Дом > Продукты > аналоговые интегральные схемы > K4A4G085WE-BCRC Samsung Semiconductor, Inc. DDR4-2400 4GB (512MX8)0.833NS CL

K4A4G085WE-BCRC Samsung Semiconductor, Inc. DDR4-2400 4GB (512MX8)0.833NS CL

категория:
аналоговые интегральные схемы
Цена:
Negotiated
Способ оплаты:
Т/Т
Технические характеристики
Выделить:

Samsung DDR4-2400 4 ГБ оперативной памяти

,

Модуль памяти 512MX8 DDR4

,

0.833NS CL полупроводниковый чип

Введение
Атрибуты продукта
Фильтрация аналогичных продуктов
Показывать пустые атрибуты
Категория
Интегрированные схемы (IC)
Память
Память
Размер памяти
4 Гбит
Мфр
Samsung Semiconductor, Inc.
Организация памяти
512M x 8
Опаковка
Лента и катушка (TR)
Интерфейс памяти
Параллельно
Статус части
Активный
Напряжение - питание
1.2В
DigiKey программируемый
Не подтверждено
Операционная температура
0°C ~ 95°C
Тип памяти
Летучие
Тип установки
Поверхностный монтаж
Формат памяти
DRAM
Пакет / чемодан
78-FBGA
Отправьте RFQ
Запас:
минимальный заказ: