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K4A4G085WE-BCRC Samsung Semiconductor, Inc. DDR4-2400 4GB (512MX8)0.833NS CL

categoria:
circuitos integrados analógicos
Preço:
Negotiated
Método de pagamento:
T/T
Especificações
Destacar:

Samsung DDR4-2400 4 GB de RAM

,

512MX8 módulo de memória DDR4

,

0.833NS CL chip de semicondutores

Introdução
Atributos do Produto
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Categoria
Circuitos Integrados (CIs)
Memória
Memória
Tamanho da Memória
4Gbit
Fabricante
Samsung Semiconductor, Inc.
Organização da Memória
512M x 8
Embalagem
Fita e Carretel (TR)
Interface de Memória
Paralela
Status da Peça
Ativo
Tensão - Alimentação
1.2V
Programável pela DigiKey
Não Verificado
Temperatura de Operação
0°C ~ 95°C
Tipo de Memória
Volátil
Tipo de Montagem
Montagem em Superfície
Formato da Memória
DRAM
Pacote / Caixa
78-FBGA
Envie o RFQ
Estoque:
Quantidade mínima: