BSC010NE2LSI OptiMOS MOSFET di potenza a canale N da 25V per scheda madre del caricabatterie integrato
MOSFET di potenza a canale N OptiMOS da 25V
,MOSFET di potenza a canale N BSC010NE2LSI
,BSC010NE2LSI OptiMOS 25V
BSC010NE2LSI OptiMOS 25V N-Channel Power MOSFET per caricatore onboard Mainboard Notebook DC-DC VRD/VRM Controllo LED Motore
Applicazioni:
Caricatore onboard
Mainboard
Notebook
DC-DC
VRD/VRM
LED
Controllo motore
Con la famiglia di prodotti OptiMOS™ 25V, Infineon stabilisce nuovi standard in densità di potenza ed efficienza energetica per MOSFET di potenza discreti
e system in package. La carica di gate e di uscita ultra bassa, insieme alla resistenza di stato ON più bassa in package di piccole dimensioni,
rendono OptiMOS™ 25V la scelta migliore per i requisiti esigenti delle soluzioni di regolazione di tensione nelle applicazioni server, datacom e telecomunicazioni. Disponibile in configurazione half-bridge (power stage 5x6).
Vantaggi :
Risparmio sui costi complessivi del sistema riducendo il numero di fasi nei convertitori multifase
Riduzione delle perdite di potenza e aumento dell'efficienza per tutte le condizioni di carico
Risparmio di spazio con package più piccoli come CanPAK™, S3O8 o soluzioni system in package
Minimizzazione delle EMI nel sistema rendendo superflui i network snubber esterni e facilitando l'integrazione dei prodotti.
Specifiche:
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Categoria
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Prodotti Semiconduttori Discreti
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Transistor - FET, MOSFET - Singolo
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Produttore
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Infineon Technologies
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Serie
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OptiMOS™
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Package
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Nastro e Bobina (TR)
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Stato Parte
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Attivo
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Tipo FET
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Canale N
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Tecnologia
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MOSFET (Ossido Metallico)
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Tensione Drain-Source (Vdss)
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100 V
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Corrente - Drain Continuo (Id) @ 25°C
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90A (Tc)
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Tensione di pilotaggio (Rds On Max, Rds On Min)
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6V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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7mOhm @ 50A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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3.5V @ 75µA
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Carica di Gate (Qg) (Max) @ Vgs
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55 nC @ 10 V
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Vgs (Max)
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±20V
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Capacità di Ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
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4000 pF @ 50 V
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Caratteristica FET
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-
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Dissipazione di Potenza (Max)
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114W (Tc)
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Temperatura Operativa
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo di Montaggio
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Montaggio Superficiale
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Package del Dispositivo Fornitore
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PG-TDSON-8-1
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Package / Cassa
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8-PowerTDFN
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Numero Prodotto Base
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BSC070
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| Parametrici | BSC070N10NS3G |
| Ciss | 3000 pF |
| Coss | 520 pF |
| ID (@25°C) max | 90 A |
| IDpuls max | 360 A |
| Temperatura Operativa min max | -55 °C 150 °C |
| Ptot max | 114 W |
| Package | SuperSO8 5x6 |
| Polarità | N |
| QG (typ @10V) | 42 nC |
| RDS (on) (@10V) max | 7 mΩ |
| Rth | 1.1 K/W |
| VDS max | 100 V |
| VGS(th) min max | 2.7 V 2 V 3.5 V |
