AT45DB641E AT45DB641E-SHN2B-T AT45DB641E-MHN2 B-T Adesto Technologies NI composants d'IC de mémoire INSTANTANÉE

AT45DB641E-SHN2B-T Adesto Technologies NOR Composants IC de mémoire FLASH

CI AT45DB641E-SHN2B-TMémoire FLASH IC 64 Mo (256 octets x 32 Ko pages) SPI 85 MHz 8-SOIC

DataFlash 64 Mbits (avec 2 Mbits supplémentaires), mémoire flash série SPI minimale de 1,7 V

AT45DB641E-MHN2B-TIC FLASH 64 MBIT SPI 85 MHZ 8UDFN

NOR Flash 64 Mbits, Wide Vcc (1,7 V à 3,6 V), -40 C à 85 C, mode page binaire 512 octets, DFN 5 x 6 (bande et bobine), DataFlash SPI unique

AT45DB641E Descriptif :

L'AT45DB641E est une mémoire Flash à accès séquentiel à interface série de 1,7 V minimum, idéale pour une grande variété d'applications numériques de voix, d'images, de code de programme et de stockage de données. L'AT45DB641E prend également en charge l'interface série RapidS pour les applications nécessitant un fonctionnement à très grande vitesse. Ses 69 206 016 bits de mémoire sont organisés en 32 768 pages de 256 octets ou 264 octets chacune. En plus de la mémoire principale, l'AT45DB641E contient également deux tampons SRAM de 256/264 octets chacun. L'entrelacement entre les deux tampons peut augmenter considérablement la capacité d'un système à écrire un flux de données continu. De plus, les tampons SRAM peuvent être utilisés comme mémoire de travail supplémentaire du système, et l'émulation E2PROM (altération des bits ou des octets) peut être facilement gérée avec une opération autonome de lecture-modification-écriture en trois étapes. Contrairement aux mémoires Flash conventionnelles qui sont accessibles de manière aléatoire avec plusieurs lignes d'adresse et une interface parallèle, le DataFlash® utilise une interface série pour accéder séquentiellement à ses données. L'accès séquentiel simple réduit considérablement le nombre de broches actives, facilite la configuration matérielle simplifiée, augmente la fiabilité du système, minimise le bruit de commutation et réduit la taille du boîtier. Le dispositif est optimisé pour une utilisation dans de nombreuses applications commerciales et industrielles où une haute densité, un faible nombre de broches, une basse tension et une faible consommation sont essentiels. Pour permettre une reprogrammabilité simple dans le système, l'AT45DB641E ne nécessite pas de tensions d'entrée élevées pour la programmation. L'appareil fonctionne à partir d'une seule alimentation de 1,7 V à 3,6 V pour les opérations d'effacement, de programmation et de lecture. L'AT45DB641E est activé via la broche de sélection de puce (CS) et accessible via une interface à 3 fils composée de l'entrée série (SI), de la sortie série (SO) et de l'horloge série.
 

Caractéristiques:

Alimentation unique 1,7 V - 3,6 V

Compatible avec l'interface périphérique série (SPI)  Prend en charge les modes SPI 0 et 3

Prend en charge le fonctionnement RapidS™

Capacité de lecture continue sur l'ensemble de la baie

Jusqu'à 85 MHzOption de lecture basse consommation jusqu'à 15 MHz

Temps d'horloge jusqu'à la sortie (tV) de 8 ns maximum

Taille de page configurable par l'utilisateur

256 octets par page

264 octets par page (par défaut)

La taille de la page peut être préconfigurée en usine pour 256 octets

Deux tampons de données SRAM entièrement indépendants (256/264 octets)

Permet de recevoir des données tout en reprogrammant la matrice mémoire principale

Options de programmation flexibles

Programme octet/page (1 à 256/264 octets) directement dans la mémoire principale

Écriture tampon | Programme de tampon vers la mémoire principale

Options d'effacement flexiblesEffacement de page (256/264 octets)

Effacement de bloc (2 Ko)Effacement de secteur (256 Ko)Effacement de puce (64 Mbits)

Programmer et effacer Suspendre/Reprendre

Fonctionnalités avancées de protection des données matérielles et logicielles

Protection de secteur individuel  Verrouillage de secteur individuel pour rendre n'importe quel secteur en lecture seule en permanence

Registre de sécurité OTP (programmable une seule fois) de 128 octets

64 octets programmés en usine avec un identifiant unique

64 octets programmables par l'utilisateurOptions de réinitialisation contrôlées par le matériel et le logiciel

Lecture de l'ID du fabricant et de l'appareil de la norme JEDEC

Faible dissipation de puissance

Courant de mise hors tension ultra-profond de 400 nA (typique)

Courant de mise hors tension profonde de 5 µA (typique)

Courant de veille 25µA (typique)

Courant de lecture active 7 mA (typique)

Endurance : 100 000 cycles de programmation/effacement par page minimum

Conservation des données : 20 ans

Conforme à toute la plage de températures industrielles

Options d'emballage vert (sans plomb/halogénure/conforme RoHS)

SOIC à 8 broches (0,208" de large)DFN ultra-mince à 8 plots (5 x 6 x 0,6 mm)

DFN très fin à 8 pads (6 x 8 x 1,0 mm)

dBGA à 44 billes (réseau de billes modifié 6 x 8)

Adesto Technologies NOR FLASH mémoire circuit intégré IC spécification :

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