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K4A4G165WG-BCWE Samsung Semiconductor, Inc. DDR4-3200 4Gb (256MX16) 0.620ns SDRAM - IC di memoria DDR4 4Gbit parallelo 3200 Mbps 19 ns

categoria:
circuiti integrati analogici
Prezzo:
Negotiated
Metodo di pagamento:
T/T
Specifiche
D/c:
NUOVO, più recente, 16+, 2018+, originali
Tipo:
CI logici, CI di azionamento, Altro, Circuiti integrati, Interfacce - Interruttori analogici
Pacchetto:
BGA,DIP/SMD,SMD,Standard,SOP-14
Condizione:
Nuovo e originale, nuovissimo, originale al 100%, senza piombo/conforme alla direttiva ROHS
Stato senza piombo:
Senza piomboPB, senza piombo/conforme RoHS, senza piombo/RoHS, conforme a ROHS
Temperatura operativa:
standard,-40°C ~ 105°C,contattare con noi,-40°C ~ 85°C,0°C ~ 70°C
Spedizione entro:
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post, DHL
Skype:
Zhao.zzk293,CandyZhao,wengo.electronic,mbingjie,sales06.sfwy
Tempi di consegna:
in magazzino, 2-3 giorni, 1-3 giorni, contattaci
Garanzia:
365 giorni, 90 giorni
Applicazione:
Altro, computer, standard, prodotti elettronici
WhatsAPP:
86-13417070178,+86 13699821400,86-15007558828
E-mail:
nicole @ecmart.net,cliffe @jeking.cc,wengoic(at)hotmail.com
Spedizione:
DHL\UPS\Fedex\TNT\EMS, 1-3 giorni, CONSEGNA espressa
Confezione:
Imballaggio per esportazione sicuro e standard, nastro e bobina (TR)
Numero di parte:
MAX542,UPC844G2-E1,MAX5353BCUA+
Tensione di alimentazione:
Standard
Evidenziare:

IC di memoria DDR4 4Gbit

,

SDRAM DDR4-3200 4Gb

,

DDR4 parallelo 3200 Mbps

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Categoria
Circuiti integrati (CI)
Memoria
Memoria
Interfaccia della memoria
Parallelamente
Mfr
Samsung Semiconductor, Inc.
Frequenza dell'orologio
3200 Mbps
Imballaggio
Scaffale
Scrivere il tempo di ciclo - parola, pagina
15 ns
Status della parte
Attivo
Tempo di accesso
19 ns
Tipo di memoria
Volatile
Voltaggio - Fornitura
1.2V
Formato di memoria
DRAM
Temperatura di funzionamento
0°C ~ 95°C
Tecnologia
SDRAM - DDR4
Tipo di montaggio
Montaggio superficiale
Dimensione della memoria
4Gbit
Confezione / Cassa
96-FBGA
Organizzazione della memoria
256M x 16



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