ATSAMD51G18A-MU Microchip IC MCU 32BIT 256KB FLASH 48VQFN ολοκληρωμένα κυκλώματα
Επικεφαλίδα μικροτσίπ ATSAMD51G18A-MU
,48VQFN ολοκληρωμένα κυκλώματα
,MCU IC 32BIT 256KB FLASH
ATSAMD51G18A-MU Microchip IC MCU 32BIT 256KB FLASH 48VQFN Ολοκληρωμένα κυκλώματα
ARM Μικροελεγκτές - MCU 120MHZ 256KB FLASH 4 8 QFN
IC MCU 32BIT 256KB FLASH 48QFN
ARM® Cortex®-M4F σειρά Μικροελεγκτής IC 32-Bit Μονοπύρηνος 120MHz 256KB (256K x 8) FLASH 48-QFN (7x7)
ATSAMD51G18A-MU Προδιαγραφές :
|
Κατηγορία
|
Ολοκληρωμένα Κυκλώματα (ICs)
|
|
Ενσωματωμένοι - Μικροελεγκτές
|
|
|
Κατασκευαστής
|
Microchip Technology
|
|
Σειρά
|
SAM D51
|
|
Συσκευασία
|
Ταινία
|
|
Κατάσταση Προϊόντος
|
Ενεργό
|
|
Επεξεργαστής Πυρήνα
|
ARM® Cortex®-M4F
|
|
Μέγεθος Πυρήνα
|
32-Bit Μονοπύρηνος
|
|
Ταχύτητα
|
120MHz
|
|
Συνδεσιμότητα
|
EBI/EMI, I²C, IrDA, LINbus, MMC/SD, QSPI, SPI, UART/USART, USB
|
|
Περιφερειακά
|
Ανίχνευση/Επαναφορά Υποτάσης, DMA, I²S, POR, PWM
|
|
Αριθμός I/O
|
37
|
|
Μέγεθος Μνήμης Προγράμματος
|
256KB (256K x 8)
|
|
Τύπος Μνήμης Προγράμματος
|
FLASH
|
|
Μέγεθος EEPROM
|
-
|
|
Μέγεθος RAM
|
128K x 8
|
|
Τάση Τροφοδοσίας (Vcc/Vdd)
|
1.71V ~ 3.63V
|
|
Μετατροπείς Δεδομένων
|
A/D 20x12b; D/A 2x12b
|
|
Τύπος Ταλαντωτή
|
Εσωτερικός
|
|
Θερμοκρασία Λειτουργίας
|
-40°C ~ 85°C (TA)
|
|
Τύπος Τοποθέτησης
|
Επιφανειακή Τοποθέτηση
|
|
Συσκευασία / Θήκη
|
48-VFQFN Εκτεθειμένο Πέλμα
|
|
Συσκευασία Συσκευής Προμηθευτή
|
48-QFN (7x7)
|
|
Αριθμός Βασικού Προϊόντος
|
ATSAMD51
|
Χαρακτηριστικά:
Συνθήκες Λειτουργίας:
• 1.71V έως 3.63V, -40°C έως +125°C, DC έως 100 MHz
• 1.71V έως 3.63V, -40°C έως +105°C, DC έως 120 MHz
• 1.71V έως 3.63V, -40°C έως +85°C, DC έως 120 MHz
Πυρήνας: 120 MHz Arm Cortex-M4
• 403 CoreMark® στα 120 MHz
• 4 KB συνδυασμένη κρυφή μνήμη εντολών και κρυφή μνήμη δεδομένων
• Μονάδα Προστασίας Μνήμης 8 Ζωνών (MPU)
• Σύνολο εντολών Thumb®-2
• Ενσωματωμένη Μονάδα Ανίχνευσης (ETM) με ροή ανίχνευσης εντολών
• Core Sight Embedded Trace Buffer (ETB)
• Trace Port Interface Unit (TPIU)
• Floating Point Unit (FPU)
Μνήμες
• 1 MB/512 KB/256 KB Flash που προγραμματίζεται αυτόματα στο σύστημα με:
– Κώδικας Διόρθωσης Σφαλμάτων (ECC)
– Διπλή τράπεζα με υποστήριξη Read-While-Write (RWW)
– Προσομοίωση υλικού EEPROM (SmartEEPROM)
• 128 KB, 192 KB, 256 KB κύρια μνήμη SRAM
– Επιλογή RAM με Κώδικα Διόρθωσης Σφαλμάτων (ECC) 64 KB, 96 KB, 128 KB
• Έως 4 KB Tightly Coupled Memory (TCM)
• Έως 8 KB επιπλέον SRAM
– Μπορεί να διατηρηθεί σε κατάσταση αναμονής
• Οκτώ καταχωρητές αναμονής 32-bit
Σύστημα
• Επαναφορά κατά την εκκίνηση (POR) και ανίχνευση υποτάσης (BOD)
• Εσωτερικές και εξωτερικές επιλογές ρολογιού
• Εξωτερικός Ελεγκτής Διακοπών (EIC)
• 16 εξωτερικές διακοπές
• Μία μη-αποκλειόμενη διακοπή
• Διεπαφή προγραμματισμού, δοκιμής και αποσφαλμάτωσης Serial Wire Debug (SWD) δύο ακίδων
Τροφοδοσία
• Καταστάσεις ύπνου Idle, Standby, Hibernate, Backup και Off
• SleepWalking περιφερειακά
• Υποστήριξη εφεδρικής μπαταρίας
• Ενσωματωμένος ρυθμιστής Buck/LDO που υποστηρίζει επιλογή εν κινήσει
Περιβαλλοντικές & Εξαγωγικές Ταξινομήσεις
| ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΟ | ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ |
|---|---|
| Κατάσταση RoHS | Συμβατό με ROHS3 |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) | 3 (168 Ώρες) |
| Κατάσταση REACH | REACH Απρόσβλητο |
| ECCN | 3A991B1A |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
