K4A4G085WE-BCRC Samsung Semiconductor, Inc. DDR4-2400 4GB (512MX8) 0.833NS CL
categoría:
circuitos integrados analógicos
Precio:
Negotiated
Método de pago:
T/T
Presupuesto
Resaltar:
Introducción
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Categoría
Circuitos Integrados (CI)
Memoria
Memoria
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Tamaño de Memoria
4Gbit
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Mfr
Samsung Semiconductor, Inc.
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Organización de Memoria
512M x 8
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Empaquetado
Cinta y Carrete (TR)
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Interfaz de Memoria
Paralelo
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Estado de la Parte
Activo
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Voltaje - Suministro
1.2V
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Programable por DigiKey
No Verificado
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Temperatura de Operación
0°C ~ 95°C
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Tipo de Memoria
Volátil
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Tipo de Montaje
Montaje en Superficie
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Formato de Memoria
DRAM
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Paquete / Caja
78-FBGA
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