BSC010NE2LSI OptiMOS 25V NチャネルパワーMOSFET オンボードチャージャーメインボード用
Category:
統合サーキット
In-stock:
在庫あり
Price:
Negotiated
Payment Method:
T/T、ウェスタンユニオン
Specifications
応用:
オンボード充電器 メインボード ノートブック DC-DC VRD/VRM LED モーター制御
詳細:
BSC010NE2LSI OptiMOS 25V NチャンネルパワーMOSFET
製品名:
集積回路(IC)
カテゴリ:
電子コンポーネント
ICファミリー:
ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
別の名前:
BSC010
パッケージ:
TDSON8
鉛フリーステータス:
、自由なPB迎合的なRoHS無鉛
ハイライト:
OptiMOS 25V NチャネルパワーMOSFET
,BSC010NE2LSI NチャネルパワーMOSFET
,BSC010NE2LSI OptiMOS 25V
紹介
BSC010NE2LSI OptiMOS 25V NチャネルパワーMOSFET オンボードチャージャー メインボード ノートブック DC-DC VRD/VRM LED モーター制御用
用途:
オンボードチャージャー
メインボード
ノートブック
DC-DC
VRD/VRM
LED
モーター制御
OptiMOS™ 25V製品ファミリーにより、インフィニオンはディスクリートパワーMOSFETおよびシステムインパッケージにおける電力密度とエネルギー効率の新たな基準を設定します。超低ゲートおよび出力電荷と、小型フットプリントパッケージにおける最低オンステート抵抗を組み合わせることで、OptiMOS™ 25Vはサーバー、データコム、および通信アプリケーションにおける電圧レギュレータソリューションの厳しい要件に最適です。ハーフブリッジ構成（パワーステージ 5x6）で利用可能です。
メリット :
マルチフェーズコンバータのフェーズ数を削減することで、システム全体のコストを節約
全負荷条件で電力損失を削減し、効率を向上
CanPAK™、S3O8、またはシステムインパッケージソリューションなどの最小パッケージでスペースを節約
システム内のEMIを最小限に抑え、外部スナバーネットワークを不要にし、製品の設計を容易にします。
仕様:
カテゴリ
ディスクリート半導体製品
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トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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| メーカー |
Infineon Technologies
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シリーズ
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OptiMOS™
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パッケージ
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テープ & リール (TR)
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極性
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アクティブ
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FETタイプ
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Nチャネル
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テクノロジー
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MOSFET (メタルオキシド)
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ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
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100 V
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連続ドレイン電流 (Id) @ 25°C
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2.7 V 2 V 3.5 V
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駆動電圧 (最大Rds On, 最小Rds On)
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6V, 10V
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Rds On (最大) @ Id, Vgs
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7mOhm @ 50A, 10V
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Vgs(th) (最大) @ Id
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3.5V @ 75µA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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55 nC @ 10 V
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Vgs (最大)
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±20V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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4000 pF @ 50 V
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FET 特徴
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-
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電力損失 (最大)
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114W (Tc)
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動作温度
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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実装タイプ
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表面実装
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サプライヤーデバイスパッケージ
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PG-TDSON-8-1
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パッケージ/ケース
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8-PowerTDFN
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ベース製品番号
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BSC070
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パラメトリック
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BSC070N10NS3G
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| Ciss | 3000 pF |
| Coss | 520 pF |
| ID (@25°C) 最大 | 90 A |
| IDpuls 最大 | 360 A |
| 動作温度 最小最大 | -55 °C 150 °C |
| Ptot 最大 | 114 W |
| パッケージ | SuperSO8 5x6 |
| 極性 | N |
| QG (標準 @10V) | 42 nC |
| RDS (on) (@10V) 最大 | 7 mΩ |
| Rth | 1.1 K/W |
| VDS 最大 | 100 V |
| VGS(th) 最小最大 | 2.7 V 2 V 3.5 V |
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ:
1pieces
