K4A4G165WG-BCWE Samsung Semiconductor, Inc. DDR4-3200 4Gb (256MX16) 0.620ns SDRAM - DDR4 メモリ IC 4Gbit パラレル 3200 Mbps 19 ns
仕様
d/c:
NEW,最新,16+,2018+,オリジナル
タイプ:
ロジックIC、ドライブIC、その他、集積回路、インターフェース - アナログスイッチ
パッケージ:
BGA、DIP/SMD、SMD、スタンダード、SOP-14
状態:
新品およびオリジナル、最新、オリジナル 100%、鉛フリー/ROHS 準拠
鉛フリーステータス:
鉛フリーPB、鉛フリー/RoHS準拠、鉛フリー/RoHS、ROHS準拠
動作温度:
標準、-40°C ~ 105°C、お問い合わせください、-40°C ~ 85°C、0°C ~ 70°C
配送業者:
DHL\UPS\Fedex\EMS\HKポスト、DHL
スカイプ:
Zhao.zzk293、CandyZhao、wengo.electronic、mbingjie、sales06.sfwy
リードタイム:
在庫あり、2〜3日、1〜3日、お問い合わせください
保証:
365日、90日
応用:
その他、コンピュータ、標準、電子製品
WhatsAPP:
86-13417070178、+86 13699821400、86-15007558828
電子メール:
ニコール @ecmart.net、クリフ @jeking.cc、wengoic(at)hotmail.com
配送:
DHL\UPS\Fedex\TNT\EMS、1-3日、速達配達
包装:
安全、標準輸出梱包、テープ&リール (TR)
部品番号:
MAX542、UPC844G2-E1、MAX5353BCUA+
電源電圧:
標準
ハイライト:
DDR4 メモリ IC 4Gbit
,SDRAM DDR4-3200 4Gb
,DDR4 パラレル 3200 Mbps
紹介
製品属性
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カテゴリ
集積回路(IC)
メモリ
メモリ
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メモリインターフェース
パラレル
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メーカー
Samsung Semiconductor, Inc.
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クロック周波数
3200 Mbps
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パッケージング
トレイ
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書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
15ns
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部品状況
アクティブ
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アクセス時間
19 ns
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メモリタイプ
揮発性
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電源電圧
1.2V
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メモリフォーマット
DRAM
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動作温度
0°C ~ 95°C
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技術
SDRAM - DDR4
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取り付けタイプ
表面実装
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メモリ容量
4Gbit
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パッケージ/ケース
96-FBGA
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メモリ構成
256M x 16
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RFQを送りなさい
ストック:
MOQ: