BSC010NE2LSI OptiMOS 25V MOSFET de Potência de Canal N para Placa Principal de Carregador Onboard
OptiMOS 25V MOSFET de Potência de Canal N
,BSC010NE2LSI MOSFET de Potência de Canal N
,BSC010NE2LSI OptiMOS 25V
BSC010NE2LSI OptiMOS 25V N-Channel Power MOSFET para carregador onboard, placa-mãe, notebook, DC-DC, VRD/VRM, LED, controle de motor
Aplicações:
Carregador onboard
Placa-mãe
Notebook
DC-DC
VRD/VRM
LED
Controle de motor
Com a família de produtos OptiMOS™ 25V, a Infineon estabelece novos padrões em densidade de potência e eficiência energética para MOSFETs de potência discretos
e sistemas em pacote. Carga de gate e saída ultrabaixa, juntamente com a menor resistência de estado ligado em pacotes de pequena área,
tornam o OptiMOS™ 25V a melhor escolha para os requisitos exigentes de soluções de regulador de tensão em aplicações de servidores, datacom e telecom. Disponível em configuração de meia ponte (estágio de potência 5x6).
Benefícios:
Economize custos gerais do sistema reduzindo o número de fases em conversores multifásicos
Reduza perdas de potência e aumente a eficiência para todas as condições de carga
Economize espaço com os menores pacotes como CanPAK™, S3O8 ou solução de sistema em pacote
Minimize EMI no sistema, tornando as redes de snubber externas obsoletas e os produtos fáceis de integrar.
Especificações:
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Categoria
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Produtos Semicondutores Discretos
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Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
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Fabricante
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Infineon Technologies
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Série
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OptiMOS™
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Pacote
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Fita e Reel (TR)
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Status da Peça
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Ativo
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Tipo de FET
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Canal N
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Tecnologia
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MOSFET (Óxido Metálico)
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Tensão Dreno-Fonte (Vdss)
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100 V
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Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
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90A (Tc)
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Tensão de Acionamento (Rds On Máx, Rds On Mín)
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6V, 10V
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Rds On (Máx) @ Id, Vgs
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7mOhm @ 50A, 10V
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Vgs(th) (Máx) @ Id
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3.5V @ 75µA
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Carga de Gate (Qg) (Máx) @ Vgs
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55 nC @ 10 V
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Vgs (Máx)
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±20V
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Capacitância de Entrada (Ciss) (Máx) @ Vds
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4000 pF @ 50 V
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Característica do FET
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-
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Dissipação de Potência (Máx)
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114W (Tc)
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Temperatura de Operação
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo de Montagem
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Montagem em Superfície
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Pacote do Dispositivo Fornecedor
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PG-TDSON-8-1
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Pacote / Caixa
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8-PowerTDFN
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Número do Produto Base
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BSC070
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| Paramétricos | BSC070N10NS3G |
| Ciss | 3000 pF |
| Coss | 520 pF |
| ID (@25°C) máx | 90 A |
| IDpuls máx | 360 A |
| Temperatura de Operação min máx | -55 °C 150 °C |
| Ptot máx | 114 W |
| Pacote | SuperSO8 5x6 |
| Polaridade | N |
| QG (typ @10V) | 42 nC |
| RDS (on) (@10V) máx | 7 mΩ |
| Rth | 1.1 K/W |
| VDS máx | 100 V |
| VGS(th) min máx | 2.7 V 2 V 3.5 V |
