K4A4G165WG-BCWE Samsung Semiconductor, Inc. DDR4-3200 4Gb (256MX16) 0.620ns SDRAM - CI de memoria DDR4 4Gbit paralelo 3200 Mbps 19 ns
categoría:
circuitos integrados analógicos
Precio:
Negotiated
Método de pago:
T/T
Presupuesto
CORRIENTE CONTINUA:
NUEVO, más nuevo, 16+, 2018+, originales
Tipo:
Circuitos integrados lógicos, circuitos integrados de accionamiento, otros, circuitos integrados, in
Paquete:
BGA, DIP/SMD, SMD, estándar, SOP-14
Condición:
Nuevo y original, más nuevo, original 100%, sin plomo/cumple con ROHS
Estado libre de plomo:
Sin plomo PB, sin plomo/cumple con RoHS, sin plomo/RoHS, cumple con ROHS
Temperatura de funcionamiento:
Estándar, -40°C ~ 105°C, contáctenos, -40°C ~ 85°C,0°C ~ 70°C
Envío por:
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post, DHL
¿ Qué pasa?:
Zhao.zzk293,CandyZhao,wengo.electronic,mbingjie,sales06.sfwy
Plazo de entrega:
en stock, 2-3 días, 1-3 días, contáctenos
Garantía:
365 días, 90 días
Solicitud:
Otros, Computadora, Estándar, Productos electrónicos
WhatsApp:
86-13417070178,+86 13699821400,86-15007558828
Correo electrónico:
nicole @ecmart.net,cliffe @jeking.cc,wengoic(arroba)hotmail.com
Envío:
DHL\UPS\Fedex\TNT\EMS, 1-3 días, ENTREGA exprés
Embalaje:
Embalaje, cinta y carrete de exportación estándar y seguro (TR)
Número de pieza:
MAX542,UPC844G2-E1,MAX5353BCUA+
Tensión de alimentación:
Estándar
Resaltar:
CI de memoria DDR4 4Gbit
,SDRAM DDR4-3200 4Gb
,DDR4 paralelo 3200 Mbps
Introducción
Atributos del producto
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Categoría
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria
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Interfaz de memoria
Paralelo
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Fabricante
Samsung Semiconductor, Inc.
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Frecuencia de reloj
3200 Mbps
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Embalaje
Bandeja
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Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página
15ns
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Estado de la pieza
Activo
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Tiempo de acceso
19 ns
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Tipo de memoria
Volátil
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Voltaje - Alimentación
1.2V
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Formato de memoria
DRAM
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Temperatura de funcionamiento
0°C ~ 95°C
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Tecnología
SDRAM - DDR4
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Tipo de montaje
Montaje en superficie
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Tamaño de memoria
4Gbit
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Paquete / Caja
96-FBGA
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Organización de memoria
256M x 16
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Existencias:
Cantidad mínima de pedido:
