K4A4G085WE-BCRC 삼성반도체 DDR4-2400 4GB (512MX8) 0.833NS CL
범주:
아날로그 통합 회로
가격:
Negotiated
결제수단:
티/티
명세서
강조하다:
소개
제품 속성
필터 비슷한 제품
빈 속성을 표시합니다
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카테고리
융합 회로 (IC)
기억력
기억력
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메모리 크기
4Gbit
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Mfr
삼성 반도체, Inc.
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기억 조직
512M x 8
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포장
테이프 & 롤 (TR)
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메모리 인터페이스
병렬
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부분 상태
액티브
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전압 - 공급
1.2V
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DigiKey 프로그래밍 가능
확인되지 않았습니다.
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작동 온도
0°C ~ 95°C
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메모리 타입
휘발성
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장착형
표면 마운트
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메모리 형식
DRAM
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패키지 / 케이스
78-FBGA
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