ATSAMD51G18A-MU Mikrochip IC MCU 32BIT 256KB FLASH 48VQFN Integrierte Schaltkreise
ATSAMD51G18A-MU Microchip IC
,48VQFN Integrierte Schaltungen
,MCU IC 32BIT 256KB FLASH
ATSAMD51G18A-MU Microchip IC MCU 32BIT 256KB FLASH 48VQFN Integrierte Schaltungen
ARM Mikrocontroller - MCU 120MHZ 256KB FLASH 4 8 QFN
IC MCU 32BIT 256KB FLASH 48QFN
ARM® Cortex®-M4F Serie Mikrocontroller IC 32-Bit Single-Core 120MHz 256KB (256K x 8) FLASH 48-QFN (7x7)
ATSAMD51G18A-MU Spezifikation :
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Kategorie
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Integrierte Schaltungen (ICs)
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Embedded - Mikrocontroller
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Hersteller
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Microchip Technology
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Serie
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SAM D51
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Gehäuse
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Tray
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Produktstatus
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Aktiv
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Core-Prozessor
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ARM® Cortex®-M4F
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Core-Größe
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32-Bit Single-Core
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Geschwindigkeit
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120MHz
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Konnektivität
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EBI/EMI, I²C, IrDA, LINbus, MMC/SD, QSPI, SPI, UART/USART, USB
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Peripheriegeräte
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Brown-out Detect/Reset, DMA, I²S, POR, PWM
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Anzahl der I/O
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37
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Programmspeichergröße
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256KB (256K x 8)
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Programmspeichertyp
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FLASH
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EEPROM-Größe
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-
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RAM-Größe
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128K x 8
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Spannung - Versorgung (Vcc/Vdd)
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1.71V ~ 3.63V
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Datenwandler
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A/D 20x12b; D/A 2x12b
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Oszillatortyp
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Intern
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Betriebstemperatur
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-40°C ~ 85°C (TA)
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Montagetyp
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Oberflächenmontage
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Gehäuse / Case
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48-VFQFN Exposed Pad
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Lieferanten-Gerätepaket
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48-QFN (7x7)
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Basisproduktnummer
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ATSAMD51
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Merkmale:
Betriebsbedingungen:
• 1,71V bis 3,63V, -40°C bis +125°C, DC bis 100 MHz
• 1,71V bis 3,63V, -40°C bis +105°C, DC bis 120 MHz
• 1,71V bis 3,63V, -40°C bis +85°C, DC bis 120 MHz
Core: 120 MHz Arm Cortex-M4
• 403 CoreMark® bei 120 MHz
• 4 KB kombinierter Instruktions- und Daten-Cache
• 8-Zonen-Speicherschutz-Einheit (MPU)
• Thumb®-2 Befehlssatz
• Embedded Trace Module (ETM) mit Instruktions-Trace-Stream
• Core Sight Embedded Trace Buffer (ETB)
• Trace Port Interface Unit (TPIU)
• Floating Point Unit (FPU)
Speicher
• 1 MB/512 KB/256 KB In-System selbstprogrammierbarer Flash mit:
– Fehlerkorrekturcode (ECC)
– Dual-Bank mit Read-While-Write (RWW) Unterstützung
– EEPROM-Hardware-Emulation (SmartEEPROM)
• 128 KB, 192 KB, 256 KB SRAM Hauptspeicher
– 64 KB, 96 KB, 128 KB Fehlerkorrekturcode (ECC) RAM-Option
• Bis zu 4 KB Tightly Coupled Memory (TCM)
• Bis zu 8 KB zusätzlicher SRAM
– Kann im Backup-Modus gehalten werden
• Acht 32-Bit Backup-Register
System
• Power-on Reset (POR) und Brown-out-Erkennung (BOD)
• Interne und externe Taktoptionen
• External Interrupt Controller (EIC)
• 16 externe Interrupts
• Ein nicht maskierbarer Interrupt
• Zwei-Pin Serial Wire Debug (SWD) Programmier-, Test- und Debug-Schnittstelle
Stromversorgung
• Idle, Standby, Hibernate, Backup und Off Sleep-Modi
• SleepWalking Peripheriegeräte
• Batterie-Backup-Unterstützung
• Eingebetteter Buck/LDO-Regler, der die Auswahl während des Betriebs unterstützt
Umwelt- und Exportklassifizierungen
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
|---|---|
| RoHS-Status | ROHS3-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 3 (168 Stunden) |
| REACH-Status | REACH unbeeinflusst |
| ECCN | 3A991B1A |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
