K4A4G085WE-BCRC Samsung Semiconductor, Inc. DDR4-2400 4GB (512MX8)0.833NS CL
Especificações
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Categoria
Circuitos Integrados (CIs)
Memória
Memória
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Tamanho da Memória
4Gbit
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Fabricante
Samsung Semiconductor, Inc.
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Organização da Memória
512M x 8
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Embalagem
Fita e Carretel (TR)
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Interface de Memória
Paralela
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Status da Peça
Ativo
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Tensão - Alimentação
1.2V
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Programável pela DigiKey
Não Verificado
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Temperatura de Operação
0°C ~ 95°C
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Tipo de Memória
Volátil
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Tipo de Montagem
Montagem em Superfície
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Formato da Memória
DRAM
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Pacote / Caixa
78-FBGA
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