BSC010NE2LSI OptiMOS 25V N-канальный силовой MOSFET для основной платы бортового зарядного устройства
OptiMOS 25V N-канальный силовой MOSFET
,BSC010NE2LSI N-канальный силовой MOSFET
,BSC010NE2LSI OptiMOS 25V
BSC010NE2LSI OptiMOS 25V N-канальный силовой MOSFET для бортового зарядного устройства, материнской платы ноутбука, DC-DC, VRD/VRM, светодиодов, управления двигателем
Применение:
Бортовое зарядное устройство
Материнская плата
Ноутбук
DC-DC
VRD/VRM
Светодиод
Управление двигателем
С семейством продуктов OptiMOS™ 25V Infineon устанавливает новые стандарты в области плотности мощности и энергоэффективности для дискретных силовых MOSFET и систем в корпусе. Сверхнизкий заряд затвора и выходной заряд в сочетании с самым низким сопротивлением в открытом состоянии в корпусах малого размера делают OptiMOS™ 25V лучшим выбором для требовательных требований решений регуляторов напряжения в серверах, приложениях для передачи данных и телекоммуникаций. Доступен в конфигурации полумоста (силовой каскад 5x6).
Преимущества :
Снижение общих системных затрат за счет уменьшения количества фаз в многофазных преобразователях
Снижение потерь мощности и повышение эффективности при любых условиях нагрузки
Экономия места благодаря самым маленьким корпусам, таким как CanPAK™, S3O8 или решениям в корпусе
Минимизация электромагнитных помех в системе, делая внешние цепи подавления помех ненужными, и упрощая интеграцию продуктов.
Спецификации:
Категория
Дискретные полупроводниковые приборы
|
|
Транзисторы - полевые транзисторы, MOSFET - одиночные
|
| Производитель |
Infineon Technologies
|
|
Серия
|
OptiMOS™
|
|
Корпус
|
Лента и катушка (TR)
|
|
Полярность
|
Активный
|
|
Тип FET
|
N-канальный
|
|
Технология
|
MOSFET (металлооксидный)
|
|
Напряжение от стока к истоку (Vdss)
|
100 В
|
|
Ток - непрерывный ток стока (Id) при 25°C
|
2,7 В 2 В 3,5 В
|
|
Напряжение управления (макс. Rds On, мин. Rds On)
|
6В, 10В
|
|
Rds On (макс.) при Id, Vgs
|
7 мОм при 50А, 10В
|
|
Vgs(th) (макс.) при Id
|
3,5 В при 75 мкА
|
|
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
|
55 нКл при 10 В
|
|
Vgs (макс.)
|
±20В
|
|
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
|
4000 пФ при 50 В
|
|
Характеристика FET
|
-
|
|
Рассеиваемая мощность (макс.)
|
114 Вт (Tc)
|
|
Рабочая температура
|
-55°C ~ 150°C (TJ)
|
|
Тип монтажа
|
Поверхностный монтаж
|
|
Корпус поставщика
|
PG-TDSON-8-1
|
|
Корпус / корпус
|
8-PowerTDFN
|
|
Базовый номер продукта
|
BSC070
|
|
Параметры
|
BSC070N10NS3G
|
| Ciss | 3000 пФ |
| Coss | 520 пФ |
| ID (@25°C) макс. | 90 А |
| IDpuls макс. | 360 А |
| Рабочая температура мин. макс. | -55 °C 150 °C |
| Ptot макс. | 114 Вт |
| Корпус | SuperSO8 5x6 |
| Полярность | N |
| QG (тип при 10В) | 42 нКл |
| RDS (on) (@10В) макс. | 7 мОм |
| Rth | 1,1 К/Вт |
| VDS макс. | 100 В |
| VGS(th) мин. макс. | 2,7 В 2 В 3,5 В |
