BSC010NE2LSI OptiMOS 25V N-Kanal-Leistungs-MOSFET für Bordladegerät
OptiMOS 25V N-Kanal-Stromversorgungs-MOSFET
,BSC010NE2LSI N-Kanal-Leistungs-MOSFET
,BSC010NE2LSI OptiMOS 25V
BSC010NE2LSI OptiMOS 25V N-Kanal Power MOSFET für Onboard-Ladegerät, Hauptplatine, Notebook, DC-DC, VRD/VRM, LED, Motorsteuerung
Anwendungen:
Onboard-Ladegerät
Hauptplatine
Notebook
DC-DC
VRD/VRM
LED
Motorsteuerung
Mit der OptiMOS™ 25V Produktfamilie setzt Infineon neue Maßstäbe in Bezug auf Leistungsdichte und Energieeffizienz für diskrete Power-MOSFETs und System-in-Package. Die extrem geringe Gate- und Ausgangsladung, zusammen mit dem niedrigsten Einschaltwiderstand in kleinen Gehäusen, machen OptiMOS™ 25V zur besten Wahl für die anspruchsvollen Anforderungen von Spannungsreglerlösungen in Server-, Datacom- und Telekommunikationsanwendungen. Verfügbar in Halbbrückenkonfiguration (Leistungsstufe 5x6).
Vorteile:
Einsparung der Gesamtsystemkosten durch Reduzierung der Phasenanzahl in Mehrphasenwandlern
Reduzierung von Leistungsverlusten und Erhöhung der Effizienz unter allen Lastbedingungen
Platzersparnis durch kleinste Gehäuse wie CanPAK™, S3O8 oder System-in-Package-Lösungen
Minimierung von EMI im System, wodurch externe Snubber-Netzwerke überflüssig werden und die Produkte einfach zu integrieren sind.
Spezifikationen:
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
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Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln
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| Hersteller |
Infineon Technologies
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Serie
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OptiMOS™
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Gehäuse
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Tape & Reel (TR)
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Polarität
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Aktiv
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FET-Typ
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N-Kanal
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Technologie
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MOSFET (Metalloxid)
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Drain-Source-Spannung (Vdss)
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100 V
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Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C
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2,7 V 2 V 3,5 V
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Ansteuerspannung (Max Rds On, Min Rds On)
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6V, 10V
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Rds On (Max) bei Id, Vgs
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7mOhm bei 50A, 10V
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Vgs(th) (Max) bei Id
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3,5V bei 75µA
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Gate-Ladung (Qg) (Max) bei Vgs
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55 nC bei 10 V
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Vgs (Max)
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±20V
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Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
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4000 pF bei 50 V
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FET-Merkmal
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-
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Leistungsverlust (Max)
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114W (Tc)
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Betriebstemperatur
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montagetyp
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Oberflächenmontage
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Lieferanten-Teilenummer
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PG-TDSON-8-1
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Gehäuse / Case
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8-PowerTDFN
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Basisproduktnummer
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BSC070
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Parametrik
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BSC070N10NS3G
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| Ciss | 3000 pF |
| Coss | 520 pF |
| ID (@25°C) max | 90 A |
| IDpuls max | 360 A |
| Betriebstemperatur min max | -55 °C 150 °C |
| Ptot max | 114 W |
| Gehäuse | SuperSO8 5x6 |
| Polarität | N |
| QG (typ @10V) | 42 nC |
| RDS (on) (@10V) max | 7 mΩ |
| Rth | 1,1 K/W |
| VDS max | 100 V |
| VGS(th) min max | 2,7 V 2 V 3,5 V |
