Le produit est fabriqué à partir d'un mélange d'acides aminés et d'acides aminés.
catégorie:
circuits intégrés analogiques
Prix:
Negotiated
Mode de paiement:
T/T
Caractéristiques
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Catégorie
Circuits intégrés (CI)
La mémoire
La mémoire
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Taille de mémoire
4Gbit
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Mfr
Il s'agit de Samsung Semiconductor, Inc.
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Organisation de la mémoire
512M x 8
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Emballage
Tape et bobine (TR)
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Interface de mémoire
Parallèlement
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Statut de la partie
Actif
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Voltage - alimentation
1.2V
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DigiKey est programmable
Pas vérifié
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Température de fonctionnement
0°C à 95°C
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Type de mémoire
Les produits de base
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Type de montage
Monture de surface
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Format de mémoire
DRAM
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Emballage / boîtier
78-FBGA
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Envoyez le RFQ
Action:
MOQ:
