AT45DB641E AT45DB641E-SHN2B-T AT45DB641E-MHN2 B-T Adesto Technologies NÉ componenti di IC di memoria flash

AT45DB641E-SHN2B-T Componenti CI di memoria FLASH NOR di Adesto Technologies

AT45DB641E-SHN2B-T CIIC memoria FLASH 64 Mb (256 byte x 32 KB di pagine) SPI 85 MHz 8-SOIC

DataFlash da 64 Mbit (con 2 Mbit aggiuntivi), memoria flash seriale SPI minima da 1,7 V

AT45DB641E-MHN2B-TIC FLASH 64MBIT SPI 85MHZ 8UDFN

NOR Flash 64 Mbit, Wide Vcc (da 1,7 V a 3,6 V), da -40 °C a 85 °C, modalità pagina binaria da 512 byte, DFN 5x6 (nastro e bobina), DataFlash SPI singola

AT45DB641E Descrizione:

AT45DB641E è una memoria Flash ad accesso sequenziale con interfaccia seriale da minimo 1,7 V, ideale per un'ampia varietà di applicazioni vocali digitali, immagini, codici di programma e archiviazione dati. L'AT45DB641E supporta anche l'interfaccia seriale RapidS per applicazioni che richiedono operazioni ad altissima velocità. I suoi 69.206.016 bit di memoria sono organizzati come 32.768 pagine di 256 byte o 264 byte ciascuna. Oltre alla memoria principale, l'AT45DB641E contiene anche due buffer SRAM da 256/264 byte ciascuno. L'interlacciamento tra entrambi i buffer può aumentare notevolmente la capacità di un sistema di scrivere un flusso di dati continuo. Inoltre, i buffer SRAM possono essere utilizzati come memoria aggiuntiva per appunti del sistema e l'emulazione E2PROM (alterabilità di bit o byte) può essere facilmente gestita con un'operazione di lettura-modifica-scrittura in tre fasi autonoma. A differenza delle memorie Flash convenzionali a cui si accede in modo casuale con più linee di indirizzo e un'interfaccia parallela, DataFlash® utilizza un'interfaccia seriale per accedere in sequenza ai propri dati. Il semplice accesso sequenziale riduce drasticamente il numero di pin attivi, facilita il layout hardware semplificato, aumenta l'affidabilità del sistema, riduce al minimo il rumore di commutazione e riduce le dimensioni del pacchetto. Il dispositivo è ottimizzato per l'uso in molte applicazioni commerciali e industriali in cui sono essenziali alta densità, basso numero di pin, bassa tensione e basso consumo. Per consentire una semplice riprogrammabilità all'interno del sistema, l'AT45DB641E non richiede tensioni di ingresso elevate per la programmazione. Il dispositivo funziona con un singolo alimentatore da 1,7 V a 3,6 V per le operazioni di cancellazione, programmazione e lettura. L'AT45DB641E è abilitato tramite il pin Chip Select (CS) ed è accessibile tramite un'interfaccia a 3 fili composta da ingresso seriale (SI), uscita seriale (SO) e orologio seriale
 

Caratteristiche:

Alimentazione singola da 1,7 V - 3,6 V

Compatibile con l'interfaccia periferica seriale (SPI) Supporta le modalità SPI 0 e 3

Supporta il funzionamento RapidS™

Capacità di lettura continua attraverso l'intero array

Fino a 85 MHzOpzione di lettura a basso consumo fino a 15 MHz

Tempo clock-uscita (tV) di 8 ns massimo

Dimensioni della pagina configurabili dall'utente

256 byte per pagina

264 byte per pagina (predefinito)

La dimensione della pagina può essere preconfigurata in fabbrica per 256 byte

Due buffer dati SRAM completamente indipendenti (256/264 byte)

Consente di ricevere dati durante la riprogrammazione dell'array di memoria principale

Opzioni di programmazione flessibili

Byte/Pagina Programma (da 1 a 256/264 byte) direttamente nella memoria principale

Scrittura buffer | Buffer nel programma della pagina di memoria principale

Opzioni di cancellazione flessibiliCancellazione pagina (256/264 byte)

Cancellazione blocco (2KB)Cancellazione settore (256KB)Cancellazione chip (64 Mbit)

Programma e cancella Sospendi/Riprendi

Funzionalità avanzate di protezione dei dati hardware e software

Protezione del settore individualeBlocco del settore individuale per rendere qualsiasi settore permanentemente di sola lettura

Registro di sicurezza OTP (One-Time Programmable) da 128 byte

64 byte programmati in fabbrica con un identificatore univoco

64 byte programmabili dall'utenteOpzioni di ripristino controllate da hardware e software

Lettura del produttore e dell'ID dispositivo standard JEDEC

Dissipazione a bassa potenza

Corrente di spegnimento ultraprofonda da 400 nA (tipica)

Corrente di spegnimento profondo 5 µA (tipica)

25μA Corrente di standby (tipica)

Corrente di lettura attiva 7 mA (tipica)

Durata: minimo 100.000 cicli di programmazione/cancellazione per pagina

Conservazione dei dati: 20 anni

Conforme all'intero intervallo di temperature industriali

Opzioni di imballaggio ecologiche (privo di Pb/alogenuri/conforme a RoHS).

SOIC a 8 conduttori (0,208" di larghezza) DFN ultrasottile a 8 pad (5 x 6 x 0,6 mm)

DFN molto sottile a 8 pad (6 x 8 x 1,0 mm)

dBGA a 44 sfere (array di sfere modificato 6 x 8)

Specifiche IC del circuito integrato di memoria FLASH NOR di Adesto Technologies:

Simile DIALOG SEMICONDUCTOR Circuito integrato ICTecnologie Adesto:

AT45DB641E,AT45DB641E-SHN2B-T,AT45DB641E-MHN2B-T,AT45DB641E-MWHN2B-T,AT45DB641E-UUN2B-T,AT45DB641E-SHN-B,AT45DB64 1E-SHN-T,AT45DB641E-MHN-Y,AT45DB641E-MHN-T,AT45DB641E-MWHN-Y,AT45DB641E-MWHN-T,AT45DB641E-UUN-T,AT45DB641E-DWF,AT 45DB641E-SHN2B-B

Più popolareNumero di parti IC del circuito integrato: