Дом > Продукты > аналоговые интегральные схемы > K4A4G085WE-BCRC Samsung Semiconductor, Inc. DDR4-2400 4GB (512MX8)0.833NS CL

K4A4G085WE-BCRC Samsung Semiconductor, Inc. DDR4-2400 4GB (512MX8)0.833NS CL

категория:
аналоговые интегральные схемы
Цена:
Negotiated
Способ оплаты:
Т/Т
Технические характеристики
Выделить:

Samsung DDR4-2400 4GB RAM

,

512MX8 DDR4 memory module

,

0.833NS CL semiconductor chip

Введение
Product Attributes Filter Similar Products Show Empty Attributes Category Integrated Circuits (ICs) Memory Memory Memory Size 4Gbit Mfr Samsung Semiconductor, Inc. Memory Organization 512M x 8 Packaging Tape & Reel (TR) Memory Interface Parallel Part Status Active Voltage - Supply 1.2V DigiKey Programmable Not Verified Operating Temperature 0°C ~ 95°C Memory Type Volatile Mounting Type Surface Mount Memory Format DRAM Package / Case 78-FBGA Report Product Information Error
Отправьте RFQ
Запас:
минимальный заказ: