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| Markenname: | TOSHIBA |
| Modellnummer: | TK7A90E, S4X |
| Dokumentieren: | C5331584_%E5%9C%BA%E6%95%88...41.PDF |
| Hersteller | Toshiba |
| Produktkategorie | MOSFET |
| Technologie | Si |
| Montageart | Durchsteckmontage |
| Gehäuse | TO-220-3 |
| Transistorpolarität | N-Kanal |
| Anzahl der Kanäle | 1 Kanal |
| Drain-Source-Spannung (Vds) | 900 V |
| Dauer-Drain-Strom (Id) | 7 A |
| Drain-Source-On-Widerstand (Rds On) | 1,6 Ohm |
| Gate-Source-Spannung (Vgs) | -30 V, +30 V |
| Gate-Schwellenspannung (Vgs th) | 4 V |
| Gate-Ladung (Qg) | 32 nC |
| Fallzeit | 15 ns |
| Anstiegszeit | 20 ns |
| Einschaltverzögerungszeit | 55 ns |
| Ausschaltverzögerungszeit | 85 ns |
| Höhe | 15 mm |
| Länge | 10 mm |
| Breite | 4,5 mm |
| Gewicht | 2 g |
