K4A4G165WG-BCWE Samsung Semiconductor, Inc. DDR4-3200 4Gb (256MX16) 0.620ns SDRAM - DDR4 Memória IC 4Gbit Paralelo 3200 Mbps 19 ns
categoria:
circuitos integrados analógicos
Preço:
Negotiated
Método de pagamento:
T/T
Especificações
D/c:
NOVO, mais recente, 16+, 2018+, originais
Tipo:
CIs lógicos,IC de unidade,Outros,Circuitos integrados,Interface - Chaves analógicas
Pacote:
BGA,DIP/SMD,SMD,Padrão,SOP-14
Doença:
Novo e original, mais recente, original 100%, sem chumbo/compatível com ROHS
Status livre de chumbo:
Chumbo FreePB, sem chumbo / compatível com RoHS, sem chumbo / RoHS, compatível com ROHS
Temperatura operacional:
padrão,-40°C ~ 105°C,entre em contato conosco,-40°C ~ 85°C,0°C ~ 70°C
Envio por:
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post,DHL
Skype:
Zhao.zzk293, CandyZhao, wengo.electronic, mbingjie, sales06.sfwy
Tempo de espera:
em estoque, 2-3 dias, 1-3 dias, entre em contato conosco
Garantia:
365 dias, 90 dias
Aplicativo:
Outros,Computador,Stanard,Produtos Eletrônicos
WhatsAPP:
86-13417070178,+86 13699821400,86-15007558828
E-mail:
nicole @ecmart.net,cliffe @jeking.cc,wengoic(at)hotmail.com
Envio:
DHL\UPS\Fedex\TNT\EMS,1-3Dias, ENTREGA Expressa
Embalagem:
Embalagem de exportação segura e padrão, fita e carretel (TR)
Número da peça:
MAX542,UPC844G2-E1,MAX5353BCUA+
Tensão de alimentação:
Padrão
Destacar:
IC de memória DDR4 4Gbit
,SDRAM DDR4-3200 4 GB
,DDR4 paralelo 3200 Mbps
Introdução
Atributos do produto
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Categoria
Circuitos integrados (CIs)
Memória
Memória
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Interface de memória
Paralela
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Fabricante
Samsung Semiconductor, Inc.
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Frequência de clock
3200 Mbps
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Embalagem
Bandeja
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Tempo de ciclo de gravação - Palavra, página
15ns
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Status da peça
Ativo
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Tempo de acesso
19 ns
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Tipo de memória
Volátil
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Tensão - Alimentação
1.2V
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Formato de memória
DRAM
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Temperatura de operação
0°C ~ 95°C
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Tecnologia
SDRAM - DDR4
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Tipo de montagem
Montagem em superfície
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Tamanho da memória
4Gbit
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Pacote / Gabinete
96-FBGA
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Organização da memória
256M x 16
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Estoque:
Quantidade mínima:
