ATSAMD51G18A-MU Microchip IC MCU 32BIT 256KB FLASH 48VQFN Circuits intégrés
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,48VQFN Circuits intégrés
,MCU IC 32BIT 256KB FLASH
ATSAMD51G18A-MU puce IC MCU 32BIT 256KB FLASH 48VQFN circuits intégrés
Microcontrôleurs ARM - MCU 120MHZ 256KB FLASH 4 8 QFN
IC MCU 32BIT 256KB FLASH 48QFN
Microcontrôleur série ARM® Cortex®-M4F IC 32 bits monocœur 120 MHz 256 Ko (256 K x 8) FLASH 48-QFN (7 x 7)
ATSAMD51G18A-MUSpécification :
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Catégorie
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Circuits intégrés (CI)
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Embarqué - Microcontrôleurs
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Fabricant
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Technologie des micropuces
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Série
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SAM D51
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Emballer
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Plateau
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Statut du produit
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Actif
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Processeur principal
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ARM® Cortex®-M4F
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Taille du noyau
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Monocœur 32 bits
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Vitesse
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120 MHz
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Connectivité
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EBI/EMI, I²C, IrDA, LINbus, MMC/SD, QSPI, SPI, UART/USART, USB
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Périphériques
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Détection/réinitialisation de baisse de tension, DMA, I²S, POR, PWM
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Nombre d'E/S
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37
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Taille de la mémoire du programme
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256 Ko (256 Ko x 8)
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Type de mémoire de programme
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ÉCLAIR
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Taille EEPROM
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-
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Taille de la RAM
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128 Ko x 8
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Tension - Alimentation (Vcc/Vdd)
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1,71 V ~ 3,63 V
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Convertisseurs de données
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A/N 20x12b ; D/A2x12b
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Type d'oscillateur
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Interne
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Température de fonctionnement
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-40 °C ~ 85 °C (TA)
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Type de montage
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Montage en surface
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Colis/Caisse
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Tampon exposé 48-VFQFN
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Package d'appareil du fournisseur
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48-QFN (7x7)
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Numéro de produit de base
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ATSAMD51
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Caractéristiques:
Conditions de fonctionnement :
• 1,71 V à 3,63 V, -40 °C à +125 °C, CC à 100 MHz
• 1,71 V à 3,63 V, -40 °C à +105 °C, CC à 120 MHz
• 1,71 V à 3,63 V, -40 °C à +85 °C, CC à 120 MHz
Noyau : Arm Cortex-M4 120 MHz
• 403 CoreMark® à 120 MHz
• 4 Ko de cache d'instructions et de cache de données combinés
• Unité de protection de mémoire (MPU) à 8 zones
• Jeu d'instructions Thumb®-2
• Module de trace intégré (ETM) avec flux de trace d'instructions
• Tampon de trace intégré (ETB) Core Sight
• Unité d'interface de port de trace (TPIU)
• Unité à virgule flottante (FPU)
Souvenirs
• Flash auto-programmable intégré au système de 1 Mo/512 Ko/256 Ko avec :
– Code de correction d’erreur (ECC)
- Double banque avec prise en charge de la lecture en cours d'écriture (RWW)
– Émulation matérielle EEPROM (SmartEEPROM)
• Mémoire principale SRAM de 128 Ko, 192 Ko, 256 Ko
- 64 Ko, 96 Ko, 128 Ko d'option RAM de code de correction d'erreur (ECC)
• Jusqu'à 4 Ko de mémoire étroitement couplée (TCM)
• Jusqu'à 8 Ko de SRAM supplémentaire
– Peut être conservé en mode sauvegarde
• Huit registres de sauvegarde 32 bits
Système
• Réinitialisation à la mise sous tension (POR) et détection de baisse de tension (BOD)
• Options d'horloge interne et externe
• Contrôleur d'interruption externe (EIC)
• 16 interruptions externes
• Une interruption non masquable
• Interface de programmation, de test et de débogage Serial Wire Debug (SWD) à deux broches
Alimentation
• Modes veille, veille, veille prolongée, sauvegarde et veille
• Périphériques de somnambulisme
• Prise en charge de la batterie de secours
• Régulateur Buck/LDO intégré prenant en charge la sélection à la volée
Classifications environnementales et d'exportation
| ATTRIBUT | DESCRIPTION |
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| Statut RoHS | Conforme ROHS3 |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 heures) |
| Statut REACH | REACH non affecté |
| ECCN | 3A991B1A |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
