K4A4G085WE-BCRC Samsung Semiconductor, Inc. DDR4-2400 4GB (512MX8)0.833NS CL
categoria:
circuiti integrati analogici
Prezzo:
Negotiated
Metodo di pagamento:
T/T
Specifiche
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Categoria
Circuiti Integrati (CI)
Memoria
Memoria
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Dimensione della memoria
4Gbit
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Produttore
Samsung Semiconductor, Inc.
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Organizzazione della memoria
512M x 8
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Confezionamento
Nastro e bobina (TR)
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Interfaccia di memoria
Parallela
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Stato della parte
Attivo
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Tensione di alimentazione
1.2V
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Programmabile DigiKey
Non verificato
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Temperatura operativa
0°C ~ 95°C
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Tipo di memoria
Volatile
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Tipo di montaggio
Montaggio superficiale
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Formato memoria
DRAM
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Pacchetto / Cassa
78-FBGA
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