Микроконтроллер Microchip ATSAMD51G18A-MU, 32-разрядный, 256 КБ Flash, 48VQFN
IC с микрочипом ATSAMD51G18A-MU
,48VQFN интегральные схемы
,MCU IC 32BIT 256KB Flash
ATSAMD51G18A-MU Microchip IC MCU 32BIT 256KB FLASH 48VQFN Интегральные схемы
ARM Микроконтроллеры - MCU 120MHZ 256KB FLASH 4 8 QFN
IC MCU 32BIT 256KB FLASH 48QFN
ARM® Cortex®-M4F серия Микроконтроллер IC 32-разрядный одноядерный 120MHz 256KB (256K x 8) FLASH 48-QFN (7x7)
ATSAMD51G18A-MU Спецификация :
|
Категория
|
Интегральные схемы (ИС)
|
|
Встроенные - Микроконтроллеры
|
|
|
Производитель
|
Microchip Technology
|
|
Серия
|
SAM D51
|
|
Корпус
|
Лента
|
|
Статус продукта
|
Активный
|
|
Ядерный процессор
|
ARM® Cortex®-M4F
|
|
Размер ядра
|
32-разрядный одноядерный
|
|
Скорость
|
120MHz
|
|
Подключение
|
EBI/EMI, I²C, IrDA, LINbus, MMC/SD, QSPI, SPI, UART/USART, USB
|
|
Периферия
|
Обнаружение/сброс при пониженном напряжении, DMA, I²S, POR, PWM
|
|
Количество входов/выходов
|
37
|
|
Размер памяти программ
|
256KB (256K x 8)
|
|
Тип памяти программ
|
FLASH
|
|
Размер EEPROM
|
-
|
|
Размер ОЗУ
|
128K x 8
|
|
Напряжение питания (Vcc/Vdd)
|
1.71V ~ 3.63V
|
|
Преобразователи данных
|
A/D 20x12b; D/A 2x12b
|
|
Тип генератора
|
Внутренний
|
|
Рабочая температура
|
-40°C ~ 85°C (TA)
|
|
Тип монтажа
|
Поверхностный монтаж
|
|
Корпус / корпус
|
48-VFQFN с открытой площадкой
|
|
Корпус устройства поставщика
|
48-QFN (7x7)
|
|
Базовый номер продукта
|
ATSAMD51
|
Особенности:
Условия эксплуатации:
• от 1.71 В до 3.63 В, от -40°C до +125°C, от постоянного тока до 100 МГц
• от 1.71 В до 3.63 В, от -40°C до +105°C, от постоянного тока до 120 МГц
• от 1.71 В до 3.63 В, от -40°C до +85°C, от постоянного тока до 120 МГц
Ядро: 120 МГц Arm Cortex-M4
• 403 CoreMark® при 120 МГц
• 4 КБ объединенного кэша инструкций и данных
• 8-зонный блок защиты памяти (MPU)
• набор инструкций Thumb®-2
• встроенный модуль трассировки (ETM) с потоком трассировки инструкций
• встроенный буфер трассировки Core Sight (ETB)
• блок интерфейса трассировки (TPIU)
• блок операций с плавающей запятой (FPU)
Память
• 1 МБ/512 КБ/256 КБ самопрограммируемая Flash в системе с:
– код коррекции ошибок (ECC)
– двухбанковая поддержка Read-While-Write (RWW)
– аппаратная эмуляция EEPROM (SmartEEPROM)
• 128 КБ, 192 КБ, 256 КБ основной памяти SRAM
– вариант ОЗУ с кодом коррекции ошибок (ECC) 64 КБ, 96 КБ, 128 КБ
• до 4 КБ тесно связанной памяти (TCM)
• до 8 КБ дополнительной ОЗУ
– может сохраняться в резервном режиме
• восемь 32-разрядных регистров резервного копирования
Система
• сброс при включении питания (POR) и обнаружение пониженного напряжения (BOD)
• варианты внутреннего и внешнего тактового сигнала
• внешний контроллер прерываний (EIC)
• 16 внешних прерываний
• одно немаскируемое прерывание
• двухконтактный интерфейс последовательной отладки (SWD) для программирования, тестирования и отладки
Источник питания
• режимы сна: Idle, Standby, Hibernate, Backup и Off
• периферия SleepWalking
• поддержка резервного питания от батареи
• встроенный регулятор Buck/LDO с поддержкой выбора в реальном времени
Экологические и экспортные классификации
| АТРИБУТ | ОПИСАНИЕ |
|---|---|
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень влагочувствительности (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не затронут |
| ECCN | 3A991B1A |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
