K4A4G085WE-BCRC Samsung Semiconductor, Inc. DDR4-2400 4GB (512MX8)0.833NS CL
Kategorie:
Analog-Integrierte Schaltungen
Preis:
Negotiated
Zahlungsmethode:
T/T
Spezifikationen
Hervorheben:
Einleitung
Produktattribute
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Kategorie
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis
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Speichergröße
4Gbit
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Mfr
Samsung Halbleiter, Inc.
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Gedächtnisorganisation
512M x 8
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Verpackung
Band und Rolle (TR)
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Speicheroberfläche
Parallel
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Status des Teils
Aktiv
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Spannung - Versorgung
1.2V
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DigiKey Programmierbar
Nicht bestätigt
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Betriebstemperatur
0°C bis 95°C
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Speichertypen
Flüchtig
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Typ der Montage
Oberflächenbefestigung
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Speicherformat
DRAM
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Packung / Gehäuse
78-FBGA
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