ホーム > 製品 > アナログ統合回路 > K4A4G165WG-BCWE Samsung Semiconductor, Inc. DDR4-3200 4Gb (256MX16) 0.620ns SDRAM - DDR4 メモリ IC 4Gbit パラレル 3200 Mbps 19 ns

K4A4G165WG-BCWE Samsung Semiconductor, Inc. DDR4-3200 4Gb (256MX16) 0.620ns SDRAM - DDR4 メモリ IC 4Gbit パラレル 3200 Mbps 19 ns

カテゴリ:
アナログ統合回路
価格:
Negotiated
支払方法:
T/T
仕様
d/c:
NEW,最新,16+,2018+,オリジナル
タイプ:
ロジックIC、ドライブIC、その他、集積回路、インターフェース - アナログスイッチ
パッケージ:
BGA、DIP/SMD、SMD、スタンダード、SOP-14
状態:
新品およびオリジナル、最新、オリジナル 100%、鉛フリー/ROHS 準拠
鉛フリーステータス:
鉛フリーPB、鉛フリー/RoHS準拠、鉛フリー/RoHS、ROHS準拠
動作温度:
標準、-40°C ~ 105°C、お問い合わせください、-40°C ~ 85°C、0°C ~ 70°C
配送業者:
DHL\UPS\Fedex\EMS\HKポスト、DHL
スカイプ:
Zhao.zzk293、CandyZhao、wengo.electronic、mbingjie、sales06.sfwy
リードタイム:
在庫あり、2〜3日、1〜3日、お問い合わせください
保証:
365日、90日
応用:
その他、コンピュータ、標準、電子製品
WhatsAPP:
86-13417070178、+86 13699821400、86-15007558828
電子メール:
ニコール @ecmart.net、クリフ @jeking.cc、wengoic(at)hotmail.com
配送:
DHL\UPS\Fedex\TNT\EMS、1-3日、速達配達
包装:
安全、標準輸出梱包、テープ&リール (TR)
部品番号:
MAX542、UPC844G2-E1、MAX5353BCUA+
電源電圧:
標準
ハイライト:

DDR4 メモリ IC 4Gbit

,

SDRAM DDR4-3200 4Gb

,

DDR4 パラレル 3200 Mbps

紹介
製品属性
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カテゴリ
集積回路(IC)
メモリ
メモリ
メモリインターフェース
パラレル
メーカー
Samsung Semiconductor, Inc.
クロック周波数
3200 Mbps
パッケージング
トレイ
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
15ns
部品状況
アクティブ
アクセス時間
19 ns
メモリタイプ
揮発性
電源電圧
1.2V
メモリフォーマット
DRAM
動作温度
0°C ~ 95°C
技術
SDRAM - DDR4
取り付けタイプ
表面実装
メモリ容量
4Gbit
パッケージ/ケース
96-FBGA
メモリ構成
256M x 16



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