I 104
1Znm
Hasta 80/10
2.7V - 3.6V
-25°C - 85°C
SDSDQAD-xxxG
8GB a 128GB
UHS-I 104
1Znm
Hasta 40/10
-25°C - 85°C
SDSDQAB-xxxG
8GB a 64GB
UHS-I 50
1Znm
Hasta 20/5
-25°C - 85°C
. 1 1 gigabyte (GB) = mil millones de bytes.
. 2 Basado en pruebas internas de SanDisk. Rendimiento basado en la interfaz de alta velocidad e.MMC, utilizando un bus de 8 bits.
La velocidad de lectura y escritura puede variar según las condiciones de lectura/escritura. 1 megabyte (MB) = 1 millón de bytes.
