AT45DB641E AT45DB641E-SHN2B-T AT45DB641E-MHN2 B-T Adesto Technologies NEM de IC da memória Flash componentes

AT45DB641E-SHN2B-T Adesto Technologies NEM Componentes de Memória FLASH IC

IC AT45DB641E-SHN2B-TMemória FLASH IC 64Mb (256 Bytes x 32K páginas) SPI 85 MHz 8-SOIC

DataFlash de 64 Mbits (com 2 Mbits extras), memória flash serial SPI mínima de 1,7 V

AT45DB641E-MHN2B-TCI FLASH 64MBIT SPI 85MHZ 8UDFN

NOR Flash 64 Mbit, Wide Vcc (1,7 V a 3,6 V), -40C a 85C, Modo de página binária de 512 bytes, DFN 5x6 (fita e carretel), Single SPI DataFlash

Descrição AT45DB641E:

O AT45DB641E é uma memória Flash de acesso sequencial de interface serial com mínimo de 1,7 V, ideal para uma ampla variedade de aplicações digitais de voz, imagem, código de programa e armazenamento de dados. O AT45DB641E também suporta a interface serial RapidS para aplicações que exigem operação em alta velocidade. Seus 69.206.016 bits de memória são organizados em 32.768 páginas de 256 bytes ou 264 bytes cada. Além da memória principal, o AT45DB641E também contém dois buffers SRAM de 256/264 bytes cada. A intercalação entre os dois buffers pode aumentar drasticamente a capacidade de um sistema de gravar um fluxo contínuo de dados. Além disso, os buffers SRAM podem ser usados ​​como memória adicional de bloco de rascunho do sistema, e a emulação E2PROM (alterabilidade de bits ou bytes) pode ser facilmente manipulada com uma operação independente de leitura-modificação-gravação de três etapas. Ao contrário das memórias Flash convencionais que são acessadas aleatoriamente com múltiplas linhas de endereço e uma interface paralela, o DataFlash® usa uma interface serial para acessar sequencialmente seus dados. O acesso sequencial simples reduz drasticamente a contagem de pinos ativos, facilita o layout simplificado do hardware, aumenta a confiabilidade do sistema, minimiza o ruído de comutação e reduz o tamanho do pacote. O dispositivo é otimizado para uso em muitas aplicações comerciais e industriais onde alta densidade, baixa contagem de pinos, baixa tensão e baixa potência são essenciais. Para permitir uma reprogramação simples no sistema, o AT45DB641E não requer altas tensões de entrada para programação. O dispositivo opera com uma única fonte de alimentação de 1,7 V a 3,6 V para operações de apagamento, programação e leitura. O AT45DB641E é habilitado através do pino Chip Select (CS) e acessado através de uma interface de 3 fios que consiste na entrada serial (SI), saída serial (SO) e relógio serial
 

Características:

Alimentação única de 1,7 V - 3,6 V

Compatível com Interface Periférica Serial (SPI) Suporta modos SPI 0 e 3

Suporta operação RapidS™

Capacidade de leitura contínua em todo o array

Até 85MHzOpção de leitura de baixo consumo de energia até 15MHz

Tempo de clock para saída (tV) de no máximo 8ns

Tamanho de página configurável pelo usuário

256 bytes por página

264 bytes por página (padrão)

O tamanho da página pode ser pré-configurado de fábrica para 256 bytes

Dois buffers de dados SRAM totalmente independentes (256/264 bytes)

Permite receber dados enquanto reprograma a matriz de memória principal

Opções de programação flexíveis

Programa Byte/Página (1 a 256/264 bytes) diretamente na memória principal

Gravação de buffer | Buffer para programa de página de memória principal

Opções flexíveis de apagamentoApagamento de página (256/264 bytes)

Apagamento de bloco (2 KB)Apagamento de setor (256KB)Apagamento de chip (64 Mbits)

Programar e apagar suspensão/retomada

Recursos avançados de proteção de dados de hardware e software

Proteção individual do setorBloqueio individual do setor para tornar qualquer setor permanentemente somente leitura

Registro de segurança programável único (OTP) de 128 bytes

64 bytes programados de fábrica com um identificador exclusivo

64 bytes programáveis ​​pelo usuário Opções de reinicialização controladas por hardware e software

Leitura do ID do fabricante e do dispositivo padrão JEDEC

Dissipação de baixa potência

Corrente de desligamento ultraprofunda de 400nA (típica)

Corrente de desligamento profundo de 5µA (típica)

Corrente de espera de 25µA (típica)

Corrente de leitura ativa de 7mA (típica)

Resistência: mínimo de 100.000 ciclos de programação/apagamento por página

Retenção de dados: 20 anos

Está em conformidade com toda a faixa de temperatura industrial

Opções de embalagem verde (sem Pb/halogenetos/compatível com RoHS)

SOIC de 8 derivações (0,208" de largura) DFN ultrafino de 8 pads (5 x 6 x 0,6 mm)

DFN muito fino de 8 pads (6 x 8 x 1,0 mm)

dBGA de 44 bolas (matriz de bolas modificada 6 x 8)

Especificação IC do circuito integrado de memória NOR FLASH da Adesto Technologies:

Similar DIALOG SEMICONDUTOR IC de circuito integradoAdesto Technologies:

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