BSC010NE2LSI OptiMOS 25V MOSFET de potencia de canal N para placa principal de cargador a bordo
MOSFET de potencia de canal N OptiMOS 25V
,MOSFET de potencia de canal N BSC010NE2LSI
,BSC010NE2LSI OptiMOS 25V
BSC010NE2LSI OptiMOS 25V N-Channel Power MOSFET para cargador a bordo, placa base de portátil, DC-DC, VRD/VRM, LED, control de motor
Aplicaciones:
Cargador a bordo
Placa base
Portátil
DC-DC
VRD/VRM
LED
Control de motor
Con la familia de productos OptiMOS™ 25V, Infineon establece nuevos estándares en densidad de potencia y eficiencia energética para MOSFET de potencia discretos
y sistemas en paquete. La carga de puerta y salida ultrabaja, junto con la resistencia en estado encendido más baja en paquetes de huella pequeña,
convierten a OptiMOS™ 25V en la mejor opción para los exigentes requisitos de las soluciones de regulador de voltaje en aplicaciones de servidores, datacom y telecomunicaciones. Disponible en configuración de medio puente (etapa de potencia 5x6).
Beneficios:
Ahorre costos generales del sistema reduciendo el número de fases en convertidores multifase
Reduzca las pérdidas de potencia y aumente la eficiencia para todas las condiciones de carga
Ahorre espacio con los paquetes más pequeños como CanPAK™, S3O8 o solución de sistema en paquete
Minimice la EMI en el sistema, haciendo que las redes de amortiguación externas sean obsoletas y los productos fáciles de integrar.
Especificaciones:
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Categoría
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Productos semiconductores discretos
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Transistores - FET, MOSFET - Individual
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Fabricante
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Infineon Technologies
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Serie
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OptiMOS™
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Paquete
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Cinta y carrete (TR)
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Estado de la pieza
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Activo
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Tipo de FET
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Canal N
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Tecnología
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MOSFET (Óxido Metálico)
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Voltaje Drenador-Fuente (Vdss)
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100 V
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Corriente - Drenador Continuo (Id) @ 25°C
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90A (Tc)
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Voltaje de accionamiento (Rds On Máx., Rds On Mín.)
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6V, 10V
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Rds On (Máx.) @ Id, Vgs
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7mOhm @ 50A, 10V
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Vgs(th) (Máx.) @ Id
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3.5V @ 75µA
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Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
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55 nC @ 10 V
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Vgs (Máx.)
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±20V
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Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
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4000 pF @ 50 V
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Característica del FET
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-
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Disipación de potencia (Máx.)
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114W (Tc)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo de montaje
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Montaje en superficie
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Paquete del dispositivo proveedor
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PG-TDSON-8-1
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Paquete / Caja
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8-PowerTDFN
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Número de producto base
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BSC070
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| Paramétricos | BSC070N10NS3G |
| Ciss | 3000 pF |
| Coss | 520 pF |
| ID (@25°C) máx. | 90 A |
| IDpuls máx. | 360 A |
| Temperatura de funcionamiento mín. máx. | -55 °C 150 °C |
| Ptot máx. | 114 W |
| Paquete | SuperSO8 5x6 |
| Polaridad | N |
| QG (típ. @10V) | 42 nC |
| RDS (on) (@10V) máx. | 7 mΩ |
| Rth | 1.1 K/W |
| VDS máx. | 100 V |
| VGS(th) mín. máx. | 2.7 V 2 V 3.5 V |
