Компоненты IC технологий НИ флэш-памяти AT45DB641E AT45DB641E-SHN2B-T AT45DB641E-MHN2B-T Adesto

AT45DB641E-SHN2B-T Компоненты интегральных схем флэш-памяти NOR Adesto Technologies

AT45DB641E-SHN2B-T ИСМикросхема флэш-памяти 64 МБ (256 байт x 32 КБ страниц), SPI 85 МГц, 8-SOIC

64 Мбит DataFlash (с дополнительными 2 Мбит), последовательное флэш-память SPI минимум 1,7 В

AT45DB641E-MHN2B-TIC FLASH 64 Мбит SPI 85 МГц 8UDFN

NOR Flash, 64 Мбит, широкий диапазон напряжения (от 1,7 до 3,6 В), от -40°C до 85°C, 512-байтовый режим двоичной страницы, DFN 5x6 (лента и катушка), одиночный SPI DataFlash

AT45DB641E Описание:

AT45DB641E — это флэш-память с последовательным доступом с напряжением минимум 1,7 В, идеально подходящая для широкого спектра приложений цифрового голоса, изображений, программного кода и хранения данных. AT45DB641E также поддерживает последовательный интерфейс RapidS для приложений, требующих очень высокой скорости работы. Его 69 206 016 бит памяти организованы в виде 32 768 страниц по 256 байт или 264 байта каждая. Помимо основной памяти, AT45DB641E также содержит два буфера SRAM по 256/264 байта каждый. Чередование обоих буферов может значительно повысить способность системы записывать непрерывный поток данных. Кроме того, буферы SRAM можно использовать в качестве дополнительной системной оперативной памяти, а эмуляцию E2PROM (изменяемость битов или байтов) можно легко выполнить с помощью автономной трехэтапной операции чтения-изменения-записи. В отличие от обычных флэш-памятей, доступ к которым осуществляется случайным образом с помощью нескольких адресных строк и параллельного интерфейса, DataFlash® использует последовательный интерфейс для последовательного доступа к своим данным. Простой последовательный доступ значительно уменьшает количество активных контактов, упрощает компоновку оборудования, повышает надежность системы, минимизирует шум переключения и уменьшает размер корпуса. Устройство оптимизировано для использования во многих коммерческих и промышленных приложениях, где важны высокая плотность, малое количество контактов, низкое напряжение и малое энергопотребление. Чтобы обеспечить простое перепрограммирование внутри системы, AT45DB641E не требует высокого входного напряжения для программирования. Устройство работает от одного источника питания напряжением от 1,7 до 3,6 В для операций стирания, программирования и чтения. AT45DB641E включается через вывод выбора микросхемы (CS) и доступен через 3-проводной интерфейс, состоящий из последовательного входа (SI), последовательного выхода (SO) и последовательного тактового сигнала.
 

Функции:

Одиночный источник питания 1,7–3,6 В.

Совместимость с последовательным периферийным интерфейсом (SPI) Поддерживает режимы SPI 0 и 3

Поддерживает работу RapidS™

Возможность непрерывного чтения всего массива

До 85 МГц Возможность чтения с низким энергопотреблением до 15 МГц

Время тактового сигнала до выхода (tV) максимум 8 нс

Настраиваемый пользователем размер страницы

256 байт на страницу

264 байта на страницу (по умолчанию)

Размер страницы может быть предварительно настроен на заводе на 256 байт.

Два полностью независимых буфера данных SRAM (256/264 байта)

Позволяет получать данные при перепрограммировании массива основной памяти.

Гибкие возможности программирования

Байтовая/страничная программа (от 1 до 256/264 байт) непосредственно в основную память.

Запись в буфер | Программа из буфера в основную память

Гибкие возможности стиранияСтереть страницу (256/264 байта)

Стирание блока (2 КБ) Стирание сектора (256 КБ) Стирание чипа (64 Мбит)

Программирование и удаление. Приостановить/возобновить.

Расширенные функции аппаратной и программной защиты данных

Защита отдельных секторов. Блокировка отдельных секторов, чтобы сделать любой сектор постоянно доступным только для чтения.

128-байтовый одноразовый программируемый регистр безопасности (OTP)

64 байта, запрограммированные на заводе с уникальным идентификатором.

64 байта, программируемые пользователем. Возможности сброса, управляемые аппаратным и программным обеспечением.

Стандартный производитель JEDEC и считывание идентификатора устройства

Низкое рассеивание мощности

400 нА сверхглубокий ток при отключении питания (типовой)

Ток глубокого отключения питания 5 мкА (типовой)

25 мкА Ток в режиме ожидания (типовой)

7 мА Активный ток считывания (типовой)

Срок службы: минимум 100 000 циклов программирования/стирания на страницу.

Срок хранения данных: 20 лет.

Соответствует полному промышленному температурному диапазону

Варианты экологичной упаковки (без свинца, галогенидов и RoHS)

8-выводной SOIC (ширина 0,208 дюйма) 8-контактный ультратонкий DFN (5 x 6 x 0,6 мм)

8-контактный очень тонкий DFN (6 x 8 x 1,0 мм)

44 шарика dBGA (модифицированный массив шариков 6 x 8)

Спецификация интегральной схемы микросхемы памяти Adesto Technologies NOR FLASH:

Похожие DIALOG SEMICONDUCTOR Интегральная схема ICАдесто Технологии:

AT45DB641E, AT45DB641E-SHN2B-T, AT45DB641E-MHN2B-T, AT45DB641E-MWHN2B-T, AT45DB641E-UUN2B-T, AT45DB641E-SHN-B, AT45DB64 1E-SHN-T,AT45DB641E-MHN-Y,AT45DB641E-MHN-T,AT45DB641E-MWHN-Y,AT45DB641E-MWHN-T,AT45DB641E-UUN-T,AT45DB641E-DWF,AT 45ДБ641Э-ШН2Б-Б

Более популярныйКоличество деталей интегральной схемы IC: