ATSAMD51G18A-MU Microchip IC MCU 32BIT 256KB FLASH 48VQFN Circuiti integrati
ATSAMD51G18A-MU Microchip IC
,48VQFN Circuiti integrati
,MCU IC 32BIT 256KB FLASH
ATSAMD51G18A-MU Microchip IC MCU 32BIT 256KB FLASH 48VQFN Circuiti integrati
Microcontrollori ARM - MCU 120MHZ 256KB FLASH 4 8 QFN
IC MCU 32BIT 256KB FLASH 48QFN
Microcontrollore IC ARM® Cortex®-M4F serie 32-Bit Single-Core 120MHz 256KB (256K x 8) FLASH 48-QFN (7x7)
ATSAMD51G18A-MU Specifiche :
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Categoria
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Circuiti Integrati (CI)
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Microcontrollori Embedded
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Produttore
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Microchip Technology
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Serie
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SAM D51
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Package
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Tray
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Stato del prodotto
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Attivo
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Processore Core
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ARM® Cortex®-M4F
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Dimensione Core
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32-Bit Single-Core
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Velocità
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120MHz
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Connettività
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EBI/EMI, I²C, IrDA, LINbus, MMC/SD, QSPI, SPI, UART/USART, USB
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Periferiche
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Brown-out Detect/Reset, DMA, I²S, POR, PWM
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Numero di I/O
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37
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Dimensione Memoria Programma
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256KB (256K x 8)
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Tipo Memoria Programma
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FLASH
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Dimensione EEPROM
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-
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Dimensione RAM
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128K x 8
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Tensione - Alimentazione (Vcc/Vdd)
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1.71V ~ 3.63V
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Convertitori Dati
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A/D 20x12b; D/A 2x12b
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Tipo Oscillatore
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Interno
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Temperatura Operativa
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-40°C ~ 85°C (TA)
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Tipo di Montaggio
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Montaggio Superficiale
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Package / Case
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48-VFQFN Exposed Pad
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Package del Dispositivo Fornitore
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48-QFN (7x7)
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Numero Prodotto Base
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ATSAMD51
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Caratteristiche:
Condizioni Operative:
• Da 1.71V a 3.63V, da -40°C a +125°C, DC a 100 MHz
• Da 1.71V a 3.63V, da -40°C a +105°C, DC a 120 MHz
• Da 1.71V a 3.63V, da -40°C a +85°C, DC a 120 MHz
Core: Arm Cortex-M4 da 120 MHz
• 403 CoreMark® a 120 MHz
• Cache istruzioni e dati combinata da 4 KB
• Unità di Protezione Memoria (MPU) a 8 zone
• Set di istruzioni Thumb®-2
• Modulo Embedded Trace (ETM) con stream di traccia istruzioni
• Core Sight Embedded Trace Buffer (ETB)
• Trace Port Interface Unit (TPIU)
• Floating Point Unit (FPU)
Memorie
• Flash auto-programmabile in-system da 1 MB/512 KB/256 KB con:
– Codice di Correzione Errori (ECC)
– Dual bank con supporto Read-While-Write (RWW)
– Emulazione hardware EEPROM (SmartEEPROM)
• Memoria principale SRAM da 128 KB, 192 KB, 256 KB
– Opzione RAM con Codice di Correzione Errori (ECC) da 64 KB, 96 KB, 128 KB
• Fino a 4 KB di Tightly Coupled Memory (TCM)
• Fino a 8 KB di SRAM aggiuntiva
– Può essere mantenuta in modalità di backup
• Otto registri di backup a 32 bit
Sistema
• Power-on Reset (POR) e Brown-out detection (BOD)
• Opzioni clock interne ed esterne
• External Interrupt Controller (EIC)
• 16 interrupt esterni
• Un interrupt non mascherabile
• Interfaccia di programmazione, test e debug Serial Wire Debug (SWD) a due pin
Alimentazione
• Modalità di sleep Idle, Standby, Hibernate, Backup e Off
• Periferiche SleepWalking
• Supporto per backup batteria
• Regolatore Buck/LDO integrato che supporta la selezione al volo
Classificazioni Ambientali ed Esportazione
| ATTRIBUTO | DESCRIZIONE |
|---|---|
| Stato RoHS | Conforme ROHS3 |
| Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL) | 3 (168 Ore) |
| Stato REACH | REACH Non Interessato |
| ECCN | 3A991B1A |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
