AT45DB641E AT45DB641E-SHN2B-T AT45DB641E-MHN2 B-T Adesto Technologies NOCH Flash-Speicher IC-Komponenten

AT45DB641E-SHN2B-T Adesto Technologies NOR FLASH-Speicher-IC-Komponenten

AT45DB641E-SHN2B-T ICFLASH-Speicher-IC 64 MB (256 Byte x 32 KB Seiten) SPI 85 MHz 8-SOIC

64-Mbit-DataFlash (mit zusätzlichen 2 Mbit), mindestens 1,7 V serieller SPI-Flash-Speicher

AT45DB641E-MHN2B-TIC FLASH 64MBIT SPI 85MHZ 8UDFN

NOR Flash 64 Mbit, Wide Vcc (1,7 V bis 3,6 V), -40 °C bis 85 °C, 512 Byte Binärseitenmodus, DFN 5x6 (Tape & Reel), Single SPI DataFlash

AT45DB641E Beschreibung:

Der AT45DB641E ist ein Flash-Speicher mit sequenziellem Zugriff und einer seriellen Schnittstelle von mindestens 1,7 V, der sich ideal für eine Vielzahl digitaler Sprach-, Bild-, Programmcode- und Datenspeicheranwendungen eignet. Der AT45DB641E unterstützt auch die serielle RapidS-Schnittstelle für Anwendungen, die einen Betrieb mit sehr hoher Geschwindigkeit erfordern. Seine 69.206.016 Bit Speicher sind in 32.768 Seiten zu je 256 Byte oder 264 Byte organisiert. Neben dem Hauptspeicher enthält der AT45DB641E auch zwei SRAM-Puffer von jeweils 256/264 Byte. Die Verschachtelung zwischen beiden Puffern kann die Fähigkeit eines Systems, einen kontinuierlichen Datenstrom zu schreiben, erheblich steigern. Darüber hinaus können die SRAM-Puffer als zusätzlicher Arbeitsspeicher des Systems verwendet werden, und die E2PROM-Emulation (Änderbarkeit von Bits oder Bytes) kann problemlos mit einem eigenständigen dreistufigen Lese-, Änderungs- und Schreibvorgang durchgeführt werden. Im Gegensatz zu herkömmlichen Flash-Speichern, auf die zufällig über mehrere Adressleitungen und eine parallele Schnittstelle zugegriffen wird, verwendet der DataFlash® eine serielle Schnittstelle, um sequenziell auf seine Daten zuzugreifen. Der einfache sequentielle Zugriff reduziert die Anzahl der aktiven Pins erheblich, vereinfacht das Hardware-Layout, erhöht die Systemzuverlässigkeit, minimiert Schaltgeräusche und reduziert die Gehäusegröße. Das Gerät ist für den Einsatz in vielen kommerziellen und industriellen Anwendungen optimiert, bei denen eine hohe Dichte, eine geringe Pinzahl, eine niedrige Spannung und ein geringer Stromverbrauch unerlässlich sind. Um eine einfache systeminterne Neuprogrammierbarkeit zu ermöglichen, benötigt der AT45DB641E keine hohen Eingangsspannungen für die Programmierung. Das Gerät wird für die Lösch-, Programmier- und Lesevorgänge mit einer einzigen Stromversorgung von 1,7 V bis 3,6 V betrieben. Der AT45DB641E wird über den Chip-Select-Pin (CS) aktiviert und über eine 3-Draht-Schnittstelle, bestehend aus seriellem Eingang (SI), seriellem Ausgang (SO) und seriellem Takt, angesprochen
 

Merkmale:

Einzelne 1,7-V-3,6-V-Versorgung

Kompatibel mit der seriellen Peripherieschnittstelle (SPI). Unterstützt die SPI-Modi 0 und 3

Unterstützt den RapidS™-Betrieb

Kontinuierliche Lesefähigkeit im gesamten Array

Bis zu 85 MHz. Leseoption mit geringem Stromverbrauch bis zu 15 MHz

Takt-zu-Ausgabe-Zeit (tV) von maximal 8 ns

Vom Benutzer konfigurierbare Seitengröße

256 Byte pro Seite

264 Byte pro Seite (Standard)

Die Seitengröße kann werkseitig auf 256 Byte vorkonfiguriert werden

Zwei völlig unabhängige SRAM-Datenpuffer (256/264 Byte)

Ermöglicht den Empfang von Daten während der Neuprogrammierung des Hauptspeicher-Arrays

Flexible Programmiermöglichkeiten

Byte/Seitenprogramm (1 bis 256/264 Bytes) direkt in den Hauptspeicher

Puffer schreiben | Puffer-zu-Hauptspeicher-Seitenprogramm

Flexible LöschoptionenSeitenlöschung (256/264 Bytes)

Blocklöschung (2 KB) Sektorlöschung (256 KB) Chiplöschung (64 Mbit/s)

Programmieren und Löschen, Unterbrechen/Fortsetzen

Erweiterte Hardware- und Software-Datenschutzfunktionen

Schutz einzelner Sektoren: Sperrung einzelner Sektoren, um jeden Sektor dauerhaft schreibgeschützt zu machen

Einmalig programmierbares (OTP) Sicherheitsregister mit 128 Byte

64 Bytes, werkseitig mit einer eindeutigen Kennung programmiert

64 Byte vom Benutzer programmierbar. Hardware- und softwaregesteuerte Reset-Optionen

Lesen des JEDEC-Standardherstellers und der Geräte-ID

Geringe Verlustleistung

400 nA Ultra-Deep Power-Down-Strom (typisch)

5 µA Deep-Power-Down-Strom (typisch)

25 µA Standby-Strom (typisch)

7 mA aktiver Lesestrom (typisch)

Ausdauer: mindestens 100.000 Programmier-/Löschzyklen pro Seite

Datenspeicherung: 20 Jahre

Entspricht dem gesamten industriellen Temperaturbereich

Grüne (Pb-/Halogenid-frei/RoHS-konform) Verpackungsoptionen

8-poliges SOIC (0,208 Zoll breit) – ultradünnes DFN mit 8 Pads (5 x 6 x 0,6 mm)

Sehr dünnes DFN mit 8 Pads (6 x 8 x 1,0 mm)

44-Ball dBGA (6 x 8 modifiziertes Ball-Array)

Adesto Technologies NOR FLASH-Speicher IC-Spezifikation für integrierte Schaltung:

Ähnlicher integrierter IC-Schaltkreis von DIALOG SEMICONDUCTORAdesto Technologies:

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