|
| Nombre de la marca: | TOSHIBA |
| Número de modelo: | TK7A90E, S4X |
| Document: | C5331584_%E5%9C%BA%E6%95%88...41.PDF |
| Fabricante | Toshiba |
| Categoría de producto | MOSFET |
| Tecnología | Si |
| Estilo de montaje | Orificio pasante |
| Paquete/Carcasa | TO-220-3 |
| Polaridad del transistor | Canal N |
| Número de canales | 1 canal |
| Voltaje drenaje-fuente (Vds) | 900 V |
| Corriente continua de drenaje (Id) | 7 A |
| Resistencia drenaje-fuente en encendido (Rds On) | 1.6 Ohmios |
| Voltaje compuerta-fuente (Vgs) | -30 V, +30 V |
| Voltaje umbral de compuerta (Vgs th) | 4 V |
| Carga de compuerta (Qg) | 32 nC |
| Tiempo de caída | 15 ns |
| Tiempo de subida | 20 ns |
| Tiempo de retardo de encendido | 55 ns |
| Tiempo de retardo de apagado | 85 ns |
| Altura | 15 mm |
| Longitud | 10 mm |
| Ancho | 4.5 mm |
| Peso unitario | 2 g |
