AT45DB641E at45db641e-shn2b-t AT45DB641E-MHN2 B-T Adesto Technologies NOCH de Componenten van Flashgeheugenic

AT45DB641E-SHN2B-T Adesto Technologies NOR FLASH-geheugen IC-componenten

AT45DB641E-SHN2B-T ICFLASH-geheugen IC 64Mb (256 bytes x 32K pagina's) SPI 85 MHz 8-SOIC

64 Mbit DataFlash (met extra 2 Mbits), 1,7 V minimaal SPI serieel flashgeheugen

AT45DB641E-MHN2B-TIC FLASH 64MBIT SPI 85MHZ 8UDFN

NOR Flash 64 Mbit, Wide Vcc (1,7V tot 3,6V), -40C tot 85C, 512 Byte Binaire Paginamodus, DFN 5x6 (Tape & Reel), Single SPI DataFlash

AT45DB641E Beschrijving:

De AT45DB641E is een flashgeheugen met een minimale seriële interface van minimaal 1,7 V en sequentiële toegang, bij uitstek geschikt voor een breed scala aan digitale spraak-, beeld-, programmacode- en gegevensopslagtoepassingen. De AT45DB641E ondersteunt ook de RapidS seriële interface voor toepassingen die een zeer hoge snelheid vereisen. De 69.206.016 bits geheugen zijn georganiseerd als 32.768 pagina's van elk 256 bytes of 264 bytes. Naast het hoofdgeheugen bevat de AT45DB641E ook twee SRAM-buffers van elk 256/264 bytes. Het interleaven tussen beide buffers kan het vermogen van een systeem om een ​​continue datastroom te schrijven dramatisch vergroten. Bovendien kunnen de SRAM-buffers worden gebruikt als aanvullend systeemkladblokgeheugen, en kan E2PROM-emulatie (bit- of byte-wijzigbaarheid) eenvoudig worden afgehandeld met een op zichzelf staande driestaps lees-wijzig-schrijf-operatie. In tegenstelling tot conventionele Flash-geheugens die willekeurig toegankelijk zijn met meerdere adreslijnen en een parallelle interface, gebruikt de DataFlash® een seriële interface om sequentieel toegang te krijgen tot de gegevens. De eenvoudige sequentiële toegang vermindert het aantal actieve pinnen dramatisch, vergemakkelijkt de vereenvoudigde hardware-indeling, verhoogt de systeembetrouwbaarheid, minimaliseert schakelgeluiden en verkleint de pakketgrootte. Het apparaat is geoptimaliseerd voor gebruik in veel commerciële en industriële toepassingen waar hoge dichtheid, laag aantal pinnen, lage spanning en laag vermogen essentieel zijn. Om eenvoudige herprogrammering in het systeem mogelijk te maken, heeft de AT45DB641E geen hoge ingangsspanningen nodig voor het programmeren. Het apparaat werkt op een enkele voeding van 1,7 V tot 3,6 V voor de wis-, programmeer- en leesbewerkingen. De AT45DB641E wordt ingeschakeld via de Chip Select-pin (CS) en is toegankelijk via een 3-draads interface bestaande uit de seriële ingang (SI), seriële uitgang (SO) en de seriële klok
 

Functies:

Enkele voeding van 1,7 V - 3,6 V

Compatibel met Serial Peripheral Interface (SPI) Ondersteunt SPI-modi 0 en 3

Ondersteunt RapidS™-werking

Continue leesmogelijkheid door de hele array

Tot 85 MHzLeesoptie met laag vermogen tot 15 MHz

Klok-tot-uitgangstijd (tV) van maximaal 8ns

Door de gebruiker configureerbaar paginaformaat

256 bytes per pagina

264 bytes per pagina (standaard)

De paginagrootte kan in de fabriek vooraf worden geconfigureerd voor 256 bytes

Twee volledig onafhankelijke SRAM-databuffers (256/264 bytes)

Maakt het mogelijk gegevens te ontvangen tijdens het herprogrammeren van de hoofdgeheugenarray

Flexibele programmeermogelijkheden

Byte/Pagina Programma (1 tot 256/264 bytes) rechtstreeks in het hoofdgeheugen

Buffer Schrijven | Buffer naar hoofdgeheugenpaginaprogramma

Flexibele wisoptiesPagina wissen (256/264 bytes)

Blok wissen (2KB)Sector wissen (256KB)Chip wissen (64 Mbits)

Programmeren en wissen Onderbreken/hervatten

Geavanceerde hardware- en softwarefuncties voor gegevensbescherming

Bescherming van individuele sectorenIndividuele sectorvergrendeling om elke sector permanent alleen-lezen te maken

Eenmalig programmeerbaar (OTP) beveiligingsregister van 128 bytes

64 bytes in de fabriek geprogrammeerd met een unieke identificatie

64 bytes door gebruiker programmeerbaar Hardware- en softwaregestuurde resetopties

JEDEC Standaard fabrikant en apparaat-ID lezen

Lage vermogensdissipatie

400 nA ultradiepe uitschakelstroom (typisch)

5 µA diepe uitschakelstroom (typisch)

25 µA Stand-bystroom (typisch)

7mA Actieve leesstroom (typisch)

Duurzaamheid: minimaal 100.000 programmeer-/wiscycli per pagina

Gegevensbewaring: 20 jaar

Voldoet aan het volledige industriële temperatuurbereik

Groene (Pb/Halide-vrij/RoHS-conform) verpakkingsopties

8-afleidingen SOIC (0,208" breed)8-pads Ultradunne DFN (5 x 6 x 0,6 mm)

8-pads Zeer dunne DFN (6 x 8 x 1,0 mm)

44-ball dBGA (6 x 8 gemodificeerde ball-array)

Adesto Technologies NOR FLASH Geheugen Geïntegreerde schakeling IC Specificatie:

Soortgelijke DIALOOG HALFGELEIDER Geïntegreerde schakeling ICAdesto-technologieën:

AT45DB641E,AT45DB641E-SHN2B-T,AT45DB641E-MHN2B-T,AT45DB641E-MWHN2B-T,AT45DB641E-UUN2B-T,AT45DB641E-SHN-B,AT45DB64 1E-SHN-T,AT45DB641E-MHN-Y,AT45DB641E-MHN-T,AT45DB641E-MWHN-Y,AT45DB641E-MWHN-T,AT45DB641E-UUN-T,AT45DB641E-DWF,AT 45DB641E-SHN2B-B

PopulairderGeïntegreerde schakeling IC-onderdelen Nummer: