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Toshiba TK7A90E N-Channel MOSFET 900V 7A TO-220-3

Category:
Toshiba Electronics
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C5331584_%E5%9C%BA%E6%95%88%E5%BA%94%E7%AE%A1%28MOSFET%29_TK7A90E%2CS4X%28S_%E8%A7%84%E6%A0%BC%E4%B9%A6_WJ127341.PDF
Specifications
Evidenziare:

Toshiba MOSFET a canale N 900V

,

7A TO-220-3 MOSFET

,

Transistor di potenza Toshiba TK7A90E

Introduzione
TK7A90E,S4X MOSFET a canale N
Visualizzazione del prodotto
Produttore Toshiba
Categoria di prodotto MOSFET
Tecnologia - Sì.
Stile di montaggio Attraverso il buco
Pacchetto/caso TO-220-3
Caratteristiche elettriche
Polarità del transistor Canale N
Numero di canali 1 canale
Voltaggio della sorgente di scarico (Vds) 900 V
Corrente di scarico continua (Id) 7 A
Resistenza all'accensione della fonte di scarico (Rds On) 1.6 Ohm
tensione della sorgente di porta (Vgs) -30 V, +30 V
Tensione di soglia di ingresso (Vgs th) 4 V
Cargo di porta (Qg) 32 nC
Caratteristiche di prestazione
Tempo di caduta 15 ns
E'ora di alzarsi. 20 ns
Tempo di ritardo di attivazione 55 ns
Tempo di ritardo di spegnimento 85 ns
Caratteristiche fisiche
Altezza 15 mm
Distanze 10 mm
Larghezza 4.5 mm
Peso unitario 2 g
Informazioni supplementari
Temperatura minima di funzionamento -55°C
Temperatura massima di funzionamento + 150°C
Dissipazione di potenza (Pd) 45 W
Modalità canale Miglioramento
Configurazione Non sposato
Nome commerciale MOSVIII
Serie TK7A90E
Quantità di imballaggio in fabbrica 50
Imballaggio Tubo
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Azione:
MOQ: